SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역

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끝난 공고 · 결과

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첨부파일

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• (3차 공고문) SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역.pdf · 공고규격서
• (구매사양서) SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역.hwpx · 공고규격서
• (제안요청서) SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역.hwp · 공고규격서

공고 개요

재공고 · 유찰 · 한국전기연구원 · 과학·기술 연구

결과

유찰

참가

0곳 · 개찰 10/07(수)

요약 AI 요약

SiC CMOS 소자 제작을 위한 단위공정을 진행하고, 공정 조건 최적화 및 기술지원을 통해 공정 재현성과 신뢰성을 향상시키는 연구개발 용역이다.

• Align Key 형성
• Ion implantation 공정을 위한 mask 증착 및 식각
• 전기적 활성화를 위한 고온 열처리
• 희생 산화막 및 필드옥사이드 형성
• Source/Drain Ohmic Contact 형성 및 Annealing
• Interlayer Dielectric 형성, Contact Hole 형성, Metal Deposition, Backside 공정

사업 내용 · 이 공고에 든 일

중심 · SiC CMOS 소자 단위공정 진행 및 최적화

용역 › 학술·정책연구 › 과학·기술 연구

SiC CMOS 소자 제작을 위한 단위공정(이온주입 마스크, 열처리, 오믹컨택, 메탈 증착 등)을 직접 수행하고 공정 조건 최적화·기술지원·결과 분석까지 맡는 이공계 위탁연구 용역이다.

• Align Key 형성
• Ion implantation용 mask 증착·식각
• 고온 열처리(활성화)
• 희생 산화막·필드옥사이드 형성
• Source/Drain Ohmic Contact 형성 및 어닐링
• Interlayer Dielectric·Contact Hole 형성
• Metal Deposition
• Backside 공정
• 기타 SiC Lateral MOSFET 제작 필요 공정
• 후속 공정 조건 최적화
• 공정 기술 지원 및 기술 자문
• 공정 결과 분석 및 개선 방안 도출
• 최종보고서 작성

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 기술심사평가를 통해 평가점수가 85점 이상인 적격 업체에 한해 가격 입찰서의 개찰 진행한다.

참가 자격 · 제한

업종제한

제한 없음

지역제한

제한 없음

공동수급

공동수급불허

입찰참가 제한

없음

실적경쟁 · PQ

해당 없음

국제입찰

국내입찰

제출 방법

전자입찰

입찰 일정

가격

추정가격

36,360,000원

배정예산

39,996,000원

예정가격 방식

단일예가

공고 정보

공고종류

재공고 (재입찰공고)

게시일

09/29(화)

공고번호

R26BK01749266-000

참조번호

RD2026080199

공고기관

한국전기연구원

수요기관

한국전기연구원

계약방법

일반경쟁

낙찰방법

규격가격동시입찰

계약유형

총액계약

예정가격 방식

단일예가

추정가격

36,360,000원

배정예산

39,996,000원

공공조달분류

연구조사서비스 › 학술연구서비스 › 기타연구조사서비스

사전규격번호

R26BD00270960

재공고

재공고

출처

나라장터

문서 발췌

3. 입찰 ․ 계약체결 및 계약이행과 관련하여 관계직원에게 금품, 향응(친인척 등에 대한 부정한 취업 제공 포함) 등을 제공한 사실이 드러날 경우에는 계약체결 이전의 경우에는 낙찰자 결정 취소, 계약이행 전에는 계약취소, 계약이행 이후에는 당해 계약의 전부 또는 일부계약을 해제 또는 해지하여도 감수 하겠으며, 민․형사상 이의를 제기하지 않겠습니다. 4. 회사 임.직원이 관계 직원에게 금품, 향응(친인척 등에 대한 부정한 취업 제공 포함) 등을 제공하거나 담합 등 불공정 행위를 하지 않도록 하는 회사윤리강령과 내부비리 제보자에 대해서도 일체의 불이 익처분을 하지 않는 사규를 제정토록 노력하겠습니다. 위 청렴계약 서약은 상호신뢰를 바탕으로 한 약속으로서 반드시 지킬 것이며, 낙찰자로 결정될 시 본 서약내용을 그대로 계약특수조건으로 계약하여 이행하고, 입찰참가자격 제한, 계약해지 등 한국전기연 구원의 조치와 관련하여 당사가 한국전기연구원을 상대로 손해배상을 청구하거나 당사를 배제하는 입 찰에 관하여 민․형사상 어떠한 이의도 제기하지 않을 것을 서약합니다 년 월 일 회사명: 대표 (인) 한국전기연구원장 귀하 === (구매사양서) SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역.hwpx ===

연구용역 사양서

1. 용역명 SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역 2. 용역목적 - 본 연구용역은 SiC CMOS 소자 제작을 위한 단위공정을 진행하는 것을 목적으로 한다. - 이때 진행되는 단위공정의 조건 최적화 및 기술지원을 통해 공정 재현성과 신뢰성을 향상시키기 위한 연구 개발도 포함한다. 3. 용역범위 본 용역은 해당 공정의 개발, 최적화 및 소자 제작 지원으로 한다. 세부 수행 내용은 다음과 같다. - Align Key 형성 - Ion implantation 공정을 위한 mask 증착 및 식각 - 전기적 활성화를 위한 고온 열처리 - 희생 산화막 형성 - 필드옥사이드 형성 - Source/Drain Ohmic Contact 형성 - Ohmic Contact Annealing - Interlayer Dielectric 형성 - Contact Hole 형성 - Metal Deposition - Backside 공정 - 기타 SiC Lateral MOSFET 제작에 필요한 공정 수행 - 후속 공정 조건 최적화 - 공정 기술 지원 및 기술 자문 - 공정 결과 분석 및 개선 방안 도출

※ 세부 공정은 협의를 통해 변경 또는 추가될 수 있다. 4. 수행방법 - 용역기관은 제작공정을 수행하며 공정 조건 최적화 및 공정 기술 개발을 수행한다. - 공정 수행 과정에서 발생하는 기술적 이슈에 대하여 양 기관이 기술회의를 통해 협의하고 공정 개선 방안을 도출한다. - 공정 완료 후 공정 결과를 분석하고 최종 연구 결과를 정리한다. 5. 산출물 - 공정 수행 결과 자료 - 공정 최적화 결과 - 최종보고서 1부 6. 수행기간 용역 계약일 ~ 2026. 12. 11 7. 특기사항 - 연구 수행 과정에서 공정 조건 및 세부 공정은 협의를 거쳐 변경 또는 보완할 수 있다. - 연구 수행 과정에서 발생하는 기술적 사항은 양 기관이 상호 협의하여 해결하며, 필요한 경우 기술 회의를 개최한다.