나노반도체첨단제조공정융합교육사업단 1.2kV급 SiC 전력반도체 시작품 제작 구매(자격확대)

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• 2026-2-60) 자격확대_입찰공고문(물품,공급,일반)_1.2kV급 SiC 전력반도체.hwp · 공고규격서
• 규격서 등(1.2kV급 전력반도체_자격확대).zip · 공고규격서
• 2026-2-60) 자격확대_입찰공고문(물품,공급,일반)_1.2kV급 SiC 전력반도체.pdf · 공고규격서

공고 개요

부산대학교 산학협력단 · 반도체·박막 공정장비

추정가격

5,000만원

참가자격 등록 마감

10/19(월) 18:00 · D-6

낙찰방법

규격가격동시입찰

참가 자격

제한 없음

무슨 일

1.2kV급 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 제작

걸리는 것

장비 보유

입찰 전

서류·입찰서 직접 제출(방문·우편·팩스·이메일) · 사전 참가신청·등록

요약 AI 요약

발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼 10매를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 사업이다. 공정이 완료된 웨이퍼는 고전압 SiC 전력반도체 시제품 개발 및 후속 연구개발의 기초자료로 활용된다.

• 150 mm SiC 에피 웨이퍼 10매에 대한 1.2 kV급 SiC 전력반도체 제작 일괄 반도체 공정 수행(포토, 식각, 확산/이온주입, 화학기상증착/물리기상증착 및 후공정)
• 최소선폭 0.8 μm 이하 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정
• 희생산화막 형성 공정(두께 10 nm 이상 40 nm 이하) 및 필드산화막 형성(두께 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하)
• 500 keV 이상 고에너지·500 ℃ 이상 고온 이온주입 및 1,700 ℃ 수준 초고온 열처리(도펀트 활성화)
• 전면 전극용 금속막 공정 및 후속 열처리, 후면 전극용 금속막 공정·backside grinding·backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정
• P-type poly-Si 증착 공정 및 공정 완료 웨이퍼·공정 완료 확인 자료 제출

핵심요약

걸리는 것

장비 보유

장비 보유

수행업체는 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하고, 포토리소그래피·식각·이온주입·산화막 및 절연막 형성·금속막 형성·열처리·후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함. 임차 인정 여부는 문서에 없음.

수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함.

입찰 전

서류·입찰서 직접 제출(방문·우편·팩스·이메일) · 사전 참가신청·등록

입찰 전 따로 할 절차 · 서류·입찰서 직접 제출(방문·우편·팩스·이메일) · 사전 참가신청·등록

규격(기술)입찰서(제안서 등)를 나라장터를 통해 온라인 제출해야 하며, 입찰참가자격 등록은 전자입찰서 제출마감일 전일 18:00까지 완료해야 함.

규격(기술)입찰서를 온라인으로 제출하여야 하며, 규격(기술)입찰서 평가는 수요기관에서 합니다.

(입찰참가자격 등록) 조달청 경쟁입찰참가자격 등록은 수시로 가능하며, 입찰참가를 위해서는 전자입찰서 제출마감일 전일 18:00까지 등록을 하여야 합니다.

규격·기술 심사

점수와 통과선

규격·가격 동시입찰로 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시한다. 평가는 일반부문(정량) 10%, 기술부문(정성) 60%, 관리부문(정성) 30% 비율로 한다.

• 통과선 · 85점 이상 총점 100점 기준

  제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시하며

• 필수 항목·과락 · 아니다 필수 항목 미달·부문별 과락으로 총점과 상관없이 떨어진다는 문장이 없다.

「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률」 제18조 (2단계경쟁 등의 입찰)의 규정에 의한 규격·가격 동시 입찰로서 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시하며, 예정가격 이하의 유효한 입찰업체 중 최저가격 입찰업체를 적격업체로 결정함.

문서 분석

수행 기간

40일 이내

납품기한: 계약일로부터 40일 이내(제안요청서·규격서·공고문 동일). 기점은 계약일.

• 옮길 수 없는 끝 날짜 · 없음

2) 납품기한: 계약일로부터 40일 이내

납품기한: 계약 후 40일 이내

○ | 납품기한: | | | | | | 계약일로부터 40일 이내 | | | | | | | | | | | | |

문서 분석

하자보수

1년

하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년. 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정함.

• 기점 · 설치·검수 완료일 검수 완료일로부터 1년

  하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용함.

• 보증 기간 정기점검 · 없음 보증 기간 중 정기점검을 요구하는 문장이 없음
• 소모성·정기정비 부품 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 소모성·정기정비 부품의 무상 여부를 정한 문장이 없음

하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용함. 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정함.

문서 분석

공정 장비 종류

식각 · 노광(리소그래피) · CVD · 다이싱·패키징

수행 범위에 Photo 공정, Etch 공정, Diffusion/Implantation 공정, CVD/PVD 공정 및 후공정 등이 포함되고, 세부조건에 포토리소그래피·식각, P-type poly-Si 증착(CVD), 후면 전극용 backside grinding·laser annealing 등 후면 공정이 있다. 스퍼터·ALD는 문서에 없다.

Photo 공정, Etch 공정, Diffusion/Implantation 공정, CVD/PVD 공정 및 후공정 등 SiC 전력반도체 시제품 제작에 필요한 일련의 반도체 공정을 수행한다.

최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용

P-type poly-Si 증착 공정 수행

후면 전극 형성을 위한 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정 수행

문서 분석

가격

추정가격

50,000,000원

배정예산

55,000,000원

기초금액

55,000,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)

부가세

5,000,000원

예정가격 방식

복수예가

납품

납품

계약 후 40일
문서: 수행 기간 · 40일 이내

품명

반도체용칩 (3213100201)

세부품명 등록

등록 필요

제조물품

아니오
문서: 직접 생산 · 없음

수량

1 식
문서: 일의 분량 · 1.2kV급 SiC 전력반도체 시제품(공정 완료 웨이퍼) 10매

인도조건

설치까지 · 현장설치도
문서: 일의 끝 · 납품만

참가 자격 · 제한

지역제한

제한 없음
문서: 지역 조건 · 없음

업종제한

제한 없음
문서: 업종·면허 조합 · 한 업종
문서: 설치 공사업 면허 · 해당 없음

제출 방법

전자입찰
문서: 입찰 전 절차 · 서류·입찰서 직접 제출(방문·우편·팩스·이메일) · 사전 참가신청·등록

실적경쟁 · PQ

모름
문서: 실적 · 점수에 반영

공동수급

공동수급불허
문서: 공동수급 · 막음

입찰참가 제한

모름

국제입찰

국내입찰

입찰 일정

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시

사업 내용 · 이 공고에 든 일

중심 · 1.2kV급 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 제작

물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비

발주기관이 제공하는 150mm SiC 에피 웨이퍼 10매에 포토·식각·이온주입·증착·후면공정 등 반도체 일괄공정을 수행해 공정 완료 웨이퍼를 납품하는 반도체 공정 서비스다.

• 공정 런시트·세부 진행 조건 사전 확인
• 주요 단계별 WIP Status 공유
• 공정 조건·순서 변경 시 발주기관 사전 협의
• 일부 공정 외부 협력업체 수행 시에도 전체 품질·납기·웨이퍼 관리 총괄
• 공정 완료 확인 자료 제출
• 검수 완료일로부터 1년 하자보증 및 하자 발생 시 원인분석·재작업 협의

걸리는 것 · 입찰 전 할 일

걸리는 조건

장비 보유

수행업체는 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하고, 포토리소그래피·식각·이온주입·산화막 및 절연막 형성·금속막 형성·열처리·후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함. 임차 인정 여부는 문서에 없음.

수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함.

입찰 전 할 일

• 입찰 전 따로 할 절차 · 서류·입찰서 직접 제출(방문·우편·팩스·이메일) · 사전 참가신청·등록

  규격(기술)입찰서(제안서 등)를 나라장터를 통해 온라인 제출해야 하며, 입찰참가자격 등록은 전자입찰서 제출마감일 전일 18:00까지 완료해야 함.

  규격(기술)입찰서를 온라인으로 제출하여야 하며, 규격(기술)입찰서 평가는 수요기관에서 합니다.

  (입찰참가자격 등록) 조달청 경쟁입찰참가자격 등록은 수시로 가능하며, 입찰참가를 위해서는 전자입찰서 제출마감일 전일 18:00까지 등록을 하여야 합니다.

더 확인할 것

기성품·주문제작

이럴 때 꼭 봅니다 — 주문제작 · 설계부터 우리가

주문제작(받은 규격·도면대로)

발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트에 따라 제작하는 주문제작 방식이다.

• 시스템 통합 · 아니다

수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함.

실적

감점 · 점수에 반영

제안서 평가 기술부문에서 SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성을 30점 배점으로 평가한다. 참가 자격으로 실적을 거르는 문구는 없다.

• 크기 · 10~30점
• 조건 · 없음 유사·동등 실적 인정, 하도급·민간·공동 실적 인정, 창업기업 특례 등 인정 범위를 정한 문구가 없다.

⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성

지정 제품·공법

지정 없음

특정 제품·제조사·브랜드·공법을 지정한 문장은 없고, 발주기관이 제공하는 설계도면·공정 조건·런시트에 따라 공정을 수행하라고만 정했다. 다만 '제시된 규격과 동등하거나 그 이상으로 제안하여야 함'이라는 일반 조항이 있다.

• 동등 입증 때 · 해당 없음 지정된 제품·공법이 없어 동등 입증 시점을 따질 대상이 없다.

수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함.

제시된 규격과 동등하거나 그 이상으로 제안하여야 함.

합격선

숫자 기준 있음

세부조건에 최소선폭 0.8 μm 이하, 희생산화막 두께 10 nm 이상 40 nm 이하, 필드산화막 두께 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하, 500 keV 이상·500 ℃ 이상 이온주입, 1,700 ℃ 수준 초고온 열처리, 웨이퍼 총 두께 약 350 μm 등 수치가 있다.

• 따를 표준·지침 · 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하고, 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인한다. 주요 공정 조건·순서 변경은 발주기관과 사전 협의 후 진행한다.

  수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함.

  수행업체는 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함.

최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용

SiC 전력반도체 공정용 희생산화막 형성 공정 포함, 희생산화막 두께 범위: 10 nm 이상 40 nm 이하

필드산화막 두께 범위: 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하

500 keV 이상의 고에너지, 500 ℃ 이상의 고온 이온주입

이온주입 도펀트 활성화를 위한 1,700 ℃ 수준의 초고온 열처리 공정 수행

입찰 때 넣을 제품이 규격을 맞춘다는 것을 무…

항목별 규격 대비표 · 카탈로그·제조사 사양서

제안서 작성요령 서식3의 규격서 비교표에 시방규격(제안요청 규격)과 제안규격(납품규격)을 항목마다 맞대어 충족여부(O/X)를 적어 제출하고, 기술부문 제출서식에 국문규격서를 포함한다.

• 마감 뒤 보완 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 보완 허용·막음 여부를 정한 문장이 없다.

※ 제안업체는 본 건의 국문규격서 및 제안요청서에 명시된 공정 조건에 대하여, 수행 가능 여부를 아래와 같이 작성하여 제출하여야 한다.

| 3. 기술부문 | ⚪ 규격 적합성
⚪ 공고 규격 대비 기술 사양 만족 여부
⚪ 기술 수행 전문성 | 서식3,
국문규격서,
인프라 및 전문인력 보유 현황 자료 |

참가 범위

공개 경쟁

나라장터에 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 입찰참가 등록한 자이면 참여 가능한 일반(총액)규격가격동시 입찰. 당초 소기업·소상공인 제한경쟁이 유찰되어 자격확대 재공고된 건.

입찰방법: 일반(총액)규격가격동시

국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정(조달청 고시)에 의하여 입찰참가 자격등록 마감일시까지 국가종합전자조달시스템(나라장터)에 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 입찰참가 등록한 자

현장 여건

수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피·식각·이온주입·산화막 및 절연막 형성·금속막 형성·열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 한다. 공정 진행 중 웨이퍼의 외부 반출이 어려워 전체 공정에 대한 통합관리 체계를 구축하여야 한다.

수행업체가 청정 공정 환경·설비·인프라를 확보해야 하며, 부대공사·현장 준비나 위험작업에 대한 별도 조항은 없다.

• 부대공사·현장 준비 · 해당 없음 부대공사·현장 준비에 대한 조항 없음
• 위험작업 · 없음

수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함.

시안 승인

1회

공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함(제작 전 승인 1회). 주요 공정 조건·순서 변경 시 사전 협의.

• 수정 횟수 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 수정 횟수 제한을 정한 문구 없음.
• 승인 기간 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 승인 기간이 납기에 드는지 여부를 정한 문구 없음.

수행업체는 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함.

큰 배점 항목

과업 이해도(규격서 내용과 목적의 적합성, 공고규격 또는 기술과의 적합성) 30점, 기술 적합성(SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성, SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부) 30점, 품질보증(품질관리 계획의 적정성, 공정 런시트 관리 계획, 공정 이상 대응 방안) 30점.

평가표(붙임 2)상 세 항목이 각 30점으로 가장 크고, 경영상태(신용평가등급)는 10점이다.

기술부문
(정성평가) | 과업 이해도 | ⚪규격서 내용과 목적의 적합성
⚪공고규격 또는 기술과의 적합성 | 30 | 30 | 28 | 26 | 24 | 22

기술부문
(정성평가) | 기술 적합성 | ⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성
⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

관리부문
(정성평가) | 품질보증 | ⚪품질관리 계획의 적정성
⚪공정 런시트 관리 계획
⚪공정 이상 대응 방안 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

평가 자리 발표

서면 평가만

제안서 접수 후 1주일 이내(예정)에 발표평가 없이 제안서 서면평가로 진행한다. 평가위원회는 해당 분야 전문가 8인 이상으로 구성하며 활동 관련 제반 사항은 비공개를 원칙으로 한다.

• 빠지면 · 해당 없음 발표 평가가 없으므로 해당 사항이 없다.

▪ 발표평가 없이 제안서 서면평가로 진행

처리할 기판(웨이퍼) 크기는 몇 인치인가

150mm

직경 150 mm(6인치) SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 한다.

본 공정은 직경 150 mm(6인치) 크기의 탄화규소(SiC) 에피 웨이퍼를 대상으로 하며, 기판과 에피층을 포함한 웨이퍼의 총 두께는 약 350 μm임.

공고 정보

공고종류

등록공고 (일반공고)

게시일

10/07(수)

공고번호

R26BK01757338-000

참조번호

행정지원부-13129

공고기관

부산대학교 산학협력단

수요기관

부산대학교 산학협력단

계약방법

일반경쟁

낙찰방법

규격가격동시입찰

계약유형

총액계약

예정가격 방식

복수예가

추정가격

50,000,000원

배정예산

55,000,000원

사전규격번호

R26BD00266304

재공고

아니오

출처

나라장터

문서 분석 전체

이 분야에서 갈리는 것 · 우리가 만드는 공정 방식·기판 크기인가, 주문제작을 150일 안에 끝낼 수 있나, 기술평가 85점을 넘나, 3년 품질보증을 감당하나에서 갈린다.

질문 87개 · 꼭 5 · 좋음 20 · 안 봐도 됨 62

주제 · 참가 자격 9개

업종·면허 조합

한 업종

입찰참가자격은 나라장터에 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 등록한 자로 단일 품목 등록이며, 법·조례가 정한 별도 허가·지정·등록이나 업태·종목·전문매장 조건은 없다.

• 코드 밖 자격 · 없음 법·조례가 정한 허가·지정·등록, 사업자등록증 업태·종목, 전문매장 보유 같은 별도 자격 요구가 없다.

국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정(조달청 고시)에 의하여 입찰참가 자격등록 마감일시까지 국가종합전자조달시스템(나라장터)에 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 입찰참가 등록한 자

지역 조건

없음

본점 지역 제한 외에 사업장·인력 소재, 지역 인력 고용, 지역 업체 공동수급, 지역 가점 등 지역을 묶는 조건이 문서에 없다.

• 크기 · 모름 · 문서로 확인 안 됨
• 대상 · 없음

실적

감점 · 점수에 반영

제안서 평가 기술부문에서 SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성을 30점 배점으로 평가한다. 참가 자격으로 실적을 거르는 문구는 없다.

• 크기 · 10~30점
• 조건 · 없음 유사·동등 실적 인정, 하도급·민간·공동 실적 인정, 창업기업 특례 등 인정 범위를 정한 문구가 없다.

⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성

업력

없음

업력(설립·개업 후 경과 햇수)을 참가 조건이나 점수로 보는 문구가 없다.

• 요구 업력 · 모름 · 문서로 확인 안 됨
• 크기 · 모름 · 문서로 확인 안 됨

공동수급

막음

품질보증 및 유지보수 관리를 위하여 공동계약 및 공동수급을 불허한다.

• 자격을 나눠 채우기 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 공동수급을 불허하므로 자격 분담을 따질 자리가 없다.

4) 품질보증 및 유지보수 관리를 위하여 공동계약 및 공동수급 불허

○ | 공동계약 및 구성방식: | | | | | | | | | | | 불가

회사 규모·신분

제한 없음

당초 소기업·소상공인 제한경쟁입찰이 유찰되어 자격확대 공고로 전환되었고, 이 공고에는 규모·신분 제한이 없다.

※ 본 사업에 대하여 당초 입찰공고번호 ‘R26BK01705361-000’ 건으로 소기업․소상공인 제한경쟁입찰을 실시하였으나 무응찰로 유찰되었습니다.

안전보건수준평가

없음

안전보건수준평가 대상 사업이라고 지정한 문구가 없다. 중대재해처벌법 준수 안내는 일반 조항이다.

하도급

조건부 허용

일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 전체 공정의 품질·납기·웨이퍼 관리 책임은 계약상대자에게 있다고 하여 외주를 조건부로 열어 두었다.

• 하도급 한도 · 모름 · 문서로 확인 안 됨

일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 전체 공정의 품질, 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임은 계약상대자에게 있음.

직접 생산

없음

직접생산확인증명서 소지나 직접 제조 의무를 참가 자격으로 걸지 않았고, 참가 등록은 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 등록하면 된다.

• 참가 등록 · 제조·공급 모두

  국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정(조달청 고시)에 의하여 입찰참가 자격등록 마감일시까지 국가종합전자조달시스템(나라장터)에 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 입찰참가 등록한 자

• 직생 범위 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 직접생산확인 공고가 아니다.
• 대상 · 없음

국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정(조달청 고시)에 의하여 입찰참가 자격등록 마감일시까지 국가종합전자조달시스템(나라장터)에 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 입찰참가 등록한 자

주제 · 제품 규격·인증 9개

지정 제품·공법

지정 없음

특정 제품·제조사·브랜드·공법을 지정한 문장은 없고, 발주기관이 제공하는 설계도면·공정 조건·런시트에 따라 공정을 수행하라고만 정했다. 다만 '제시된 규격과 동등하거나 그 이상으로 제안하여야 함'이라는 일반 조항이 있다.

• 동등 입증 때 · 해당 없음 지정된 제품·공법이 없어 동등 입증 시점을 따질 대상이 없다.

수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함.

제시된 규격과 동등하거나 그 이상으로 제안하여야 함.

제조사 확약서

없음

제조사·공식 공급원에게서 받아 와야 하는 공급 확약서·기술지원 확약서·대리점 지위·정품보증서·수입신고필증 같은 서류를 요구한 문장이 없다. 계약체결 전 제출하는 직접이행의무 확약서·브로커 개입금지 확약서는 계약상대자 자신이 내는 정형 확약이다.

• 대상 · - 해당 없음
• 조건 · 없음 제조사면 면제 같은 조건 문장이 없다.

제품 인증

없음

인증·허가·시험성적서를 갖추라고 정한 문장이 없다. 공정 수행 능력(Class 1,000 청정 환경, 설비·인프라 보유)은 제안서 평가 항목으로만 다룬다.

• 크기 · 해당 없음 인증·성적서 관련 배점이 없다.
• 대상 · - 해당 없음
• 조건 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 입증 수단을 정한 문장이 없다.

원산지(국산)

모름 · 문서로 확인 안 됨

원산지 제한·국산 요구·수입 허용 여부를 정한 문장이 없다.

합격선

숫자 기준 있음

세부조건에 최소선폭 0.8 μm 이하, 희생산화막 두께 10 nm 이상 40 nm 이하, 필드산화막 두께 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하, 500 keV 이상·500 ℃ 이상 이온주입, 1,700 ℃ 수준 초고온 열처리, 웨이퍼 총 두께 약 350 μm 등 수치가 있다.

• 따를 표준·지침 · 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하고, 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인한다. 주요 공정 조건·순서 변경은 발주기관과 사전 협의 후 진행한다.

  수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함.

  수행업체는 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함.

최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용

SiC 전력반도체 공정용 희생산화막 형성 공정 포함, 희생산화막 두께 범위: 10 nm 이상 40 nm 이하

필드산화막 두께 범위: 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하

500 keV 이상의 고에너지, 500 ℃ 이상의 고온 이온주입

이온주입 도펀트 활성화를 위한 1,700 ℃ 수준의 초고온 열처리 공정 수행

등록 제품

없음

우수제품·혁신제품·규격심의·사전등록·제품 실적·가격집 등재 같은 목록·지정 요구가 없다.

• 대상 · - 해당 없음

신품·제조 시기

없음

신품·최근 생산품·유효기간·단종 모델 제한을 정한 문장이 없다.

• 제조 뒤 경과 상한 · 모름 · 문서로 확인 안 됨
• 남은 유효기간 · 모름 · 문서로 확인 안 됨

규격·기술 심사

점수와 통과선

규격·가격 동시입찰로 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시한다. 평가는 일반부문(정량) 10%, 기술부문(정성) 60%, 관리부문(정성) 30% 비율로 한다.

• 통과선 · 85점 이상 총점 100점 기준

  제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시하며

• 필수 항목·과락 · 아니다 필수 항목 미달·부문별 과락으로 총점과 상관없이 떨어진다는 문장이 없다.

「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률」 제18조 (2단계경쟁 등의 입찰)의 규정에 의한 규격·가격 동시 입찰로서 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시하며, 예정가격 이하의 유효한 입찰업체 중 최저가격 입찰업체를 적격업체로 결정함.

입찰 때 넣을 제품이 규격을 맞춘다는 것을 무…

항목별 규격 대비표 · 카탈로그·제조사 사양서

제안서 작성요령 서식3의 규격서 비교표에 시방규격(제안요청 규격)과 제안규격(납품규격)을 항목마다 맞대어 충족여부(O/X)를 적어 제출하고, 기술부문 제출서식에 국문규격서를 포함한다.

• 마감 뒤 보완 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 보완 허용·막음 여부를 정한 문장이 없다.

※ 제안업체는 본 건의 국문규격서 및 제안요청서에 명시된 공정 조건에 대하여, 수행 가능 여부를 아래와 같이 작성하여 제출하여야 한다.

| 3. 기술부문 | ⚪ 규격 적합성
⚪ 공고 규격 대비 기술 사양 만족 여부
⚪ 기술 수행 전문성 | 서식3,
국문규격서,
인프라 및 전문인력 보유 현황 자료 |

주제 · 입찰 절차 9개

참가 범위

공개 경쟁

나라장터에 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 입찰참가 등록한 자이면 참여 가능한 일반(총액)규격가격동시 입찰. 당초 소기업·소상공인 제한경쟁이 유찰되어 자격확대 재공고된 건.

입찰방법: 일반(총액)규격가격동시

국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정(조달청 고시)에 의하여 입찰참가 자격등록 마감일시까지 국가종합전자조달시스템(나라장터)에 반도체용칩(3213100201)을 공급 또는 제조로 입찰참가 등록한 자

여러 과제로 나뉨

나뉘지 않음

단일 입찰건(1식)으로 과제·권역·입찰번호로 나뉘지 않음.

• 여러 개 · 모름 · 문서로 확인 안 됨

수량 및 단위: 1식

입찰 전 절차

서류·입찰서 직접 제출(방문·우편·팩스·이메일) · 사전 참가신청·등록

규격(기술)입찰서(제안서 등)를 나라장터를 통해 온라인 제출해야 하며, 입찰참가자격 등록은 전자입찰서 제출마감일 전일 18:00까지 완료해야 함.

규격(기술)입찰서를 온라인으로 제출하여야 하며, 규격(기술)입찰서 평가는 수요기관에서 합니다.

(입찰참가자격 등록) 조달청 경쟁입찰참가자격 등록은 수시로 가능하며, 입찰참가를 위해서는 전자입찰서 제출마감일 전일 18:00까지 등록을 하여야 합니다.

현장설명회

없음

현장설명회·현장답사 관련 규정 없음. 물품설명청취 연락처만 안내.

정정·재공고 변경

당초 입찰공고번호 'R26BK01705361-000' 건으로 소기업·소상공인 제한경쟁입찰을 실시하였으나 무응찰로 유찰되어, 중소기업자와의 우선조달계약에 대한 예외 사유에 해당하여 자격확대 재공고한 건.

본 사업에 대하여 당초 입찰공고번호 ‘R26BK01705361-000’ 건으로 소기업․소상공인 제한경쟁입찰을 실시하였으나 무응찰로 유찰되었습니다. 이에 본 공고는 중소기업제품 구매촉진 및 판로지원에 관한 법률 시행령 제2조의3(중소기업자와의 우선조달계약에 대한 예외) 제1항 제1호 ‘제2조의2 제1항제1호 단서 또는 같은 항 제2호에 따른 입찰에 참가한 중소기업자가 2인 미만이거나 2인 이상인 경우에도 적격자가 없는 등의 사유로 유찰된 경우’에 해당합니다.

낙찰 업체 수

한 업체가 전량

1식 단일 계약, 공동계약 및 공동수급 불허.

• 최소 응찰 물량 · 해당 없음

공동계약 및 구성방식: 불가

MAS 2단계경쟁

아니다

일반(총액)규격가격동시 입찰로 낙찰자가 계약을 체결하는 구조. MAS·종합쇼핑몰 2단계경쟁 아님.

입찰방법: 일반(총액)규격가격동시

입찰보증금

면제·지급각서로 갈음

일부(채무불이행·금융질서문란자, 입찰공고일 이전 1년 이내 입찰참가자격 제한받은 자)만 입찰금액의 100분의 5 이상 실제 납부, 그 외는 면제하고 입찰보증금 지급각서 제출. 계약보증금·하자보수보증금은 조달청 내자구매업무 처리규정 적용.

• 입찰보증금 비율 · 5% 이상 입찰금액의 100분의 5 이상(기획재정부장관 고시 시 1천분의 25 이상) — 일부 해당자만

  입찰자가 아래에 해당하는 경우에는 입찰금액의 100분의 5이상(「국가계약법 시행령」 제37조 제1항 단서조항에 따른 기획재정부장관이 기간을 정하여 고시한 경우에는 1천분의 25이상)의 입찰보증금을 납부 하여야 합니다.

• 계약·하자 보증 비율 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 조달청 내자구매업무 처리규정 적용으로만 적시, 비율 미기재

  계약보증금 및 하자보증금은 「조달청 내자구매업무 처리규정」 제48조의2(계약보증금), 제59조(하자보수 보증금)의 적용을 받습니다.

(납부면제) 위 사항을 제외하고는 이 입찰에서 입찰보증금의 납부는 면제하되, 입찰보증금 지급각서를 제출하여야 합니다.

계약보증금 및 하자보증금은 「조달청 내자구매업무 처리규정」 제48조의2(계약보증금), 제59조(하자보수 보증금)의 적용을 받습니다.

문서끼리 다른 곳

아니다

입찰공고서와 과업내용서(제안요청서 등)가 다를 경우 입찰공고서 우선 적용한다는 정형 조항만 있고, 실제 어긋난 값은 없음.

이 입찰집행과 관련하여 입찰공고서와 과업내용서(제안요청서 등 입찰 첨부서류 일체)의 내용이 서로 다를 경우 입찰공고서가 우선하여 적용됩니다.

주제 · 과업 범위 11개

다른 업 섞임

섞이지 않음

본 사업은 1.2kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작(반도체 공정 수행) 단일 품목·단일 업무로, 다른 면허·공종·품목의 일이 섞여 있지 않다.

본 입찰은 발주기관이 제공하는 웨이퍼 10매를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 건이다.

하는 일

발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼 10매를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정(포토, 식각, 이온주입, 산화막·절연막·금속막 형성, 열처리, 후면 공정 등)을 수행하여 공정 완료 웨이퍼와 확인 자료를 납품하는 일이다. 최소선폭 0.8 μm 이하 패턴, 희생산화막 10~40 nm, 필드산화막 1.0~1.5 μm, 500 keV·500 ℃ 이상 이온주입, 1,700 ℃ 초고온 열처리, P-type poly-Si 증착 등의 세부 조건을 충족해야 한다.

수행업체는 발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하여야 함.

공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 10매 및 공정 수행 결과 확인 자료를 납품하여야 한다.

기존 시스템과 이어짐

없음(새로 하는 독립된 일)

발주기관이 제공하는 웨이퍼·설계도면·런시트를 기준으로 공정을 수행하는 독립된 제작 건으로, 기존 시스템 연동·기존 제조사 제품 묶임·연속 사업·연동 SW 개발·상대편 연동 비용 부담에 관한 내용이 없다.

설치 공사업 면허

해당 없음

반도체 공정 수행(제조) 건으로 전기·정보통신·수도·소방 등 법상 공사에 해당하는 설치가 없다.

• 대상 · 해당 없음
• 조건 · 해당 없음

일의 끝

납품만

공정 완료 웨이퍼 및 확인 자료를 납품하는 건으로 현장 설치·시운전은 없다.

• 시험운영 기간 · 해당 없음

공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 10매 및 공정 수행 결과 확인 자료를 납품하여야 한다.

기성품·주문제작

주문제작(받은 규격·도면대로)

발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트에 따라 제작하는 주문제작 방식이다.

• 시스템 통합 · 아니다

수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함.

함께 넘길 물품

해당 없음

본품과 함께 우리 돈으로 넘겨주거나 비치해야 하는 별도 물품이 문서에 없다.

철거·폐기

없음

기존 장비·시설의 철거·이설·폐기·반납이나 다 쓴 물품·포장재 회수에 관한 내용이 없다.

부가 작업

공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건 확인, 주요 단계별 진행 현황(WIP Status) 공유, 공정 완료 후 공정 완료 웨이퍼 및 공정 완료 확인 자료 제출, 하자보증기간(검수 완료일로부터 1년) 대응.

수행업체는 공정 진행 중 주요 단계별 진행 현황 (WIP Status)을 발주기관에 공유하여야 함.

제작 완료 후 공정 완료 웨이퍼 및 공정 완료 확인 자료를 제출하여야 함.

디자인 몫

해당 없음

디자인·편집·원고 작업이 있는 사업이 아니다.

묶인 품목 수

1종

품목은 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 1종(10매)이다.

• 제조사 수 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 내역서·규격서가 품목마다 제조사·상표·모델을 정해 적지 않았다.

1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 | 매 | 10

주제 · 납품 일정·현장 11개

일의 분량

1.2kV급 SiC 전력반도체 시제품(공정 완료 웨이퍼) 10매

규격서 품목표상 수량 10매(단위 매). 발주기관 제공 150mm SiC 에피 웨이퍼 10매를 대상으로 공정 수행. 사업금액 55,000,000원(부가세 포함), 추정가격 50,000,000원(부가세 제외).

• 열린 분량 · 정해짐 웨이퍼 10매로 확정

  ■ 웨이퍼 수량
  10매

| | 3213100201 | 1 | 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 | 매 | 10 |

본 입찰은 발주기관이 제공하는 웨이퍼 10매를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 건이다.

수행 기간

40일 이내

납품기한: 계약일로부터 40일 이내(제안요청서·규격서·공고문 동일). 기점은 계약일.

• 옮길 수 없는 끝 날짜 · 없음

2) 납품기한: 계약일로부터 40일 이내

납품기한: 계약 후 40일 이내

○ | 납품기한: | | | | | | 계약일로부터 40일 이내 | | | | | | | | | | | | |

현장·납품지

1곳

납품장소: 부산대학교 생물관 206호(규격서). 공고문에는 수요기관 지정장소로 기재.

• 열린 분량 · 정해짐 부산대학교 생물관 206호로 정해짐

  납품장소: 부산대학교 생물관 206호

• 범위 · 없음(국내 보통 현장) 국내 부산 소재 대학 내 납품

납품장소: 부산대학교 생물관 206호

○ | 납품장소: | | | | | | 수요기관 지정장소 | | | | | | | | | | | | |

현장 여건

수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피·식각·이온주입·산화막 및 절연막 형성·금속막 형성·열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 한다. 공정 진행 중 웨이퍼의 외부 반출이 어려워 전체 공정에 대한 통합관리 체계를 구축하여야 한다.

수행업체가 청정 공정 환경·설비·인프라를 확보해야 하며, 부대공사·현장 준비나 위험작업에 대한 별도 조항은 없다.

• 부대공사·현장 준비 · 해당 없음 부대공사·현장 준비에 대한 조항 없음
• 위험작업 · 없음

수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함.

작업 시기

제약 없음

일할 수 있는 때에 대한 제약 조항 없음

다른 일정에 묶임

아니다

나눠 납품

한 번에 전량

납품기한 하나만 적혀 있고 나눠 내라는 말이 없음. 공고문에 분할납품 불가로 기재.

• 분할납품 · 막음 공고문 입찰개요에 분할납품 불가로 기재

  ○ | 분할납품: | | | | | | 불가 | | | | | | | | | | | | |

○ | 분할납품: | | | | | | 불가 | | | | | | | | | | | | |

보관 조건

없음

보관·운송 조건 요구 없음

• 대상 · 없음

주문 뒤 납품 시한

모름 · 문서로 확인 안 됨

주문(납품요구) 후 납품 시한에 대한 조항 없음. 납품기한은 계약일로부터 40일 이내로만 정함.

• 기점 · 모름 · 문서로 확인 안 됨

포장·표시

포장 단위나 제품에 붙일 표시·라벨 요구에 대한 조항이 없다.

보안 조치

의무 · 계약 뒤 지킬 일

제안요청서에 제안업체는 취급·습득한 정보에 대해 과업 수행 기간은 물론 그 이후라도 정보 유출 등 보안 사항을 준수하고 보안사고에 대한 민·형사상 책임을 진다고 적음. 제안서의 효력 및 유의사항에도 부산대학교 사전 승인 없이 제3자에게 누설하지 않아야 한다고 적음. 출입 승인·기기 반입 제한·망 통제·개인정보 위탁계약 조항은 없음.

• 크기 · - 보안 대책이 평가 항목에 없음
• 대상 · 기타 취득 정보의 제3자 누설 금지(일반 보안 문구)

  제안업체는 입찰과정 및 제안참가 과정에서 취득한 정보와 계약의 이행과정에서 취득한 각종 정보를 부산대학교의 사전 승인 없이 제3자에게 누설하지 않아야 함.

제안 업체는 동 사업과 관련하여 취급 또는 습득한 정보에 대하여 과업 수행 기간은 물론 그 이후라도 정보 유출 등에 관한 보안 사항을 준수하여야 하며, 보안사고에 대한 민·형사상의 모든 책임을 짐.

제안업체는 입찰과정 및 제안참가 과정에서 취득한 정보와 계약의 이행과정에서 취득한 각종 정보를 부산대학교의 사전 승인 없이 제3자에게 누설하지 않아야 함.

주제 · 견본·검사·검수 7개

검수

발주처 검수만

제작 완료 후 공정 완료 웨이퍼 및 공정 완료 확인 자료를 제출하고, 하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년. 외부 기관 심의·승인·검사·감리·성과심사 문구 없음.

제작 완료 후 공정 완료 웨이퍼 및 공정 완료 확인 자료를 제출하여야 함.

하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용함.

샘플·시안 선제출

없음

입찰·제안 단계에서 시안·샘플·견본·시연·성능시험을 우리 돈으로 미리 만들어 내라는 요구 없음. 제안서 서면평가로 진행(발표평가 없음).

시험·검사

시험·검사 없음

이 공고가 정한 품질 시험·검사·분석은 없음. 공정 완료 확인 자료 제출만 요구.

• 시험 단위 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 시험·검사가 없어 단위 없음.
• 시험 장소 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 시험·검사가 없어 장소 없음.

시안 승인

1회

공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함(제작 전 승인 1회). 주요 공정 조건·순서 변경 시 사전 협의.

• 수정 횟수 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 수정 횟수 제한을 정한 문구 없음.
• 승인 기간 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 승인 기간이 납기에 드는지 여부를 정한 문구 없음.

수행업체는 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함.

공장 실사·입회

없음

발주처가 공장 실사·제작 중간검사 입회를 한다는 문구 없음. 공정 진행 중 주요 단계별 진행 현황(WIP Status) 공유만 요구.

이 공고가 군수품 조달인가 — 국방부·각 군이…

아니다

수요기관은 부산대학교 산학협력단. 군수품 특수조건·국방규격·군 검사 등 군 전용 절차 없음.

군수품이면 납품 검사·검수는 누가 하나 — 수…

해당 없음

군수품 조달이 아님.

• 품질보증형태 · 해당 없음 군수품 조달이 아님.

주제 · 인력·A/S·하자 대응 8개

장비·시설 보유

벽 · 못 맞추면 탈락

수행업체는 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하고, 포토리소그래피·식각·이온주입·산화막 및 절연막 형성·금속막 형성·열처리·후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함. 임차 인정 여부는 문서에 없음.

• 갖출 때 · 입찰 때(공고일·마감일 기준) 제안서 평가에서 인프라 보유 여부를 정성평가하므로 입찰(제안서) 시점에 보유가 판단됨. 별도 시점 명시는 없음.

  ⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부

• 크기 · 10~30점 기술 적합성 항목 30점(A)~10점(E)

  ⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성
  ⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

• 조건 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 임차·소유 구분에 대한 문장이 없음

수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함.

인력 자격

감점 · 점수에 반영

기술 적합성 평가요소에 SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 전문인력 보유 여부가 포함되어 정성평가(30~10점)로 반영됨. 참가자격으로 인력 자격을 건 문장은 없음.

• 크기 · 10~30점 기술 적합성 항목 30점(A)~10점(E)

  ⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성
  ⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

• 대상 · 투입 인력 전반 SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 전문인력 보유 여부를 평가

  ⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부

⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성
⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

출동 시한

없음

고장·장애·긴급 호출 시 현장 도착·착수 시한을 정한 문장이 없음. 하자 발생 시 상호 협의 후 조치방안을 정한다는 조항만 있음.

• 도착 시한 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 도착·착수 시한이 문서에 없음

처리 시한

해당 없음

요청·장애를 받아 처리(복구·완료)하는 시한을 정한 문장이 없음. 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정한다는 조항만 있음.

• 기점 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 처리 시한 기점이 문서에 없음

교육·기술이전

해당 없음

발주처 직원·사용자 교육 횟수를 정한 문장이 없음. 제안요청서 작성지침에 기기별 운전 정비 및 관리에 필요한 사람에 대한 교육훈련 계획서 제출·계약자 부담 시행 문구가 있으나 횟수는 없음.

• 무상 · 우리 부담(대가 안) 제안업체는 기기별 운전 정비 및 관리에 필요한 사람에 대하여 기간, 인원 등이 명시된 교육훈련 계획서를 제출하여야 하며 계약자 부담으로 교육훈련을 시행하여야 함

  제안업체는 기기별 운전 정비 및 관리에 필요한 사람에 대하여 기간, 인원 등이 명시된 교육훈련 계획서를 제출하여야 하며 계약자 부담으로 교육훈련을 시행하여야 함.

하자보수

1년

하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년. 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정함.

• 기점 · 설치·검수 완료일 검수 완료일로부터 1년

  하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용함.

• 보증 기간 정기점검 · 없음 보증 기간 중 정기점검을 요구하는 문장이 없음
• 소모성·정기정비 부품 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 소모성·정기정비 부품의 무상 여부를 정한 문장이 없음

하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용함. 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정함.

단종 뒤 부품 공급

해당 없음

보증이 끝나거나 단종된 뒤 부품·소모품·유지보수를 대야 하는 기간을 정한 문장이 없음.

A/S 조직·인력

없음

A/S·기술 인력 수, A/S 부서·조직, 지역·전국 서비스망, 예비품 보유를 요구하는 문장이 없음. 하자보수 및 문제점 발생 시 해결을 위한 효율적인 지원체계를 제시해야 한다는 문구만 있음.

• 인원 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 A/S·기술 인력 수를 정한 문장이 없음
• 크기 · - A/S 조직 관련 평가 항목 없음
• 대상 · - A/S 인력·부서·서비스망·예비품 보유를 요구한 문장이 없음

주제 · 가격·대금·계약 조건 11개

총액·단가 방식

총액

일반(총액)규격가격동시 입찰, 사업금액 55,000,000원(부가세 포함), 추정가격 50,000,000원(부가세 제외). 수량은 1식(규격서상 웨이퍼 10매).

• 정산 · 확정 금액 총액입찰로 낙찰금액이 계약금액이 되며 실적·실비 정산 조항 없음.
• 단가 조정 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 계약 기간 중 단가 고정·시세 연동·협의 조정을 정한 문장이 없음.

○ | 입찰방법: | | | | | | | 일반(총액)규격가격동시

○ | 사업금액: | | | | | | 55,000,000원(부가가치세 포함)

물량 변동

확정

제작 대상은 발주기관 제공 150mm SiC 에피 웨이퍼 10매, 최종 산출물은 공정 완료 웨이퍼 10매로 수량·사양이 확정.

본 입찰은 발주기관이 제공하는 웨이퍼 10매를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 건이다. 최종 산출물은 반도체 공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼로 한다.

- 1.2 kV급 SiC 전력반도체 공정 완료 웨이퍼 10매

발주처 단가 기준

적혀 있지 않음

발주처가 정한 단가·품셈·요율·상한가 기준이 공고에 없음. 사업금액·추정가격만 제시.

계약 상대

공고 낸 기관 직접

공고기관·수요기관 모두 부산대학교 산학협력단이며 다른 계약·대금 상대를 적지 않음.

그대로 넘길 돈

아니다

계약금액 안에서 다른 곳에 넘기거나 정해진 곳에 써야 하는 돈을 적은 문장이 없음.

• 넘길 돈 · 해당 없음
• 투찰 때 반영 · 해당 없음

견적 근거

공개 안 됨

설계도면·런시트는 발주기관이 제공하는 것으로 되어 있으나 입찰 전 공개 여부·단가 공개를 정한 문장이 없음.

• 이윤 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 공개된 원가계산서·산출내역이 없음.

대금 받는 때

끝난 뒤 한 번에

납품기한 계약일로부터 40일 이내, 분할납품 불가. 지급 시기·선금을 정한 문장은 없음.

• 선금 · 모름 · 문서로 확인 안 됨
• 지급 기한 · 모름 · 문서로 확인 안 됨

○ | 분할납품: | | | | | | 불가

공채·채권

모름 · 문서로 확인 안 됨

공채·채권 매입을 정한 문장이 없음.

보험 가입

없음

이 일 때문에 들어야 하는 보험·공제를 정한 문장이 없음.

• 보상 한도 · 해당 없음
• 보험료 · 해당 없음
• 대상 · 해당 없음

계약 변동 가능

그렇다

발주처의 계획·방침 변경 등 사정으로 구성 및 요구내용에 변경이 있을 수 있으며 이의를 제기할 수 없다고 적음.

• 바뀔 수 있는 것 · 금액·물량·기간이 바뀔 수 있음

  제안 진행 중 발주처의 계획이나 방침 변경 등의 사정으로 구성 및 요구내용에 변경이 있을 수 있으며, 이에 대한 이의 제기를 할 수 없음.

제안 진행 중 발주처의 계획이나 방침 변경 등의 사정으로 구성 및 요구내용에 변경이 있을 수 있으며, 이에 대한 이의 제기를 할 수 없음.

부가세 과세

모름 · 문서로 확인 안 됨

이 일·품목의 과세·면세를 정한 문장이 없음. 사업금액·기초금액은 부가세 포함 가격이고 면세사업자 투찰 정형 문구만 있음.

• 투찰가에 부가세 · 넣는다 사업예산·기초금액·입찰금액은 부가세 포함 가격이며, 수행에 필요한 모든 비용을 부가세 포함하여 가격 입찰금액에 포함시키라고 함.

  ※ 사업예산, 기초금액 및 입찰금액은 부가가치세를 포함한 가격입니다.

  본 사업의 수행에 필요한 모든 비용은 부가세를 포함하여 가격 입찰금액에 포함시켜야 함.

뽑는 방식 · 입찰 방식 7개

회사 속성 우대

없음

평가표(붙임 2)는 일반부문 경영상태(신용평가등급 10점), 기술부문 과업 이해도 30점·기술 적합성 30점, 관리부문 품질보증 30점으로만 구성되어 있고, 창업기업·여성기업·장애인기업·사회적기업·소기업·고용 실적·인증·산업재해율에 따른 우대 규정이 없다.

• 우대 대상 · 없음 문서 어디에도 회사 속성에 따른 우대 대상이 적혀 있지 않다.
• 가점 크기 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 회사 속성 우대 가점 자체가 없어 크기를 알 수 없다.

신용등급·경영상태

감점 · 점수에 반영

일반부문(정량평가) 경영상태 항목에서 신용평가등급 10점을 평가한다. 신용평가등급 확인서가 확인되지 않으면 최하등급(7.0점)으로 평가하며, 입찰공고일 이전에 평가한 유효기간 내 등급을 기준으로 가장 최근 등급으로 평가한다.

• 등급이 없을 때 · 최저 등급 점수 신용평가등급 확인서가 확인되지 않으면 최하등급(7.0점)으로 평가한다.

  ※ ‘신용평가등급 확인서’가 확인되지 않은 경우에는 최하등급으로 평가하며, 유효기간 만료일이 입찰공고일인 경우에도 유효한 것으로 평가함.

• 크기 · 7~10점 [별표 1] 신용평가등급에 의한 경영상태 평가: A- 이상 10.0점, BBB-/BB+ 9.5점, B+/B0/B- 9.0점, CCC+ 이하 및 미제출시 7.0점.

  A- 이상 | A2- 이상 | A- 이상 | 10.0점

  CCC+ 이하 | C 이하 | CCC+ 이하 | 7.0점

  미제출시 | | | 7.0점

• 대상 · 신용평가등급 회사채·기업어음·기업신용평가등급을 기준으로 평가한다.

  | 신용평가등급 | | | 점수 |

일반부문
(정량평가) | 경영 상태 | ⚪신용평가등급 | 10 | [별표1]에 따름

※ ‘신용평가등급 확인서’가 확인되지 않은 경우에는 최하등급으로 평가하며, 유효기간 만료일이 입찰공고일인 경우에도 유효한 것으로 평가함.

※ 「신용정보의 이용 및 보호에 관한 법률」제4조제1항 제1호 또는 제4호의 업무를 영위하는 신용정보업자가 입찰공고일 이전에 평가한 유효기간 내에 있는 회사채, 기업어음, 기업신용평가등급을 기준으로 평가하되 가장 최근의 신용평가등급으로 평가함.

보유 인력

감점 · 점수에 반영

기술부문 기술 적합성 평가요소에 'SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부'가 포함되어 30점 배점으로 평가된다. 다만 구체적인 기준 인원수는 적혀 있지 않다.

• 기준 인원 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 전문인력 보유 여부를 평가하나 기준 인원수는 문서에 적혀 있지 않다.
• 크기 · 10~30점 기술 적합성 항목 배점 A 30점 ~ E 10점.

  기술부문
  (정성평가) | 기술 적합성 | ⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성
  ⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

기술부문
(정성평가) | 기술 적합성 | ⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성
⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

소속 직원

없음

투입 인력이 우리 회사 소속 직원이어야 한다는 요구나 재직 기간·고용 형태 조건, 프리랜서·외부 전문가 활용에 관한 규정이 문서에 없다. 일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행할 수 있으나 전체 공정의 품질·납기·웨이퍼 관리 책임은 계약상대자에게 있다.

• 재직 기간 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 재직 기간 조건이 적혀 있지 않다.
• 크기 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 투입 인력 소속 관련 배점이 없다.
• 대상 · 없음 소속을 요구하는 대상이 없다.
• 조건 · 외부 전문가 활용 인정 일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 전체 공정의 품질, 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임은 계약상대자에게 있다.

  일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 전체 공정의 품질, 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임은 계약상대자에게 있음.

큰 배점 항목

과업 이해도(규격서 내용과 목적의 적합성, 공고규격 또는 기술과의 적합성) 30점, 기술 적합성(SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성, SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부) 30점, 품질보증(품질관리 계획의 적정성, 공정 런시트 관리 계획, 공정 이상 대응 방안) 30점.

평가표(붙임 2)상 세 항목이 각 30점으로 가장 크고, 경영상태(신용평가등급)는 10점이다.

기술부문
(정성평가) | 과업 이해도 | ⚪규격서 내용과 목적의 적합성
⚪공고규격 또는 기술과의 적합성 | 30 | 30 | 28 | 26 | 24 | 22

기술부문
(정성평가) | 기술 적합성 | ⚪SiC 전력반도체 공정 수행 경험 및 전문성
⚪SiC 웨이퍼 공정 수행을 위한 인프라 및 전문인력 보유 여부 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

관리부문
(정성평가) | 품질보증 | ⚪품질관리 계획의 적정성
⚪공정 런시트 관리 계획
⚪공정 이상 대응 방안 | 30 | 30 | 25 | 20 | 15 | 10

무상 추가 제공

없음

평가표에 사후관리·유지보수·추가 제공을 배점하는 항목이 없다. 하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용하고, 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정한다.

• 요구 기간 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 유지보수·사후지원 약속 기간을 요구하는 규정이 없다.
• 크기 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 사후관리·추가 제공 배점이 없다.
• 대상 · 없음 평가표에 해당 항목이 없다.

평가 자리 발표

서면 평가만

제안서 접수 후 1주일 이내(예정)에 발표평가 없이 제안서 서면평가로 진행한다. 평가위원회는 해당 분야 전문가 8인 이상으로 구성하며 활동 관련 제반 사항은 비공개를 원칙으로 한다.

• 빠지면 · 해당 없음 발표 평가가 없으므로 해당 사항이 없다.

▪ 발표평가 없이 제안서 서면평가로 진행

카테고리 · 연구·실험·계측장비 5개

지원사업·R&D 재원

아니다

공고·제안요청서·규격서 어디에도 정부·지자체 지원사업이나 연구개발 과제·연구비로 한다는 문장이 없다. 다만 「본 입찰을 통해 확보되는 공정 완료 웨이퍼는 고전압 SiC 전력반도체 시제품 개발 및 후속 연구개발을 위한 기초자료로 활용」, 「본 물품은 연구용 SiC 전력반도체 소자 제작을 목적으로 하며」라고만 적혀 있다.

품질 인증

없음

참가자격은 나라장터 반도체용칩(3213100201) 등록 등만 요구하고, ISO 등 인증이나 업무 절차서를 참가 조건·배점으로 삼는 문장이 없다. 평가표의 정성평가 항목은 규격 적합성·기술 전문성·품질관리 계획 등이며 인증 보유를 요구하지 않는다.

• 크기 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 평가표에 인증 관련 배점이 없다.
• 대상 · - 해당 인증을 요구하는 문장이 없다.

경비 부담

우리 부담(대가 안)

발주기관이 150 mm SiC 에피 웨이퍼 10매를 제공하고, 그 외 공정 수행에 드는 비용은 「본 사업의 수행에 필요한 모든 비용은 부가세를 포함하여 가격 입찰금액에 포함시켜야 함」, 「본 제안과 관련된 일체의 소요 비용은 제안 업체가 부담함」으로 계약상대자 부담이다.

• 관급 금액 · 모름 · 문서로 확인 안 됨 웨이퍼 10매를 발주기관이 제공한다고만 적혀 있고 금액은 없다.

  본 입찰은 발주기관이 제공하는 웨이퍼 10매를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 건이다.

• 관급 설치 · 해당 없음 관급 기기·자재 설치 개념이 아니라 발주기관 제공 웨이퍼에 대한 공정 수행 건이다.

본 사업의 수행에 필요한 모든 비용은 부가세를 포함하여 가격 입찰금액에 포함시켜야 함.

제안과 관련된 제출 자료 일체는 반환하지 않으며, 본 제안과 관련된 일체의 소요 비용은 제안 업체가 부담함.

공정 장비 종류

식각 · 노광(리소그래피) · CVD · 다이싱·패키징

수행 범위에 Photo 공정, Etch 공정, Diffusion/Implantation 공정, CVD/PVD 공정 및 후공정 등이 포함되고, 세부조건에 포토리소그래피·식각, P-type poly-Si 증착(CVD), 후면 전극용 backside grinding·laser annealing 등 후면 공정이 있다. 스퍼터·ALD는 문서에 없다.

Photo 공정, Etch 공정, Diffusion/Implantation 공정, CVD/PVD 공정 및 후공정 등 SiC 전력반도체 시제품 제작에 필요한 일련의 반도체 공정을 수행한다.

최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용

P-type poly-Si 증착 공정 수행

후면 전극 형성을 위한 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정 수행

처리할 기판(웨이퍼) 크기는 몇 인치인가

150mm

직경 150 mm(6인치) SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 한다.

본 공정은 직경 150 mm(6인치) 크기의 탄화규소(SiC) 에피 웨이퍼를 대상으로 하며, 기판과 에피층을 포함한 웨이퍼의 총 두께는 약 350 μm임.

문서 발췌

과업·요구

1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작

I. 개요 1. 제작 목적 1 2. 제작 내용 1 3. 제작 조건 1 II. 입찰 및 제안서 평가 방법 1. 입찰 및 낙찰자 결정 방식 3 2. 제안서 제출기간 및 방법 5 3. 가격입찰서(전자입찰) 5 III. 제안서 작성 방법 1. 작성 지침 6 2. 제안서의 효력 및 유의사항 7 IV. 기타 유의사항 기타 유의사항 8 [참고자료] (붙임 1) 제안서 작성요령 및 서식 (붙임 2) 제안서 평가항목 및 기준 [별표 1] 신용평가등급에 의한 경영상태 평가

■ ■ 목 차 ■ ■

I. 개요

제작 목적 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 목적으로 함 본 입찰을 통해 확보되는 공정 완료 웨이퍼는 고전압 SiC 전력반도체 시제품 개발 및 후속 연구개발을 위한 기초자료로 활용하고자 함. 제작 내용 1) 건 명: 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 2) 납품기한: 계약일로부터 40일 이내 3) 예 산: 금 오천오백만원 (금55,000,000원) *부가세 포함 제작 조건 가. 수행범위 수행업체는 발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하여야 함. 수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함. 나. 물품의 특성 및 품질 관리 수행업체는 발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하여야 함. 반도체 일괄공정 서비스의 특성상 공정 진행 중 웨이퍼의 외부 반출이 어려우므로, 계약상대자는 전체 공정에 대한 통합관리 체계를 구축하고 공정 진행, 웨이퍼 이송, 품질관리 및 일정관리를 총괄하여야 함. 일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 전체 공정의 품질, 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임은 계약상대자에게 있음. 수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함. 공정 진행 중 주요 공정 조건 또는 공정 순서의 변경이 필요한 경우, 수행업체는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 함.

본 물품은 연구용 SiC 전력반도체 소자 제작을 목적으로 하며, 설계도면 및 런시트에 명시된 소자 구조와 공정 조건을 구현할 수 있는 수준의 공정 정밀도와 재현성을 확보하여야 함. 나. 세부조건 1) 최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용 2) SiC 전력반도체 공정용 희생산화막 형성 공정 포함, 희생산화막 두께 범위: 10 nm 이상 40 nm 이하 3) 필드산화막 두께 범위: 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하 4) 500 keV 이상의 고에너지, 500 ℃ 이상의 고온 이온주입 5) 이온주입 도펀트 활성화를 위한 1,700 ℃ 수준의 초고온 열처리 공정 수행 6) 전면 전극 형성을 위한 금속막 공정 및 후속 열처리 공정 수행 7) 후면 전극 형성을 위한 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정 수행 8) P-type poly-Si 증착 공정 수행 다. 공정 관리 및 자료 제출 1) 수행업체는 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함. 2) 공정 수행 중 주요 공정 조건 변경이 필요한 경우에는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 함.

참가자격

3) 수행업체는 공정 진행 중 주요 단계별 진행 현황 (WIP Status)을 발주기관에 공유하여야 함. 4) WIP Status에는 공정 진행 단계, 일정 변경 사항 및 공정 Hold 발생 시 사유 등이 포함되어야 함. 5) 제작 완료 후 공정 완료 웨이퍼 및 공정 완료 확인 자료를 제출하여야 함. 6) 하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용함. 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정함.

II. 입찰 및 제안서 평가 방법

입찰 및 낙찰자 결정 방식 입찰방식 : 규격·가격 동시 입찰 낙찰자 결정방식 : 규격적격자 중 예정가격 이내 최저가격 입찰자 선정 참가 자격 세부조건은 입찰공고문에 따름. 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률」및 같은 법 시행령·시행규칙에서 정한 결격사유가 없어야 함. ※ 부정당업체로 입찰참가 자격 제한을 받고 있지 않은 업체 3) 입찰에 참가하고자 하는 업체는 다음과 같은 참가 자격을 모두 갖추어야 함. 입찰등록 마감일 기준 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제12조 (경쟁입찰이 참가자격)에서 정한 자격을 갖춘 업체 및 동법 시행규칙 제13조 (입찰 참가자격 사전심사)에 따른 입찰 참가자격을 갖춘 업체 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제21조 및 동법 시행령 제76조의 규정에 의거 입찰 참가자격 제한을 받지 않는 업체 「국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정」에 의하여 국가종합전자 조달시스템 (나라장터)에 입찰 참가자격 등록 마감일 전까지 G2B물품분류번호: 3213100201(반도체용칩) 로 입찰참가 등록한 업체

배점·평가

4) 품질보증 및 유지보수 관리를 위하여 공동계약 및 공동수급 불허 제안 조건 1) 입찰업체는 입찰공고 제안요청서에 명시된 모든 항목에 대하여 제안하고자 하는 내용을 상세하게 기술하고 발주처가 원하는 서류를 제출해야 함. 2) 입찰업체는 입찰 전에 입찰과 관련된 모든 사항을 완전히 숙지하고, 관련 자료를 충분히 검토 후 작성·제출하여야 하며, 불이행으로 발생되는 모든 책임은 입찰 업체에 있음. 또한 제안서 제출 후 추가 제출되는 자료는 인정하지 않는 것을 원칙으로 함. 3) 제시된 규격과 동등하거나 그 이상으로 제안하여야 함. 4) 제안과 관련된 제출 자료 일체는 반환하지 않으며, 본 제안과 관련된 일체의 소요 비용은 제안 업체가 부담함. 5) 제안서의 모든 기재사항은 객관적으로 입증할 수 있는 관계 서류를 첨부해야 하고, 허위 작성한 사실이 판명되는 경우 평가 대상에서 제외되며, 계약 후에도 계약해지와 함께 인적·물적·기간적 손실에 대한 손해배상을 청구할 수 있음. 6) 제출된 제안서의 내용은 수정, 삭제 또는 대체될 수 없음. 7) 제안 업체는 동 사업과 관련하여 취급 또는 습득한 정보에 대하여 과업 수행 기간은 물론 그 이후라도 정보 유출 등에 관한 보안 사항을 준수하여야 하며, 보안사고에 대한 민·형사상의 모든 책임을 짐. 제안서 평가 평가 일시 및 방법 ▪ 일시 : 제안서 접수 후 1주일 이내 (예정) ▪ 발표평가 없이 제안서 서면평가로 진행 평가위원회 구성 ▪ 구성 : 제출된 제안서를 평가할 평가위원회는 해당 분야 전문가 8인 이상으로 구성하며, 평가위원회 활동과 관련된 제반 사항은 비공개를 원칙으로 함. 평가 기준 및 세부 방법 ▪ 제안서 평가는 평가항목 및 배점을 바탕으로 총점 100점 기준으로 각 평가항목에 대해 진행하며, 각 평가위원이 부여한 점수 중 최고점수 1개와 최저점수 1개를 제외한 나머지 평가위원들의 점수를 산술평균한 점수(소수점 다섯째 자리에서 반올림)를 제안 업체의 종합평점으로 함. ▪ 제안서 평가는 심사 평가표 기준에 따라 일반부문(정량평가) 10%, 기술부문(정성평가) 60%, 관리부문(정성평가) 30%의 비율을 기준으로 실시하여 적격 여부를 판단함. 이때 기술부문에서는 ‘공고 규격 또는 기술과의 적합성’을, 관리부문에서는 ‘품질보증계획의 적정성’을 평가항목에 포함하여 평가함.

※ 평가항목 및 배점기준은 [붙임 2] 참고 ▪ 제안서 제출 업체는 평가위원회의 결과에 대해 이의를 제기할 수 없음. 적격 업체 선정 방법 ▪ 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률」 제18조 (2단계경쟁 등의 입찰)의 규정에 의한 규격·가격 동시 입찰로서 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시하며, 예정가격 이하의 유효한 입찰업체 중 최저가격 입찰업체를 적격업체로 결정함. 제안서 제출기간 및 방법 제출기간 : 입찰공고문 참조 제출방법 : 온라인 제출 제출서류 제안서(정량, 정성) 1식 사업자등록증사본 1부 기업신용평가등급 확인서 1부 그 외 제안요청서에서 요청한 별첨 증빙자료 각 1부 그 외 제출서류는 입찰공고 참고 가격입찰서(전자입찰) : 규격‧가격 동시 입찰 가격입찰 장소 : 국가종합전자조달시스템(나라장터) 전자입찰서 접수개시 : 입찰공고문 참조 전자입찰서 마감일시 : 입찰공고문 참조

III. 제안서 작성 방법

작성 지침 제안자는 제안요청서 및 요구사양서 내용을 충분히 숙지하고 이를 준수하여야 함. 제안서 내용은 한글, 아라비아숫자 및 미터법으로 표기함 다만, 필요시 한글과 영문 표기를 병행할 수 있음. 제안서와 제출서류는 지정된 서식에 따라 작성해야 함. 제안자는 제안서에 명확한 용어를 사용해야 하며, ‘~를 제공할 수도 있다’, ‘~이 가능하다’, ‘~을 고려하고 있다’ 등과 같이 모호한 표현은 제안서 평가 시 불가능한 것으로 평가함. 제안자는 관련 법규에 적합하게 설계 및 시공될 수 있도록 제안해야 함. 제안내용은 저작권법 등 관련 법규에 저촉되지 않아야 함. 공고내용에 포함되지 않은 사항은 제안요청서에 따르며 그 외에 명시되지 않은 사항은 발주처의 결정에 따라야 함. 본 사업의 수행에 필요한 모든 비용은 부가세를 포함하여 가격 입찰금액에 포함시켜야 함. 하자보수 및 문제점 발생 시 해결을 위한 효율적인 지원체계를 제시해야 함. (무상 하자보수기간, 지원범위, 무상 예외대상의 경우 비용 부담조건 등 명시) 제안업체는 기기별 운전 정비 및 관리에 필요한 사람에 대하여 기간, 인원 등이 명시된 교육훈련 계획서를 제출하여야 하며 계약자 부담으로 교육훈련을 시행하여야 함. 기타 A4규격, 각종 증명서 첨부 발주처에서 필요 시 입찰참가자 대하여 추가 제안이나 자료를 요청할 수 있으며, 추가로 제출된 자료는 기 제출된 제안서에 포함된 것으로 봄. 제안서의 효력 및 유의사항 계약의 이행과정에서 발생하는 산출물은 계약서에 별도의 명시가 없더라도 발주처가 소유권을 가짐.

과업·요구

A. 특 징 ; ■ (용도) 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 ■ (제작 대상) 본 입찰은 발주기관이 제공하는 웨이퍼 10매를 대상으로 1.2 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 건이다. 최종 산출물은 반도체 공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼로 한다. ■ (수행 범위) Photo 공정, Etch 공정, Diffusion/Implantation 공정, CVD/PVD 공정 및 후공정 등 SiC 전력반도체 시제품 제작에 필요한 일련의 반도체 공정을 수행한다. ■ (물품의 특성 및 품질 관리) - 본 물품은 1.2 kV급 SiC 전력반도체 제작을 위한 공정 완료 웨이퍼로서, 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트에 따라 제작되어야 한다. - 반도체 일괄공정 서비스의 특성상 공정 진행 중 웨이퍼의 외부 반출이 어려우므로, 계약상대자는 전체 공정에 대한 통합관리 체계를 구축하고 공정 진행, 웨이퍼 이송, 품질관리 및 일정관리를 총괄하여야 한다. 일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 전체 공정의 품질, 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임은 계약상대자에게 있다. - 수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 한다. - 공정 진행 중 주요 공정 조건 또는 공정 순서의 변경이 필요한 경우, 수행업체는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 한다. - 본 물품은 연구용 SiC 전력반도체 소자 제작을 목적으로 하며, 설계도면 및 런시트에 명시된 소자 구조와 공정 조건을 구현할 수 있는 수준의 공정 정밀도와 재현성을 확보하여야 한다. ■ (최종 산출물) 공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 10매 및 공정 수행 결과 확인 자료를 납품하여야 한다. B. 규 격 ;

1. 주요 산출물 - 1.2 kV급 SiC 전력반도체 공정 완료 웨이퍼 10매 - 공정 진행 결과 데이터 및 확인 자료 2. 제작 사양 ■ 웨이퍼 사양 본 공정은 직경 150 mm(6인치) 크기의 탄화규소(SiC) 에피 웨이퍼를 대상으로 하며, 기판과 에피층을 포함한 웨이퍼의 총 두께는 약 350 μm임. ■ 웨이퍼 수량 10매 ■ 세부 조건 - 최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용 - SiC 전력반도체 공정용 희생산화막 형성 공정 포함, 희생산화막 두께 범위: 10 nm 이상 40 nm 이하 - 필드산화막 두께 범위: 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하 - 500 keV 이상의 고에너지, 500 ℃ 이상의 고온 이온주입 - 이온주입 도펀트 활성화를 위한 1,700 ℃ 수준의 초고온 열처리 공정 수행 - 전면 전극 형성을 위한 금속막 공정 및 후속 열처리 공정 수행 - 후면 전극 형성을 위한 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정 수행 - P-type poly-Si 증착 공정 수행 C. 참 고 ; 납품기한: 계약 후 40일 이내 납품장소: 부산대학교 생물관 206호 === 2026-2-60) 자격확대_입찰공고문(물품,공급,일반)_1.2kV급 SiC 전력반도체.hwp === 내자 물품 구매 입찰 공고(자격확대) 부산대학교 산학협력단 공고 2026-2-60호 다음과 같이 입찰에 부치고자 공고합니다.