반도체공동연구소 6.5kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 구매(자격확대)-재공고

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공고 개요

재공고 · 유찰 · 부산대학교 산학협력단 · 반도체·박막 공정장비

결과

유찰

참가

0곳 · 개찰 09/30(수)

요약 AI 요약

발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼 10매를 대상으로 6.5 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 사업이다. 공정이 완료된 웨이퍼는 고전압 SiC 전력반도체 시제품 개발 및 후속 연구개발의 기초자료로 활용한다.

• 6.5 kV급 SiC 전력반도체 공정 완료 웨이퍼 10매 제작
• 최소선폭 0.8 μm 이하 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정
• 희생산화막 형성 공정(두께 10 nm 이상 40 nm 이하) 및 필드산화막 형성(두께 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하)
• 500 keV 이상 고에너지, 500 ℃ 이상 고온 이온주입 및 1,700 ℃ 수준 초고온 열처리(도펀트 활성화)
• 전면 전극용 금속막 공정 및 후속 열처리, 후면 전극용 금속막·backside grinding·backside laser annealing 등 후면 공정
• 공정 진행 결과 데이터 및 확인 자료 제출

사업 내용 · 이 공고에 든 일

중심 · 6.5kV급 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 제작

물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비

발주기관이 제공하는 150mm SiC 에피 웨이퍼 10매에 포토·식각·이온주입·증착·열처리·후면공정 등 반도체 일괄공정을 수행해 공정 완료 웨이퍼를 납품하는 것이 사업의 몸통이다.

• 공정 런시트·세부 진행 조건 확인 및 사전 협의
• 주요 단계별 WIP Status 공유
• 일부 공정 외주 시에도 전체 공정 품질·납기·웨이퍼 관리 총괄
• 공정 완료 확인 자료 제출
• 검수 완료일로부터 1년 하자보증 및 하자 발생 시 원인분석·재작업 협의

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시

참가 자격 · 제한

업종제한

제한 없음

지역제한

제한 없음

공동수급

공동수급불허

입찰참가 제한

모름

실적경쟁 · PQ

모름

국제입찰

국내입찰

제출 방법

전자입찰

입찰 일정

가격

추정가격

70,000,000원

배정예산

77,000,000원

기초금액

77,000,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)

부가세

7,000,000원

예정가격 방식

복수예가

납품

품명

반도체용칩 (3213100201)

수량

1 식

납품

계약 후 60일

인도조건

설치까지 · 현장설치도

제조물품

아니오

세부품명 등록

등록 필요

공고 정보

공고종류

재공고 (재입찰공고)

게시일

09/18(금)

공고번호

R26BK01736757-000

참조번호

행정지원부-10679

공고기관

부산대학교 산학협력단

수요기관

부산대학교 산학협력단

계약방법

일반경쟁

낙찰방법

규격가격동시입찰

계약유형

총액계약

예정가격 방식

복수예가

추정가격

70,000,000원

배정예산

77,000,000원

사전규격번호

R26BD00248759

재공고

재공고

출처

나라장터

문서 발췌

과업·요구

6.5 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작

I. 개요 1. 제작 목적 1 2. 제작 내용 1 3. 제작 조건 1 II. 입찰 및 제안서 평가 방법 1. 입찰 및 낙찰자 결정 방식 3 2. 제안서 제출기간 및 방법 5 3. 가격입찰서(전자입찰) 5 III. 제안서 작성 방법 1. 작성 지침 6 2. 제안서의 효력 및 유의사항 7 IV. 기타 유의사항 기타 유의사항 8 [참고자료] (붙임 1) 제안서 작성요령 및 서식 (붙임 2) 제안서 평가항목 및 기준 [별표 1] 신용평가등급에 의한 경영상태 평가

■ ■ 목 차 ■ ■

I. 개요

제작 목적 6.5 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 목적으로 함 본 입찰을 통해 확보되는 공정 완료 웨이퍼는 고전압 SiC 전력반도체 시제품 개발 및 후속 연구개발을 위한 기초자료로 활용하고자 함. 제작 내용 1) 건 명: 6.5 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 2) 납품기한: 계약일로부터 60일 이내 3) 예 산: 금 칠천칠백만원 (금77,000,000원) *부가세 포함 제작 조건 가. 수행범위 수행업체는 발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 6.5 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하여야 함. 수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함. 나. 물품의 특성 및 품질 관리 수행업체는 발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 6.5 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하여야 함. 반도체 일괄공정 서비스의 특성상 공정 진행 중 웨이퍼의 외부 반출이 어려우므로, 계약상대자는 전체 공정에 대한 통합관리 체계를 구축하고 공정 진행, 웨이퍼 이송, 품질관리 및 일정관리를 총괄하여야 함. 일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 계약상대자가 전체 공정의 품질과 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임을 부담하여야 함. 수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 갖추어야 한다. 공정 진행 중 주요 공정 조건 또는 공정 순서의 변경이 필요한 경우, 수행업체는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 한다.

본 물품은 연구용 SiC 전력반도체 소자 제작을 목적으로 하며, 설계도면 및 런시트에 명시된 소자 구조와 공정 조건을 구현할 수 있는 수준의 공정 정밀도와 재현성을 확보하여야 한다. 나. 세부조건 1) 최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용 2) SiC 전력반도체 공정용 희생산화막 형성 공정 포함, 희생산화막 두께 범위: 10 nm 이상 40 nm 이하 3) 필드산화막 두께 범위: 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하 4) 500 keV 이상의 고에너지, 500 ℃ 이상의 고온 이온주입 5) 이온주입 도펀트 활성화를 위한 1,700 ℃ 수준의 초고온 열처리 공정 수행 6) 전면 전극 형성을 위한 금속막 공정 및 후속 열처리 공정 수행 7) 후면 전극 형성을 위한 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정 수행 다. 공정 관리 및 자료 제출 1) 수행업체는 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함. 2) 공정 수행 중 주요 공정 조건 변경이 필요한 경우에는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 함.

참가자격

3) 수행업체는 공정 진행 중 주요 단계별 진행 현황 (WIP Status)을 발주기관에 공유하여야 함. 4) WIP Status에는 공정 진행 단계, 일정 변경 사항 및 공정 Hold 발생 시 사유 등이 포함되어야 함. 5) 제작 완료 후 공정 완료 웨이퍼 및 공정 완료 확인 자료를 제출하여야 함. 6) 하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용함. 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정함.

II. 입찰 및 제안서 평가 방법

입찰 및 낙찰자 결정 방식 입찰방식 : 규격·가격 동시 입찰 낙찰자 결정방식 : 규격적격자 중 예정가격 이내 최저가격 입찰자 선정 참가 자격 세부조건은 입찰공고문에 따름. 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률」및 같은 법 시행령·시행규칙에서 정한 결격사유가 없어야 함. ※ 부정당업체로 입찰참가 자격 제한을 받고 있지 않은 업체 3) 입찰에 참가하고자 하는 업체는 다음과 같은 참가 자격을 모두 갖추어야 함. 입찰등록 마감일 기준 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제12조 (경쟁입찰이 참가자격)에서 정한 자격을 갖춘 업체 및 동법 시행규칙 제13조 (입찰 참가자격 사전심사)에 따른 입찰 참가자격을 갖춘 업체 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제21조 및 동법 시행령 제76조의 규정에 의거 입찰 참가자격 제한을 받지 않는 업체 「국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정」에 의하여 국가종합전자 조달시스템 (나라장터)에 입찰 참가자격 등록 마감일 전까지 G2B물품분류번호: 3213100201(반도체용칩) 로 입찰참가 등록한 업체

배점·평가

※ 평가항목 및 배점기준은 [붙임 2] 참고 ▪ 제안서 제출 업체는 평가위원회의 결과에 대해 이의를 제기할 수 없음. 적격 업체 선정 방법 ▪ 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률」 제18조 (2단계경쟁 등의 입찰)의 규정에 의한 규격·가격 동시 입찰로서 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시하며, 예정가격 이하의 유효한 입찰업체 중 최저가격 입찰업체를 적격업체로 결정 제안서 제출기간 및 방법 제출기간 : 입찰공고문 참조 제출방법 : 온라인 제출 제출서류 제안서(정량, 정성) 1식 사업자등록증사본 1부 기업신용평가등급 확인서 1부 그 외 제안요청서에서 요청한 별첨 증빙자료 각 1부 그 외 제출서류는 입찰공고 참고 가격입찰서(전자입찰) : 규격‧가격 동시 입찰 가격입찰 장소 : 국가종합전자조달시스템(나라장터) 전자입찰서 접수개시 : 입찰공고문 참조 전자입찰서 마감일시 : 입찰공고문 참조

III. 제안서 작성 방법

작성 지침 제안자는 제안요청서 및 요구사양서 내용을 충분히 숙지하고 이를 준수하여야 함. 제안서 내용은 한글, 아라비아숫자 및 미터법으로 표기함 다만, 필요시 한글과 영문 표기를 병행할 수 있음. 제안서와 제출서류는 지정된 서식에 따라 작성해야 함. 제안자는 제안서에 명확한 용어를 사용해야 하며, ‘~를 제공할 수도 있다’, ‘~이 가능하다’, ‘~을 고려하고 있다’ 등과 같이 모호한 표현은 제안서 평가 시 불가능한 것으로 평가함. 제안자는 관련 법규에 적합하게 설계 및 시공될 수 있도록 제안해야 함. 제안내용은 저작권법 등 관련 법규에 저촉되지 않아야 함. 공고내용에 포함되지 않은 사항은 제안요청서에 따르며 그 외에 명시되지 않은 사항은 발주처의 결정에 따라야 함. 본 사업의 수행에 필요한 모든 비용은 부가세를 포함하여 가격 입찰금액에 포함시켜야 함. 하자보수 및 문제점 발생 시 해결을 위한 효율적인 지원체계를 제시해야 함. (무상 하자보수기간, 지원범위, 무상 예외대상의 경우 비용 부담조건 등 명시) 제안업체는 기기별 운전 정비 및 관리에 필요한 사람에 대하여 기간, 인원 등이 명시된 교육훈련 계획서를 제출하여야 하며 계약자 부담으로 교육훈련을 시행하여야 함. 기타 A4규격, 각종 증명서 첨부 발주처에서 필요 시 입찰참가자 대하여 추가 제안이나 자료를 요청할 수 있으며, 추가로 제출된 자료는 기 제출된 제안서에 포함된 것으로 봄. 제안서의 효력 및 유의사항 계약의 이행과정에서 발생하는 산출물은 계약서에 별도의 명시가 없더라도 발주처가 소유권을 가짐.

과업·요구

A. 특 징 ; ■ (용도) 6.5 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 ■ (제작 대상) 본 입찰은 발주기관이 제공하는 웨이퍼 10매를 대상으로 6.5 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 건임. 최종 산출물은 반도체 공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼로 한다. ■ (수행 범위) Photo 공정, Etch 공정, Diffusion/Implantation 공정, CVD/PVD 공정 및 후공정 등 SiC 전력반도체 시제품 제작에 필요한 일련의 반도체 공정을 수행한다. ■ (물품의 특성 및 품질 관리) - 본 물품은 6.5 kV급 SiC 전력반도체 제작을 위한 공정 완료 웨이퍼로서, 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트에 따라 제작되어야 한다. - 반도체 일괄공정 서비스의 특성상 공정 진행 중 웨이퍼의 외부 반출이 어려우므로, 계약상대자는 전체 공정에 대한 통합관리 체계를 구축하고 공정 진행, 웨이퍼 이송, 품질관리 및 일정관리를 총괄하여야 함. 일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 계약상대자가 전체 공정의 품질과 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임을 부담하여야 함. - 수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 갖추어야 한다. - 공정 진행 중 주요 공정 조건 또는 공정 순서의 변경이 필요한 경우, 수행업체는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 한다. - 본 물품은 연구용 SiC 전력반도체 소자 제작을 목적으로 하며, 설계도면 및 런시트에 명시된 소자 구조와 공정 조건을 구현할 수 있는 수준의 공정 정밀도와 재현성을 확보하여야 한다. ■ (최종 산출물) 공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 10매 및 공정 수행 결과 확인 자료를 납품하여야 한다. B. 규 격 ;

1. 주요 산출물 - 6.5 kV급 SiC 전력반도체 공정 완료 웨이퍼 10매 - 공정 진행 결과 데이터 및 확인 자료 2. 제작 사양 ■ 웨이퍼 사양 본 공정은 직경 150 mm(6인치) 크기의 탄화규소(SiC) 에피 웨이퍼를 대상으로 하며, 기판과 에피층을 포함한 웨이퍼의 총 두께는 약 420 μm임. ■ 웨이퍼 수량 10매 ■ 세부 조건 - 최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용 - SiC 전력반도체 공정용 희생산화막 형성 공정 포함, 희생산화막 두께 범위: 10 nm 이상 40 nm 이하 - 필드산화막 두께 범위: 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하 - 500 keV 이상의 고에너지, 500 ℃ 이상의 고온 이온주입 - 이온주입 도펀트 활성화를 위한 1,700 ℃ 수준의 초고온 열처리 공정 수행 - 전면 전극 형성을 위한 금속막 공정 및 후속 열처리 공정 수행 - 후면 전극 형성을 위한 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정 수행 C. 참 고 ; 납품기한: 계약 후 60일 이내 납품장소: 부산대학교 생물관 206호 === 입찰공고문(6.5kV급 SiC 전력반도체)_자격확대 공고-일반(재공고).hwp === 내자 물품 구매 입찰 공고(자격확대,재공고) 부산대학교 산학협력단 공고 2026-1-52호 다음과 같이 입찰에 부치고자 공고합니다. 2026. 9. 부산대학교 산학협력단 계약관