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SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역
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진행 중
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끝난 공고 · 결과
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첨부파일
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공고 개요
재공고 · 유찰 · 한국전기연구원 · 과학·기술 연구
- 결과
- 유찰
- 참가
- 0곳 · 개찰 09/29(화)
요약 AI 요약
SiC CMOS 소자 제작을 위한 단위공정을 진행하고, 공정 조건 최적화 및 기술지원을 통해 공정 재현성과 신뢰성을 높이는 연구개발 용역이다.
- Align Key 형성
- Ion implantation 공정을 위한 mask 증착 및 식각
- 전기적 활성화를 위한 고온 열처리
- 희생 산화막 및 필드옥사이드 형성
- Source/Drain Ohmic Contact 형성 및 Annealing
- Interlayer Dielectric 형성, Contact Hole 형성, Metal Deposition, Backside 공정
사업 내용 · 이 공고에 든 일
중심 · SiC CMOS 소자 단위공정 진행 및 최적화
용역 › 학술·정책연구 › 과학·기술 연구
SiC CMOS 소자 제작을 위한 단위공정 개발·최적화·기술지원을 수행하는 이공계 위탁연구 용역이다.
- Align Key 형성
- Ion implantation용 mask 증착·식각
- 고온 열처리(활성화)
- 희생 산화막·필드옥사이드 형성
- Source/Drain Ohmic Contact 형성 및 어닐링
- Interlayer Dielectric·Contact Hole 형성
- Metal Deposition
- Backside 공정
- 기타 SiC Lateral MOSFET 제작 공정
- 후속 공정 조건 최적화
- 공정 기술 지원 및 기술 자문
- 공정 결과 분석 및 개선 방안 도출
- 공정 수행 결과 자료·최적화 결과·최종보고서 제출
평가 · 배점
협상 대상 기준 · 기술심사평가를 통해 평가점수가 85점 이상인 적격 업체에 한해 가격 입찰서의 개찰 진행한다.
| 평가 항목 | 배점 |
|---|---|
| 납품실적(해당 사양 이상의 실적 포함) | 10점 |
| 재무구조 및 경영상태 | 10점 |
| 공고 규격 또는 기술과의 적합성 | 20점 |
| 제어 연계 및 활용 이해도 | 20점 |
| 품질 보증 계획의 적정성 | 20점 |
| 납품시스템의 신뢰성 및 내구성 | 10점 |
| 운용 및 유지보수의 적합성 | 10점 |
| 합계(항목을 더한 값) | 100점 |
참가 자격 · 제한
- 업종제한
- 제한 없음
- 지역제한
- 제한 없음
- 공동수급
- 공동수급불허
- 입찰참가 제한
- 없음
- 실적경쟁 · PQ
- 해당 없음
- 국제입찰
- 국내입찰
- 제출 방법
- 전자입찰
입찰 일정
| 진행 | 일시 | 남은 날 |
|---|---|---|
| 공고 게시 | 09/21(월) | 지남 |
| 입찰서 제출 시작 | 09/21(월) 17:30 | 지남 |
| 입찰참가자격 등록 마감 | 09/28(월) 18:00 | 지남 |
| 입찰서 제출 마감 | 09/29(화) 11:00 | 지남 |
| 개찰 | 09/29(화) 12:00 | 지남 |
가격
- 추정가격
- 36,360,000원
- 배정예산
- 39,996,000원
- 예정가격 방식
- 단일예가
공고 정보
- 공고종류
- 재공고 (재입찰공고)
- 게시일
- 09/21(월)
- 공고번호
- R26BK01739966-000
- 참조번호
- RD2026080199
- 공고기관
- 한국전기연구원
- 수요기관
- 한국전기연구원
- 계약방법
- 일반경쟁
- 낙찰방법
- 규격가격동시입찰
- 계약유형
- 총액계약
- 예정가격 방식
- 단일예가
- 추정가격
- 36,360,000원
- 배정예산
- 39,996,000원
- 공공조달분류
- 연구조사서비스 › 학술연구서비스 › 기타연구조사서비스
- 사전규격번호
- R26BD00270960
- 재공고
- 재공고
- 출처
- 나라장터
문서 발췌
배점·평가
| 구분 | 평가항목 | 배점 | 점수 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 평가항목 | 배점 | 매우우수 | 우수 | 보통 | 미흡 | 매우미흡 | 평가 | ||||
| 정량 평가 | 기업역량 평가 및 전문성 (20) | 납품실적 (해당 사양 이상의 실적 포함) | 10 | 10 | 9 | 8 | 7 | ||||
| 재무구조 및 경영상태 | 9.5 | 9 | |||||||||
| 정성 평가 | 규격평가서 만족도 (60) | 공고 규격 또는 기술과의 적합성 | 20 | 20 | 18 | 16 | 14 | 12 | |||
| 제어 연계 및 활용 이해도 | |||||||||||
| 품질 보증 계획의 적정성 | |||||||||||
| 유지보수 (20) | 납품시스템의 신뢰성 및 내구성 | 10 | 10 | 9 | 8 | 7 | 6 | ||||
| 운용 및 유지보수의 적합성 | |||||||||||
| 합계 | 100 | 합계점수 : |
=== (2차 공고문) SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역.pdf ===
전자입찰공고(2차)
1. 입찰내용 가.입 찰 명:SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역 나.구매규격:구매시방서 참조(별첨) 다.납품기한:계약일로부터 2026.12.11.이내 라.예비가격기초금액(사업금액):39,996,000원(부가가치세 포함) 마. 납품장소: 한국전기연구원 창원본원 지정장소 바. 공동수급, 하도급: 불허 ※ 기초금액은 이윤이 포함된 금액이므로 입찰자가 비영리법인인 경우 입찰금액은 반드시 이윤을 포 함하여 투찰하여야 하며, 입찰결과 낙찰자가 비영리법인이 포함되어 있을 경우 법인설립목적을 감안 하여 이윤은 설계 시 적용된 비율만큼 차감한 금액을 계약금액으로 합니다. ※ 입찰 전 제안요청서를 반드시 숙지하십시오. 제안요청서 미확인에 따른 피해는 업체에 있습니다. 2. 현장설명회 가. 당원 계약업무요령 제27조의3 제1항 규정에 의거 구매설명은 생략합니다. 나. 별첨 구매의 사양서 등을 참고하시기 바랍니다. 3. 입찰참가자격 ● 본 제안 사업의 수행이 가능한 업체로서 다음 요건을 모두 갖춘 사업자이어야 하 며 입찰에 참가함으로써 입찰자 선정방식에 이의가 없음을 확약한 것으로 간주 합니다. 가.본 입찰은 우리연구원에 입찰참가자격등록규정에 따라 입찰집행일 전일까지 조 달청 나라장터 시스템 이용약관에 동의하고,이용자 등록을 완료하여야 하며 선 정방식에 이의가 없음을 확약한 업체이어야 합니다. 나.연구원 계약업무요령 제23조(국가계약법 시행령 제12조 및 동법 시행규칙 제14 조에 해당)에 의한 요건을 갖춘 자 이어야 합니다. -「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률」제27조의5및 같은 법 시행령 제12조 제3항 에 따라 ‘조세포탈 등을 한 자’로서 유죄판결이 확정된 날부터 2년이 지나지 아니한 자는 입찰에 참여할 수 없습니다.입찰자는 같은 법 시행령 제12조 제3항 각 호에 해 당하지 아니한다는 서약서를 입찰 시 제출하여야 합니다.만일 서약내용이 허위로 판 명될 경우 계약의 해제·해지를 당할 수 있고,부정당업자 입찰참가자격제한처분을 받 을 수 있습니다.다만,나라장터시스템을 이용하여 제출하는 경우에는 전자입찰서 제 출로 서약서 제출을 갈음합니다.
과업·요구
※ 세부 공정은 협의를 통해 변경 또는 추가될 수 있다. 4. 수행방법 - 용역기관은 제작공정을 수행하며 공정 조건 최적화 및 공정 기술 개발을 수행한다. - 공정 수행 과정에서 발생하는 기술적 이슈에 대하여 양 기관이 기술회의를 통해 협의하고 공정 개선 방안을 도출한다. - 공정 완료 후 공정 결과를 분석하고 최종 연구 결과를 정리한다. 5. 산출물 - 공정 수행 결과 자료 - 공정 최적화 결과 - 최종보고서 1부 6. 수행기간 용역 계약일 ~ 2026. 12. 11 7. 특기사항 - 연구 수행 과정에서 공정 조건 및 세부 공정은 협의를 거쳐 변경 또는 보완할 수 있다. - 연구 수행 과정에서 발생하는 기술적 사항은 양 기관이 상호 협의하여 해결하며, 필요한 경우 기술 회의를 개최한다.