입찰공고상세[물품] · 마감 · AI 페이지
300 mm 대구경 스퍼터
이 페이지는 공공일감(work.00data.kr)이 입찰공고 「300 mm 대구경 스퍼터 」을 AI가 읽기 좋게 한 장으로 정리한 글이다.
공고명 · 금액 · 일정은 공공데이터포털 · 조달청 입찰공고 정보 그대로이고, 요약 · 문서 분석 · 발췌는 공공일감이 공고문과 첨부를 읽고 만든 것이다.
이 가공물은 인용할 수 있으며, 인용할 때는 공공일감과 공고 페이지 링크(https://work.00data.kr/projects/R26BK01725938)를 출처로 밝히는 조건이다. 베타 기간 무료.
2026-10-13 16:33 KST 기준 · 최종 확인은 나라장터 원문을 따른다.
공고 정보: 공공데이터포털 · 조달청 입찰공고 정보 · 요약 · 분석: 공공일감이 공고문과 첨부를 읽고 정리
링크
비슷한 공고
링크는 각 공고의 AI 페이지다.
진행 중
- 다중원소 스퍼터 증착기 · 광주과학기술원 · 8,750만원 · D-2
- 화학기상반응을 이용한 원자층 증착 설비 · 울산과학기술원 · 8,636만원 · D-6
- 스퍼터링 시스템 1SE · 한국원자력연구원 · 1.3억원 · D-3
- 경사각 전자빔 증착기 구입 · 가천대학교 산학협력단 · 1.44억원 · D-1
- 절연체 공정용 RF 스퍼터링 듀얼 건 및 스테이지 세트 구입 · 가천대학교 산학협력단 · 4,900만원 · D-1
- 웨이퍼 습식 공정 시스템의 자동반송시스템 구매(재공고) · 대구경북과학기술원 · 4.29억원 · D-1
끝난 공고 · 결과
- 스퍼터_PA202601784 · 서울대학교산학협력단 · 유찰
- 첨단산업 인재양성 디스플레이 부트캠프 다목적 박막 증착용 스퍼터 시스템 구매입찰 · 한양대학교 에리카산학협력단 · 낙찰 -
- 직진성 강화 4인치 마그네트론 스퍼터링 시스템 구매 · 경북대학교 산학협력단 · 낙찰 이아이 · 7,750만원
- 다중원소 스퍼터 증착기 · 광주과학기술원 · 유찰
- 금속 스퍼터링 시스템 · 부경대학교 산학협력단 · 낙찰 -
- 멀티타겟 스퍼터링 증착기 구매_261048 · 한국과학기술원 · 유찰
첨부파일
뷰어 링크는 사람이 원문을 볼 때 쓰는 화면이다. 이 문서들에서 뽑은 자격 · 배점 · 일정 · 발췌는 이 페이지 아래에 글로 있다.
- 공고서(국가_연구개발물품_규격가격동시).hwpx · 공고규격서
- 공고서(국가_연구개발물품_규격가격동시).pdf · 공고규격서
- 제안요청서 등.Zip · 공고규격서
공고 개요
한국광기술원 · 반도체·박막 공정장비
- 추정가격
- 8.53억원
- 참가자격 등록 마감
- 09/29(화) 18:00 · 마감
- 낙찰방법
- 규격가격동시입찰
- 참가 자격
- 제한 없음
- 무슨 일
- 300mm 대구경 스퍼터 제조·납품·설치·시운전
요약 AI 요약
300mm(12인치) 웨이퍼에 금속전극·투명전극·절연막 등 고품질 박막을 증착하기 위한 대구경 스퍼터 장비 1식을 도입하는 사업이다. 화합물반도체 초미세공정 구현에 필요한 박막 형성에 사용한다.
- 공정 챔버 총 4개(Pre-clean 1, Sputter 3) 독립 모듈 구성, 진공 단절 없는 연속 공정 및 대기 노출 없는 웨이퍼 반송
- 300mm(12인치) 웨이퍼 표준 대응, 전용 Carrier로 Piece 및 2·4·6·8인치 웨이퍼 처리
- 로드락 챔버 내 Lamp 방식 Degas 히팅(최대 200℃) 및 증착 후 고진공 쿨링 모듈
- 2kW(13.56MHz) RF 고밀도 플라즈마 전처리(CCP)로 식각 균일도 ±10.0% 이하 구현
- 17인치 FFE 회전형 마그네트론 캐소드 3세트, DC 20kW·RF 3kW 복합 스퍼터링으로 두께 균일도 ±3.0% 이하 확보
- PC 기반 GUI 제어 소프트웨어(레시피 제어, 데이터 로깅, 인터락 관리) 및 전 공정 자동화 운전
사업 내용 · 이 공고에 든 일
중심 · 300mm 대구경 스퍼터 제조·납품·설치·시운전
물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비
300mm 웨이퍼용 스퍼터(진공증착) 장비로, 반도체·박막 공정장비에 해당한다.
- 장비 본체(로드락·이송·공정챔버·플라즈마소스·마그네트론 캐소드·진공로봇) 제작·공급
- 진공·가스 제어 시스템, 전원공급장치, 제어PC·GUI 소프트웨어 공급
- 예비품·소모품 공급
- 현장 반입·설치 및 유틸리티 훅업·전기연결
- 시운전 및 성능 검수(진공도·균일도·증착속도 등)
- 운영·유지보수 교육(3회 이상)
- 하자보증 1년
평가 · 배점
협상 대상 기준 · 평가위원들의 종합평점이 100점 만점에 85점 이상을 득한 업체를 규격입찰 적격업체로 선정하되, 적격자가 없는 경우 재공고 입찰에 부칠 수 있음
| 평가 항목 | 배점 |
|---|---|
| 신용평가등급 | 5점 |
| 납품실적(입찰공고일 기준 최근 3년간 완료 합산 납품실적 비율) | 15점 |
| 공고 규격 또는 기술과의 적합성(제안서 내용과 목적의 적합성, 장비 원리, 장비의 특징과 장점) | 15점 |
| 장비 구성의 효율성 및 적정성(장치 구성 효율성 검토, 장비 구성도, 장비 성능의 우수성) | 15점 |
| 예비품/소모품의 적정성(예비품 계획, 소모품 계획) | 10점 |
| 규격서 항목별 내용의 정확성 및 부합성(요청규격대비 동등 이상 적용 검토) | 10점 |
| 장비안전 및 부대설비(안전설비 및 장치 계획, 부대설비 계획) | 5점 |
| 기술교육계획(장비에 대한 기술교육 계획) | 5점 |
| 장비 설치 및 납품계획(장비 설계 및 납품 일정 및 계획, 장비 설치 계획) | 5점 |
| 품질보증 계획의 적정성(정기 점검 계획, 문제시 정비 지원 계획, 무·유상 유지보수기간 제시) | 5점 |
| 유지보수 인력 및 운영계획(전문 유지보수인력 현황, 연락처 관리 등 A/S 체계) | 5점 |
| 유지보수를 위한 부품 수급의 용이성(주요 부품 수급계획) | 5점 |
| 합계(항목을 더한 값) | 100점 |
참가 자격 · 제한
- 업종제한
- 제한 없음
- 지역제한
- 제한 없음
- 공동수급
- 공동수급불허
- 입찰참가 제한
- 모름
- 실적경쟁 · PQ
- 모름
- 국제입찰
- 국내입찰
- 제출 방법
- 전자입찰
입찰 일정
| 진행 | 일시 | 남은 날 |
|---|---|---|
| 공고 게시 | 09/14(월) | 지남 |
| 입찰서 제출 시작 | 09/28(월) 10:00 | 지남 |
| 입찰참가자격 등록 마감 | 09/29(화) 18:00 | 지남 |
| 입찰서 제출 마감 | 09/30(수) 10:00 | 지남 |
| 개찰 | 09/30(수) 11:00 | 지남 |
가격
- 추정가격
- 853,181,818원
- 배정예산
- 945,942,600원
- 기초금액
- 910,300,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)
- 부가세
- 85,318,182원
- 예정가격 방식
- 복수예가
납품
- 품명
- 진공증착기 (2399039801)
- 수량
- 1 식
- 납품
- 계약 후 120일
- 인도조건
- 설치까지 · 현장설치도
- 제조물품
- 아니오
- 세부품명 등록
- 등록 필요
공고 정보
- 공고종류
- 등록공고 (일반공고)
- 게시일
- 09/14(월)
- 공고번호
- R26BK01725938-000
- 참조번호
- -
- 공고기관
- 조달청 광주지방조달청
- 수요기관
- 한국광기술원
- 계약방법
- 일반경쟁
- 낙찰방법
- 규격가격동시입찰
- 계약유형
- 총액계약
- 예정가격 방식
- 복수예가
- 추정가격
- 853,181,818원
- 배정예산
- 945,942,600원
- 사전규격번호
- R26BD00272185
- 재공고
- 아니오
- 출처
- 나라장터
문서 발췌
배점·평가
| 평 가 항 목 | 배점 | 평가기준 | 평점 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 배점 | A | B | C | D | 평점 | ||
| 재무상태 (20) | ① 신용평가등급 [주1] | 5 | 5 | 4.75 | 4.5 | 3.5 | |
| ② 납품실적 [주2~4] - 해당 사업 규모 대비 입찰공고일 기준 최근 3년간 완료된 합산한 납품실적 비율 | 15 | 15 | 14 | 13 | 11 | ||
| 기술 · 지식능력 (50) | ① 공고 규격 또는 기술과의 적합성 - 제안서의 내용과 목적의 적합성 - 장비 원리 - 장비의 특징과 장점 | ||||||
| ② 장비 구성의 효율성 및 적정성 - 장치 구성에 대한 효율성 검토 - 장비 구성도 - 장비 성능의 우수성 | |||||||
| ③ 예비품/소모품의 적정성 - 예비품 계획 - 소모품 계획 | 10 | 10 | 9 | 8 | 7 | ||
| ④ 규격서 항목별 내용의 정확성 및 부합성 - 요청규격대비 동등 이상 적용 검토 | |||||||
| 사업수행계획 (15) | ① 장비안전 및 부대설비 - 장비에 관한 안전설비 및 장치 계획 - 장비에 관한 부대설비 계획 | 5 | 5 | 4.5 | 4.0 | 3.5 | |
| ② 기술교육계획 - 장비에 대한 기술교육 계획 | |||||||
| ③ 장비 설치 및 납품계획 - 장비 설계 및 납품 일정 및 계획 - 장비 설치 계획 | |||||||
| 기타필요사항 (15) | ① 품질보증 계획의 적정성 - 정기 점검 계획 - 문제시 정비 지원 계획 - 무·유상 유지보수기간 제시 | ||||||
| ② 유지보수 인력 및 운영계획 - 해당장비 전문 유지보수인력 현황 - 연락처 관리 등 A/S 체계 | |||||||
| ③ 유지보수를 위한 부품 수급의 용이성 - 주요 부품 수급계획 | |||||||
| 계 | 100 |
| 평 가 항 목 | 평가방법 | 배점 | 평 가 기 준 | 평점 | |
|---|---|---|---|---|---|
| ① 신용평가등급 [주1] | 정량적 평가 | 5 | [주1] 신용평가 등급표에 따름 | 5 4.75 4.5 3.5 | |
| ② 납품실적 [주2~4] 기준금액(부가세포함) 938,500,000원 | 해당 사업 규모 대비 입찰공고일 기준 최근 3년간 완료된 합산한 납품실적 비율 | 15 | A. 100% 이상 B. 70% 이상 ~ 100% 미만 C. 40% 이상 ~ 70% 미만 D. 40% 미만 | 15 14 13 11 | |
| 계 | 20 |
과업·요구
| 1. 품목번호 Item. No | |||
|---|---|---|---|
| 2. 품명 COMMODITY | 한글 : 300mm 대구경스퍼터 | ||
| 영문 : 300mm large-diameter sputter | |||
| 3. 수량 Q'ty | 1 | 4. 단위 Unit | EA |
| 5. 물품분류번호 | 2399039801 | 6. 납품일수 | 계약후 120일 |
| 7. 납품장소 | 한국광기술원 A3동 미세패턴개발실 | 8. 인도조건 | 현장설치도 |
| 9. 대금지급 | 검수완료후 100% | 10. 공동계약여부 | 불가 |
| ※ 아래 항목에 대하여 적정여부를 선택하여 주십시오. | |||
| 11. 규격검토 | 특정업체 및 특정규격 여부 : 필요, 불필요 | ||
| 12. 입찰참가 자격 | 별도의 자격이나 면허 필요 여부 : 필요, 불필요 | ||
| 13. 국내제작 가능여부 등 | 1. 국내 제작 가능 여부 : 가능, 불가능 2. 외국산의 경우 대리점 존재여부 : 존재, 미존재 3. 국내 재고 보유 여부 : 보유, 미보유, 미확인 | ||
| 구 분 | 상세명세 | ||
| 1.적용범위 | 본 상세규격서는 300mm(12인치) 웨이퍼의 박막 증착이 가능한 대구경 스퍼터 장비구매에 관한 것으로 제품도입, 현장설치, 시운전을 포함한 제반 세부사항에 대하여 본 규격서를 적용한다. | ||
| 2.일반사항 | 2.1 물품(장비)용도 본 장비는 최대 300mm(12인치) 대구경 웨이퍼에 박막을 증착할 수 있는 스퍼터 장비로, 화합물반도체 초미세공정 구현에 필요한 고품질 박막 형성에 사용된다. 주요 증착 대상은 Ti, Cu, Ni, Cr, Al, Au 등의 금속전극, ITO 투명전극, TiO₂ 및 ZnO 기반 DBR 박막, SiO₂및 Si₃N₄ 기반 패시베이션막과 보호막 등이다. 또한 다양한 금속 및 절연 소재의 박막을 안정적이고 균일하게 증착할 수 있도록 다음의 구성요소를 포함하여야 한다. 1) 공정챔버의 구성: 공정 구성은 총 4개(Pre-clean 1, Sputter 3)의 독립 모듈로 구성되어야 한다. 이는 개별 챔버 결합 방식(Cluster Type) 또는 단일 메인 챔버 내에 독립된 공정 환경을 제공하는 통합 방식(Integrated Single-Chamber Type) 모두를 허용한다. 단, 모든 공정(Pre-clean 및 Sputtering)은 진공 단절 없이 연속적으로 이루어져야 하며, 대기 노출 없는 웨이퍼 반송이 필수조건이어야 한다. 2) 대구경 기판 대응: 12인치(300mm) 웨이퍼를 기본으로 하며, 필요시 Piece부터 2, 4, 6, 8인치 웨이퍼까지 Carrier를 통해 로딩 및 공정 처리가 가능하여야 한다. 3) Degas 시스템: 로드락(Load-lock) 챔버 내에 Lamp type 히팅 모듈을구비하여, 증착 전 Wafer 또는 Carrier를 Max. 200℃까지 가열하여 표면의 불순물을 제거(Degas)하여야 한다. 4) 고밀도 플라즈마 전처리 (Pre-cleaning) 기능: 2kW(13.56MHz) RF 고밀도 플라즈마 소스를 사용하여 증착 전 기판 표면의 유기물 제거 및 산화막 에칭을 통한 최적의 계면 특성을 확보하여, 12인치 대면적 기판 위에서 ≤ ±10.0% 이하의 우수한 식각 균일도(Etching Uniformity)를 구현하여야 하며, 박막의 밀착력(Adhesion) 향상을 위한 표면 개질이 가능하여야 한다. 5) 고성능 박막 증착: Full Face Erosion(FFE) 회전 방식의 마그네트론 소스를 사용하여 12인치 대면적 기판 위에서 ≤ ±3.0% 이하의 우수한 두께 균일도(Uniformity)를 확보하여야 한다. 6) 복합 스퍼터링 전원 시스템: DC Power(20kW) 및 RF Power를 개별 또는 복합(DC+RF)으로 인가할 수 있어 금속, 비도전체, 산화물, 질화물 등 광범위한 소재의 스퍼터링이 가능하여야 한다. 7) Vacuum Robot: 4개의 독립 공정 Module 간에 웨이퍼를 이송하는 방법으로 Radial, Theta, Z 구동을 가지는 고진공용 Vacuum Robot을 사용해야 하며 Wafer 뿐만 아니라 중량 3kgf 의 Carrier를 이송할 수 있어야 한다. 8) Cooling 시스템: 로드락(Load-lock) 챔버 내에 증착 공정 완료 후 고온의 기판을 안전하게 반출하기 위한 고진공 쿨링 모듈을 포함하여야 하며, 냉각 과정에서 기판의 손상이나 깨짐이 발생하지 않도록 정밀한 냉각방식 및 압력 제어가 가능하여야 한다. 9) 고진공 및 자동화 시스템: 고진공 형성의 구성은 터보 펌프와 Super Trap을 포함한 고진공 펌핑 시스템을 갖추어야 하며, PC 기반의 GUI를 통해 레시피 제어 및 전 공정 자동화 운전이 가능하여야 한다. 2.2 공급의 범위 본 장비의 공급 범위는 300mm 대구경 스퍼터링 시스템 본체와 유지보수를 위한 예비 부품, 또한 설치 및 교육 서비스를 포함하며 세부 항목은 다음과 같다. 1) 주장비 (Main System) ○ Load-Lock Module - 300mm Wafer 대응 고진공 로드락 챔버 및 기판가열(Degas), 냉각(Cooling) 기능 ○ Transfer Module - 자동 웨이퍼 센터링 기능을 포함하는 로드락 to 공정 챔버 간 기판 이송을 위한 고진공 반송 로봇 및 센터링 모듈 ○ 공정 챔버 (Process Chamber) - 구성 : 총 4개(Pre-clean 1, Sputter 3)의 독립 모듈 - 구조적 특징 : 장비 점유 면적(Footprint) 최소화 및 공정 효율 극대화를 위해 단일 챔버 내 멀티 스테이션 통합 구조(Integrated Multi-Station)를 권장하며, 일반적인 클러스터 방식의 개별 챔버 구성도 가능함. - 스테이션 간 간섭 방지 : 각 스테이션은 인접 공정 구역과의 교차 오염을 방지할 수 있는 독립적 차폐 구조를 갖추어야 함. ○ Plasma Source - CCP 방식의 플라즈마 소스 및 리프팅(Lifting) 장치 ○ Sputtering Source - 17인치 대구경 FFE(Full Face Erosion) 마그네트론 캐소드 3세트, Heating/Cooling Pedestal 3세트 및 마그네트론 캐소드 리프팅(Lifting) 장치 ○ Vacuum Robot - 총 4개(Pre-clean 1, Sputter 3)의 독립 모듈에 Wafer 또는 Carrier를 이송하는 R, T, Z 축을 가진 고진공 기판 이송 Robot 2) 진공 및 가스 제어 시스템 (Vacuum & Gas Control) ○ Pumping System - 터보 분자 펌프(TMP), 드라이 펌프, 수분 제거용 Super Trap (-100℃~-200℃) 각 1식 ○ Gas Delivery - Ar, N2, O2 가스 라인 및 질량 유량 제어기(MFC), 자동 압력 조절 밸브(APC) 세트 3) 전원 공급 장치 (Power Supply System) ○ Pre-clean Power - 2kW RF Power Supply (13.56MHz) 및 3kW Auto Matcher ○ Deposition Power - 20kW DC Power Supply (메탈 타겟 증착용) - 3kW RF Power Supply (13.56MHz) 및 3kW Auto Matcher (비메탈 타겟 증착용) 4) 제어 시스템 및 소프트웨어 (Control System & S/W) ○ Control PC - 산업용 컴퓨터 및 모니터, Windows 기반 운영 체제 ○ Operation S/W - GUI제어 소프트웨어 (Auto Recipe, Data Logging, Interlock 관리 기능) 5) 부대 서비스 및 기타 (Services & Manuals) ○ 설치 및 시운전 - 지정 장소(한국광기술원 메인클린룸) 내 반입, 설치, 유틸리티 연결 및 성능 검수 ○ 유틸리티 훅업 등 - 클린룸 내부의 유틸리티 연결단에서 장비까지의 모든 유틸리티 훅업 및 전기연결은 제조사가 부담 ○ 교육 - 장비 운영 및 유지보수 매뉴얼(국문) 제공 및 관리자 기술 교육 실시 ○ 보증 - 납품 후 정해진 기간 내 무상 하자보수 지원 2.3 공급자의 책임 2.3.1 납품 1) 납품일수 : 계약일로부터 120일 이내로 하며, 납품 후 시운전 검수가 완료된 점을 납품완료일로 함. 2) 납품장소 : 한국광기술원 지정한 위치 3) 인도조건 : 본 제품은 완전조립상태로 납품함을 원칙으로 한다. (단, 완전조립된 상태로 운반이 불가능한 경우 해체 운반 하여 현장에서 제작자의 책임하에 재조립하고, 또한 운송에 필요한 모든 비용도 제조사가 부담한다.) 2.3.2 검수 및 기술지원 1. 물품(장비) 검수 1) 장비검수는 설치 후 시운전 및 검수를 실시한다. 2) 공급자는 한국광기술원 검수자 입회하에 검수자가 지정하는 방법으로 검수를 수행한다. (본 상세규격서 4. 검수 및 시험 참조) 3) 검수에 필요한 12인치 웨이퍼 4장은 제조사에서 준비한다. 2. 운영교육 1) 교육대상자 : 2명 이상 2) 교육기간: 5시간/일, 교육 3회 이상 3) 공급자는 운영교육의 내용은 다음의 항목을 포함하여야 한다. ○ 장비일반 : 장비구성, 사용 환경, 주요설정 ○ 작동일반 : 300mm 스퍼터 장비의 구동전반 및 장비 프로그램 운용법 ○ 유지관리 : 주요 점검사항, 장비이상 대응요령, 소모성 부품 교체 4) 공급자는 운영 교육 시 장비사양서 및 운영메뉴얼을 제공하여야 한다. 5) 장비교육에 필요한 제반비용은 계약상대자가 부담한다. 2.3.3 하자보증 1) 하자보증기간은 최종 검수가 완료된 후 1년으로 한다. 2.3.4 기타 1) 본 상세규격서의 해석상의 이견이 있을 경우에는 상호협의에 따른다. | ||
| 3.기술사양 | 3. 물품(장비)규격 본 장비는 300mm(12인치) 웨이퍼 공정에 최적화된 고성능 스퍼터로, 다음과 같은 일반 규격 및 성능을 만족하여야 한다. 3.1 일반사항 ○ 시스템 구성 및 구조적 특징 - 구성: 총 4개(Pre-clean 1, Sputter 3)의 독립 모듈 - 구조적 특징: 장비 점유 면적(Footprint) 최소화 및 공정 효율 극대화를 위해 단일 챔버 내 멀티 스테이션 통합 구조(Integrated Multi-Station)를 권장하며, 일반적인 클러스터 방식의 개별 챔버 구성도 가능함. - 스테이션 간 간섭 방지: 각 스테이션은 인접 공정 구역과의 교차 오염을 방지할 수 있는 독립적 차폐 구조를 갖추어야 함. ○ 기판 대응 사양 - 300mm(12인치) Wafer 처리를 표준으로 함 - 전용 Carrier를 사용 (Piece 및 2, 4, 6, 8인치 Wafer) 대응이 가능할 것 - 처리 용량: 1 sheet / batch (Single Wafer Processing) ○ 고밀도 플라즈마 전처리(Pre-cleaning) 기능 - 2kW(13.56MHz) RF 고밀도 플라즈마 소스를 사용하여 증착 전 기판 표면의 유기물 제거 및 산화막 에칭을 통한 최적의 계면 특성을 확보하여야 함 - 12인치 대면적 기판 위에서 ≤ ±10.0% 이하의 우수한 식각 균일도 (Etching Uniformity)를 구현하여야 함 ○ Degas 및 Cooling 시스템 - 로드락(Load-lock) 챔버 내에 Lamp type 히팅 모듈을 구비하여, 증착 전 Wafer 또는 Carrier를 Max. 200℃까지 가열하여 표면의 불순물을 제거(Degas)하여야 함 - 증착 완료 후 고온 기판의 안전한 반출을 위한 고진공 쿨링 모듈을 포함하여야 함 3.2 세부 규격 (Detailed Specification) ○ 로드락 및 반송 시스템 (Load-lock & Transfer System) - 로드락 구조: 300mm(12인치) 웨이퍼 대응 고진공 로드락 챔버 - 반송 로봇: Load-lock to 공정챔버 고진공 반송 로봇 탑재 - 웨이퍼 정렬: 자동 웨이퍼 센터링(Centering) 모듈 포함 - 진공 성능: 로드락 도달 진공도 5.0 x 10⁻⁵ Torr 이하 ○ 플라즈마 전처리 모듈 (Pre-clean) - 플라즈마 방식: CCP (Capacitively Coupled Plasma) - 플라즈마 파워: 2kW RF Power (13.56MHz) 및 3kW Auto Matcher - 기판 척: 냉각 방식의 페데스탈 - 소스 리프팅: 유지보수를 위한 전동리프팅 (Lifting) 장치 포함 ○ 스퍼터링 모듈 (Sputtering Module) - 마그네트론 소스: 17인치 FFE(Full Face Erosion) 캐소드 3세트 장착 - 회전 기구: 공정 균일도 향상 Cathode Magnet Rotation(Max. 100 RPM) - 타겟 크기: 17인치 (300mm 웨이퍼 전면 증착 규격) - 공정 대응: DC, RF, RF+DC 복합 스퍼터링 공정 가능할 것 - 메탈용 증착 파워: 20kW DC Power Supply - 비메탈 증착 파워: 3kW RF Power Supply (13.56MHz) 및 3kW Auto Matcher - 기판 척: 냉각기능을 가진 페데스탈 2개 및 300℃ 가열 페데스탈 1개 (총 기판 척 수량 3개 장착) - 소스 리프팅: 3세트 캐소드의 유지보수를 위한 전동리프팅 (Lifting) 장치 포함 - 두께 균일도: 300mm 웨이퍼 기준 ≤ ±3.0% 이하 (AL, Ti, Cu 등 메탈 증착 기준) ○ Vacuum Robot - Payload: 3kgf (300mm Carrier 대응 가능행 함) - 반복정밀도: ±0.2mm (R, T, Z 공통) - 사용 진공도: 사용 가능 압력: 10⁻⁸ Torr ~ 대기압 ○ 진공 배기 시스템 (Vacuum System) - 도달 진공도: 5.0 x 10⁻⁷ Torr 이하 (공정 챔버 기준) - 고진공 펌프: Turbo Molecular Pump - 고진공 수분 제거: Super Trap (-100℃ ~ -200℃ 제어) 장착 - 저진공 펌프: Dry Pump 1식 ○ 가스 공급 및 유량 제어 (Gas Delivery System) - 사용 가스: Ar, N2, O2 - 유량 제어: 질량 유량 제어기(MFC) 사용 (Ar: 200sccm, N2: 100sccm, O2: 10sccm) - 압력 조절: Automatic Throttle Valve를 이용한 자동 압력조절(APC) 시스템 구축 ○ 제어 및 소프트웨어 (Control System) - 운영 PC: 산업용 PC 및 Windows 기반 제어 시스템 - 운영 모드: PC Programmable GUI를 통한 Full Auto / Manual 제어 지원 - 데이터 관리: 실시간 공정 데이터 로깅및 인터락 알람 이력 관리 - Recipe: 각 공정별로 사용자가 Recipe 설정 및 선택 가능 - 안전 장치: 진공, 냉각수, 공압, 비상정지 등 다중 하드웨어 인터락 구성 ○ 부대설비 - 전원 : 220V 3 Phase, 60Hz, 100A - PCW : > 50LPM, 16~20℃ , CDA : > 5kgf/cm2 - GN2 : > 2kgf/cm2 >50LPM , Ar : > 2kgf/cm2>2LPM - O2 : > 2kgf/cm2 >2LPM , N2 : > 2kgf/cm2 >2LPM - Exhaust : Negative pressure ※ 장비와 클린룸 내 결속부와의 유틸리티 훅업 및 전기연결(1차,2차) 비용은 제조사에서 부담 | ||
| 4. 검수 및 시험 | 4. 검수 및 시험 (Inspection & Test) ○ 외관 및 수량 검수 - 승인된 도면 및 규격서에 따른 장비 구성품 일체 및 수량 확인 - 장비 본체 및 부대 설비의 외관 손상 여부 및 도장 상태 점검 ○ 하드웨어 성능 시험 - 도달 진공도: 공정 챔버 5.0 x 10⁻⁷ Torr 이하 달성 여부 확인 - Leak Test: 챔버 ROR(Rate of Rise) 측정 (2 mTorr/min 이하 달성) - 반송 정밀도: 2000회 반복정밀 데이터 제출 (≤ ±0.2mm), 로봇에 의한 300mm 웨이퍼 이송 및 안착 반복 정밀도 확인 - 가열/냉각: Degas 히터 Max. 200℃ 도달 및 쿨링 모듈 정상 작동 확인 - 가열/냉각: Pedestal 히터 Max. 300℃ 도달 확인 ○ 공정 성능 검수 (300mm Wafer 기준) - 사전히팅 균일도: 기판온도 200℃≤±5.0% - 히팅척 (Pedestal) 온도 균일도: 300℃±5% - 전처리 균일도: 플라즈마 Pre-cleaning 시 식각 균일도 ≤±10.0% (250Å 에칭 기준) 확인 - 증착 두께 균일도(Uniformity): 주요 Metal 기준 12인치 웨이퍼 전면에서 ≤ ±3.0% 이내 확인 - 증착 속도(Deposition Rate): 주요 Metal 기준 > 100Å/sec 달성 여부 확인 ○ 소프트웨어 및 인터락 시험 - 자동 운전: 레시피에 의한 Full Auto 공정 사이클 정상 작동 확인 - 안전 인터락: 진공 이상, 냉각수 단수, 압력 이상 시 장비 보호 동작 및 알람 발생 확인 - 데이터 관리: 공정 중 데이터 로깅 및 리포트 생성 기능 검증 | ||
| 5. 설치 및 규격 | 5.1 사용조건 본 시스템은 다음과 같은 조건에서 정상운전이 가능하여야 한다. 5.1.1 설치공간 조건 1) 전기시설 : 3상, 220V, 200A, 60Hz이내 ※ 설치될 공간에 위 전기용량 분전반 기설치 되어 있음. 그 이외의 전기공사비용은 제조사에서 부담한다. 2) Air 라인 : 압력 7kgf/cm2이하, 용량 100L/min이하 3) 설치환경 사양 - 환경온도 : 20 ~ 27℃ - 환경습도 : 30 ~ 60％(R.H.), 결로 없음 5.1.2 물품(장비)규격 ○ 시스템 구성 및 구조 - 12인치 웨이퍼 대응용 1개의 플라즈마 전처리 모듈과 3개의 증착 모듈은 상호 오염 방지를 위해 독립적인 공정 제어가 가능해야 함 - 챔버 별 공정 확인을 위한 시창(Window Viewer) 설치 해야 함. ○ 기판 대응 사양 - 300mm(12인치) Wafer 처리를 표준으로 함 - 전용 Carrier를 사용하여 Piece 및 2, 4, 6, 8인치 Wafer 대응이 가능할 것 - 처리 용량: 1 sheet / batch (Single Wafer Processing) ○ 고밀도 플라즈마 전처리(Pre-cleaning) 기능 - 2kW(13.56MHz) RF 고밀도 플라즈마 소스를 사용하여 증착 전 기판 표면의 유기물 제거 및 산화막 에칭을 통한 최적의 계면 특성을 확보하여야 함 - 12인치 대면적 기판 위에서 ≤ ±10.0% 이하의 우수한 식각 균일도 (Etching Uniformity)를 구현하여야 함 ○ Degas 및 Cooling 시스템 - 로드락(Load-lock) 챔버 내에 Lamp type 히팅 모듈을 구비하여, 증착 전 Wafer 또는 Carrier를 Max. 200℃까지 가열하여 표면의 불순물을 제거(Degas)하여야 함 - 증착 완료 후 고온 기판의 안전한 반출을 위한 고진공 쿨링 모듈을 포함하여야 함 5.2 세부 규격 (Detailed Specification) ○ 로드락 및 반송 시스템 (Load-lock & Transfer System) - 로드락 구조: 300mm(12인치) 웨이퍼 대응 고진공 로드락 챔버 - 반송 로봇: Load-lock to 공정챔버 고진공 반송 로봇 탑재 - 웨이퍼 정렬: 자동 웨이퍼 센터링(Centering) 모듈 포함 - 진공 성능: 로드락 도달 진공도 5.0 x 10⁻⁵ Torr 이하 ○ 플라즈마 전처리 모듈 (Pre-clean) - 플라즈마 방식: CCP (Capacitively Coupled Plasma) - 플라즈마 파워: 2kW RF Power Supply 및 3kW Auto Matcher - 기판 척: 냉각 방식의 페데스탈 - 소스 리프팅: 유지보수를 위한 전동리프팅 (Lifting) 장치 포함 ○ 스퍼터링 모듈 (Sputtering Module) - 마그네트론 소스: 17인치 FFE(Full Face Erosion) 캐소드 3세트 장착 - 회전 기구: 공정 균일도 향상을 위한 Cathode Magnet Rotation (Max. 100 RPM) - 타겟 크기: 17인치 (300mm 웨이퍼 전면 증착 규격) - 공정 대응: DC, RF, RF+DC 복합 스퍼터링 공정 가능 할 것 - 메탈용 증착 파워: 20kW DC Power Supply - 비메탈 증착 파워: 3kW RF Power Supply 및 3kW Auto Matcher - 기판 척: 냉각기능을 가진 페데스탈 2개 및 300℃ 가열 페데스탈 1개 장착 (총 기판 척 수량 3개 장착) - 소스 리프팅: 유지보수를 위한 3개 캐소드의 전동 리프팅 (Lifting) 장치 포함 - 두께 균일도: 300mm 웨이퍼 기준 ≤ ±3.0% 이하 (AL, Ti, Cu 등 메탈 증착 기준) ○ Vacuum Robot - Payload: 3kgf/cm2 (300mm Carrier 대응 가능해야 함) - 반복정밀도: ±0.2mm (R, T, Z 공통) - 사용 진공도: 사용 가능 압력: 10⁻⁸ Torr ~ 대기압 ○ 진공 배기 시스템 (Vacuum System) - 도달 진공도: 5.0 x 10⁻⁷ Torr 이하 (공정 챔버 기준) - 고진공 펌프: Turbo Molecular Pump - 고진공 수분 제거: Super Trap (-100℃ ~ -200℃ 제어) 장착으로 배기 속도 최적화 - 저진공 펌프: Dry Pump 1식 ○ 가스 공급 및 유량 제어 (Gas Delivery System) - 사용 가스: Ar, N2, O2 (추가 Spare 라인 확보) - 유량 제어: 질량 유량 제어기(MFC) 사용 (Ar: 200sccm, N2: 100sccm, O2: 10sccm) - 압력 조절: Automatic Throttle Valve를 이용한 자동 압력조절 (APC) 시스템 구축 ○ 제어 및 소프트웨어 (Control System) - 운영 PC: 산업용 PC 및 Windows 기반 제어 시스템 - 운영모드: PC GUI를 통한 Full Auto / Manual 제어 지원 - 데이터관리: 실시간 공정 데이터 로깅및 인터락 알람 이력 관리 - Recipe: 각 공정별로 사용자가 Recipe 설정 및 선택 가능 - 안전 장치: 진공, 냉각수, 공압, 비상정지 등 다중 하드웨어 인터락 구성 ○ 부대설비 - 전원 : 220V 3 Phase, 60Hz, 100A - PCW : > 50LPM, 16~20℃ , CDA : > 5kgf/cm2 - GN2 : > 2kgf/cm2 >50LPM , Ar : > 2kgf/cm2>2LPM - O2 : > 2kgf/cm2 >2LPM , N2 : > 2kgf/cm2 >2LPM - Exhaust : Negative pressure ※ 장비와 클린룸 내 결속부와의 유틸리티 훅업 및 전기연결(1차,2차) 비용은 제조사에서 부담 | ||
| 6. 제출서류 | 6.1 납품 시 제출서류 공급자는 다음의 내용을 포함한 사용설명서(매뉴얼) 2부를 제출하여야 한다. ⑴ 광기술원이 요구하는 성능시험 성적서 ⑵ 정기적인 점검을 필요로 하는 각 구성요소에 대한 점검방법 및 주기 ⑶ 시스템 구성 부품 명세서 및 I/O List ⑷ 검수항목에 대한 보고서 ⑸ 장비 운용 절차 ⑹ 유지보수 절차서 |
| 1. 품 명 | 영 문 | 300mm Large-diameter Sputter |
|---|---|---|
| 1. 품 명 | 한 글 | 300mm 대구경스퍼터 |
2. 규격 및 수량 : 1 식 - 주요 제원 - 상세 제원 - 1) 고진공 로드락 module 2) 방사 방식의 기판 사전 히팅 module 3) Wafer centering module 4) 고진공 반송 module (Load Lock Module ↔ Plasma Cleaning Module) 5) 고진공 기판 반송로봇 (Pre-Clean Module ↔ 3개의 Sputtering Module) 7) Pre-Clean Module (CCP Plasma Source, Wafer Chuck 각 1세트) 6) Sputtering module (17인치 회전형 Magnetron cathode, Wafer Chuck 각 3세트) 7) 쿨링척 2식, Max. 300℃ 히터척 1식 8) 고진공 기판 이송 로봇 9) 고진공 기판 쿨링 모듈 13) 프로세스 압력조정 컨트롤 기능 (사용 Gas : Ar, O2, N2) 14) 고진공 펌프 : 터보펌프+Cryo trap combination 15) 저진공 펌프 : 드라이 펌프 16) PC 프로그램 및 GUI 화면구성 ※ 완성된 장비 또는 위 항목을 조립하여 설치할 수 있음. 3. 용도설명 : - 300mm(12 inch)웨이퍼가 가능한 장비이며, 화합물반도체 초미세공정 구현을 위한 고품질 박막 성장이 필요한 메탈전극(Ti, Cu, Ni, Cr, Al, Au 등) 및 투명전극(ITO), DBR(TiO2, ZnO), 패시베이션 박막 및 보호층(SiO2, Si3N4) 등 다양한 금속 및 절연 소재의 박막을 증착하는 장비 2026년 7월 13일 작성자 : 박 진 영
| 구 분 | 규 격 | 비 고 |
|---|---|---|
| Substrate Size | Piece to 2~12인치 | 12“Carrier에 시편로딩 가능 |
| Coating Material | ITO, Ti, Cu, AL 등 | 금속, 절연막 코팅박막 증착 |
| Plasma Cleaning Uniformity | ≤±10% Etching uniformity | ≤±10% (Wafer to Wafer) |
| Plasma Cleaning Power Source | 2kW@13.56Hz generator | 3kW 13.56MHz matcher |
| Sputtering Uniformity | ≤±3% thickness uniformity | ≤±3% (Wafer to Wafer) |
| Magnetron Sputtering Target | 17inch target | 3ea, 개별 컨트롤 제어 |
| Sputtering Power | DC 20kW + RF 3kW | RF power 주파수: 13.56Hz |
| Pumping system | Dry pump+Turbo+Cryo trap | 고진공 Turbo+수분펌핑 시스템 |
| 연번 | 품명 | 수량 | 단가(원) | 금액(원) |
|---|---|---|---|---|
| 1 | LL vacuum chamber module | 1 | ||
| 2 | De-gas heater module | |||
| 3 | Wafer cooling moudle | |||
| 4 | Transfer robot & EE | |||
| 5 | Wafer lift module | |||
| 6 | LL Vacuum gauge | |||
| 7 | Slit valve | |||
| 8 | Process common vacuum chamber | |||
| 9 | TMP & Cryo trap pumping system | |||
| 10 | Plasma clean sub chamber(1ea) | |||
| 11 | CCP plasma source & chuck | |||
| 12 | Sputtering sub chamber | 3 | ||
| 13 | Full face erosion magnetron cathode | |||
| 14 | Pedestal sputter chuck | |||
| 15 | Plasma RF generator & Matcher power | 1 | ||
| 16 | DC sputter power | |||
| 17 | RF sputter generator & Matcher power | |||
| 18 | Wafer transfer robot in common chamber | |||
| 19 | Wafer lift module w/up down actuator | |||
| 20 | Automatic Pressure Control unit | |||
| 21 | 3ea semi-automatic sputter source lid lifter | |||
| 22 | Full range gauge | |||
| 23 | Baratron gauge | |||
| 24 | Process gas control module (Ar, O2, N2) | |||
| 25 | Electric wiring | |||
| 26 | PC Program |