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울산과학기술원 플라즈마 화학기상 증착기 구매

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공고 개요

재공고 · 유찰 · 울산과학기술원 · 반도체·박막 공정장비

결과
유찰
참가
0곳 · 개찰 10/02(금)

요약 AI 요약

울산과학기술원이 반도체·박막 연구에 사용할 플라즈마 화학기상 증착기(PE-CVD) 1식을 구매하는 사업이다. 플라즈마로 화학 반응을 촉진해 8인치 웨이퍼에 SiO₂, Si₃N₄, W 박막을 저온에서 고품질로 증착하는 장비를 공급·설치한다.

사업 내용 · 이 공고에 든 일

중심 · 플라즈마 화학기상 증착기(PE-CVD) 제조·납품

물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비

8인치 웨이퍼용 SiO2/Si3N4/W 박막 증착 장비로, 챔버·가스패널·진공펌프·RF·이송계를 갖춘 반도체·박막 공정장비를 제조·공급하는 일이 사업의 몸통이다.

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 평가위원들의 종합 평점의 평균이 100점 만점에 85점 이상을 득한 업체를 규격입찰 적격 업체로 선정한다.

배점표 (AI 요약)
평가 항목배점
업체 현황(제안 개요·일반현황·주요연혁·사업분야·기술인력)10점
기업신용도(신용평가등급)10점
공고 규격의 적합성30점
설비능력30점
사후 관리(유지보수·A/S·전담인력·부품수급·하자보증)10점
추진 계획/교육 훈련(납품·설치 일정, 시운전·성능 검증, 교육 계획)10점
합계(항목을 더한 값)100점

참가 자격 · 제한

업종제한
제한 없음
지역제한
제한 없음
공동수급
공동수급불허
입찰참가 제한
모름
실적경쟁 · PQ
모름
국제입찰
국내입찰
제출 방법
전자입찰

입찰 일정

진행일시남은 날
공고 게시09/21(월)지남
입찰서 제출 시작09/30(수) 10:00지남
입찰참가자격 등록 마감10/01(목) 18:00지남
입찰서 제출 마감10/02(금) 10:00지남
개찰10/02(금) 11:00지남

가격

추정가격
268,181,818원
배정예산
297,552,000원
기초금액
289,100,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)
부가세
26,818,182원
예정가격 방식
복수예가

납품

품명
진공증착기 (2399039801)
수량
1 식
인도조건
설치까지 · 현장설치도
제조물품
아니오
세부품명 등록
등록 필요

공고 정보

공고종류
재공고 (재입찰공고)
게시일
09/21(월)
공고번호
R26BK01738895-000
참조번호
-
공고기관
조달청 부산지방조달청
수요기관
울산과학기술원
계약방법
일반경쟁
낙찰방법
규격가격동시입찰
계약유형
총액계약
예정가격 방식
복수예가
추정가격
268,181,818원
배정예산
297,552,000원
사전규격번호
R26BD00265097
재공고
재공고
출처
나라장터

문서 발췌

배점·평가

평가 항목산정 방법평점평가 요소
일반
부문
(20점)		업체 현황10점- 제안 개요 및 제안사의 일반현황, 주요연혁, 주요 사업 분야, 기술인력 현황
기업신용도* 붙임 1의 경영상태에 따른
평점표에 따름		- 신용평가등급
기술
부문
(60점)		공고 규격의
적합성		30점- 8인치 웨이퍼 자동 이송 및 핸들링 시스템(Cassette Handler, Load Lock, Orienter) 성능 충족 여부
- 공정 챔버(Dielectric, W)의 구조, 박막 증착 성능 및 온도 제어 방식의 적합성
- 진공 시스템 구성의 적합성
(도달 진공도, 압력 제어, capacity)
- 가스 공급 시스템(Gas Panel) 및 공정 레시피 기반 자동 가스 제어 기능의 적합성
- RF Power(최대 출력 : 1250 W) 공급 및 Matching System 구성의 적합성
- 제어·운영 시스템(PC/HMI 기반, 사용자 관리, 데이터 관리 및 자동 운전 기능)의 적합성
설비능력- 공정 재현성 및 박막 공정 안정성
- 다수 사용자 환경에서의 공용 장비 운용
적합성
- 공정 데이터 관리 및 이력 관리 기능
- 유지관리 편의성 및 향후 확장성
- 장비 안전성 및 보호(Interlock, Alarm)
기능의 우수성
품질보증 계획의 적정성
(20점)		사후 관리10점- 장비 유지보수 및 A/S 체계
- 전담 인력 운영 계획
- 소모품 및 부품 수급의 안정성
- 하자보증 기간 및 범위
추진 계획
/교육 훈련		- 납품 및 설치 일정의 적정성
- 시운전 및 성능 검증 계획
- 장비 운용, 유지보수, 장비 교육 계획
- 기타 제안 사항
합 계100점
우수보통미흡
1031
우수양호보통미흡
3020105
우수양호보통미흡
3020105
우수양호보통미흡
10751
우수보통미흡
1075
평 가 항 목배점평가기타
일반부문
(20점)		o 업체 일반현황
- 제안 개요 및 제안사의 일반현황, 주요연혁,
주요 사업 분야, 기술인력 현황		10점
o 기업신용도
- 신용평가에 따른 경영 상태
기술부문
(60점)		o 공고 규격의 적합성
- 8인치 웨이퍼 자동 이송 및 핸들링 시스템(Cassette Handler, Load Lock, Orienter) 성능 충족 여부
- 공정 챔버(Dielectric, W)의 구조, 박막 증착 성능 및 온도 제어 방식의 적합성
- 진공 시스템 구성의 적합성
(도달 진공도, 압력 제어, capacity)
- 가스 공급 시스템(Gas Panel) 및 공정 레시피 기반 자동 가스 제어 기능의 적합성
- RF Power(최대 출력 : 1250 W) 공급 및 Matching System 구성의 적합성
- 제어·운영 시스템(PC/HMI 기반, 사용자 관리, 데이터 관리 및 자동 운전 기능)의 적합성		30점
o 설비능력
- 공정 재현성 및 박막 공정 안정성
- 다수 사용자 환경에서의 공용 장비 운용 적합성
- 공정 데이터 관리 및 이력 관리 기능
- 유지관리 편의성 및 향후 확장성
- 장비 안전성 및 보호(Interlock, Alarm) 기능의 우수성
품질보증 계획의 적정성
(20점)		o 사후 관리 및 추진체계
- 장비 유지보수 및 A/S 체계
- 전담 인력 운영 계획
- 소모품 및 부품 수급의 안정성
- 하자보증 기간 및 범위		10점
o 교육훈련 및 기타 제안
- 납품 및 설치 일정의 적정성
- 시운전 및 성능 검증 계획
- 장비 운용, 유지보수, 장비 교육 계획
- 기타 제안 사항
합 계100점

과업·요구

총합계금액(합계금액+부가세) :일금 영원정(295,000,000)
단위:원(\)
NO.품목 및 규격P/N단위수량단가합계금액재고
유무
1.PM 챔버 및 가열부 유닛1
-챔버 재질 : 알루니늄 5083 또는 동등 이상 재질
-챔버 내부 구조 : 샤워헤드 기반 가스 분사 구조
-웨이퍼 규격 : 8인치 웨이퍼 대응
-온도 센서 : 열전대(Thermocouple, T/C) 또는 동등 이상
-가열 시스템 : 최대 Susceptor(CH#B) 430 ℃, Al(CH#A) Heater 470 ℃, PID 제어 방식
-Heater table 재질 : Susceptor(CH#B), Al(CH#A) Heater 또는 동등 이상
-Heat-exchanger : 냉각수 순환을 통한 챔버 및 히터부 냉각
-프레임 구성 : 챔버 및 공정 모듈 일체
2Wafer Align 챔버
'-챔버 재질 : 알루니늄 6061 또는 동등 이상 재질
- 웨이퍼 규격 : 8인치 웨이퍼 대응
- 기능: Wafer Flat zone을 wafer 정렬 기능
- 구성: Lift hoop 및 Chuck, Laser, CCD PCB로 구성		1
3가스 시스템 유닛
- 공정 가스 : CF4, SiH4, NH3, N2, N2O, WF6, H2, Ar, NF3 사용 가능
- 가스 제어 방식 : MFC 기반 자동 유량 제어
- 가스 밸브 및 레귤레이터
- 가스 매니폴드 및 관련 배관 일체		1
4.진공 및 펌핑 유닛
- 진공 펌프 : Dry Pump 3ea 구성,
- 도달 진공도 : 1×10E-3 Torr 이하
- 진공 속도 : 297 CFM (60Hz)
- 진공 게이지 : Baratron, TC Gauge
- 진공 밸브 및 배관 : 트로틀 밸브, 매니폴드, 펌프 라인 포함
5이송·구동(스테이지) 유닛
-웨이퍼 이송 : Phase III Robotics 기반 자동 이송
-웨이퍼 감지 : I/O Wafer Sensor
-웨이퍼 스테이지 : 13 Slot Stage(2ea)
-구동 방식 : Step Motor 및 Lead Screw 기반 정밀 구동
-웨이퍼 위치 제어 : 자동 로딩 및 Positioning		1
6.제어 및 전장 시스템 유닛
- 제어반(Control Box)
- VME 기반 I/O 제어 시스템
- LCD 터치 패널 기반
- 온도 제어 시스템 : PID 제어 방식
- 온도 센서 : 열전대(T/C)
- 공정 데이터 이력 관리 : 온도, 진공, 압력, 시스템 에러 자동 저장
7플라즈마 유닛
- RF Power Supply : 13.56 MHz, 최대 1250 W
- Auto Matching Network : 자동 임피던스 매칭
- RF Electrode : Showerhead Electrode 방식
- 플라즈마 발생 : Single Frequency Plasma 방식		1
8인건비 및 설치비
-장비 기계·전기 설계
-장비 조립 및 자체 시운전
-현장 반입 및 설치
-전기 배선 및 유틸리티 훅업
-성능 검증 및 사용자 교육
소 계-
부 가 세
총 합 계
1. 품명플라즈마 화학 기상 증착기
2. 수량13. 작성일2026년 08월 7일
4. 물품분류번호23990398
5. 세부사양 (Specifications)
가. 장비 특성 및 품질
1) PE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)는 플라즈마를 이용하여 화학 반응을
촉진함으로써 저온에서 고품질의 박막을 형성하는 증착 공정을 의미한다.
2) 본 장비는 SiO₂, Si₃N₄ 및 W 박막의 증착이 가능하여야 하며, 다양한 절연막 및 금속막을 고품질로 증착할 수 있어야 한다.
3) Susceptor Heater를 이용하여 SiO₂ 및 Si₃N₄는 최대 430 ℃, W는 Al Heater를 사용하여
최대 470 ℃의 공정 온도에서 안정적인 증착이 가능하여야 하며, RF Plasma를 이용하여 우수한 막질과 높은 증착 균일도를 확보할 수 있어야 한다.
4) 정밀한 Mass Flow Controller(MFC)와 자동 압력 제어 시스템을 적용하여 공정 가스의 유량 및 공정 압력을 안정적으로 제어할 수 있어야 한다.
5) Dry Vacuum Pump를 이용하여 안정적인 진공 환경을 유지할 수 있어야 하며, 공정 중 발생하는 부산물에 의한 장비 오염을 최소화할 수 있어야 한다.
6) 데이터 관리 시스템을 통하여 장비 이력 관리, 공정 Recipe의 저장·제작·수정 및 관리가 가능하여야 하며, 반복 공정 시 동일한 공정 조건을 구현하여 높은 공정 재현성을 확보할 수 있어야 한다.
7) Gas Interlock, Door Interlock 및 Emergency Stop 등 안전장치를 갖추어 사용자의 안전과 장비의 안정적인 운용이 가능하여야 한다.
나. 상세규격
1) Cassette Handler Stage
- 8인치 웨이퍼를 수용할 수 있는 13 Slot Cassette(2EA)를 제작 및 적용하여
다량의 웨이퍼를 동시에 로딩할 수 있을 것.
- Cassette Indexer를 적용하여 카세트의 자동 위치 정렬 및 로딩/언로딩이 가능할 것.
- Cassette Clamp Switch를 적용하여 카세트의 잠금(Lock) 및 해제(Unlock) 기능을 제공할 것.
- Cassette Present Switch를 적용하여 카세트 장착 여부를 자동으로 감지할 수 있을 것.
2) L/L Chamber
- Phase III Robotics 기반 자동 웨이퍼 이송 시스템을 적용하여 공정 챔버와 Load Lock 간
웨이퍼의 자동 이송이 가능할 것.
- Robot Blade는 Vacuum Chuck을 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 이송하고, Front/Rear Shoe를
적용하여 웨이퍼를 Pocket의 기준 위치에 정확하게 안착시킬 수 있을 것.
- I/O Wafer Sensor를 탑재하여 웨이퍼 유무를 자동으로 감지 및 오이송을 방지할 수 있을 것.
- Storage Elevator(8 slot)를 적용하여 웨이퍼의 임시 보관 및 냉각 기능을 수행할 수 있을 것.
- I/O Slit Valve를 적용하여 Cassette와 Load Lock Chamber를 분리하고, 공정 중 진공 환경을 유지할 수 있을 것.
- Diffuser를 적용하여 Pumping 및 Venting 과정에서 발생하는 공기 유동의 편중을 방지하고 안정적인 압력 변화를 제공할 것.
- Slit Valve(Actuator 및 Slit Valve Plate 포함)를 적용하여 Load Lock Chamber와 Process
Chamber를 분리하고, 공정 중 진공을 안정적으로 유지할 수 있을 것.
3) Orienter chamber
- 웨이퍼의 Notch 또는 Flat을 자동으로 검출하여 기준 위치로 정렬할 수 있을 것.
- 회전(Rotation) 및 정렬을 통해 웨이퍼가 공정 챔버의 정확한 위치에 이송이 가능할 것.
- Wafer Chuck을 적용하여 웨이퍼 회전 및 안정적으로 안착이 가능할 것.
- Silicon O-ring을 적용하여 회전 중 웨이퍼의 미끄러짐을 방지할 것.
- Laser Assembly 및 Optical Detector(CCD 방식 또는 동등 이상의 성능)를 적용하여 웨이퍼의 Flat/Notch를 자동으로 검출이 가능할 것.
- Lift Hoop 및 Wafer Lift Assembly를 적용하여 웨이퍼의 승·하강 및 Wafer Chuck 안착이
가능할 것.
4) W chamber
- 챔버 크기 : 8인치 웨이퍼 로딩이 가능할 것
- 챔버 재질은 알루미늄 5083 또는 동등 이상의 성능을 갖는 재질을 적용할 것.
- Shower Head 기반 가스 분사 구조를 적용할 것.
- Vacuum Chuck 또는 동등 이상의 웨이퍼 고정 시스템을 적용하여 Backside Deposition을
최소화할 것.
- Thermocouple(T/C)를 이용한 실시간 온도 측정이 가능할 것.
- PID 제어 방식으로 Heater Table 온도를 제어할 것.
- 박막 특성: Resistance uniformity(Wafer to wafer) < ±2.5%, step coverage > 90%
- Heater Table은 알루미늄 또는 동등 이상의 성능을 갖는 재질로 제작되며, 최대 470 ℃까지 사용 가능하고, 온도 제어 정확도는 설정값 기준 ±3℃ 이내를 만족할 것
- Lift Pin(4EA)을 적용하여 웨이퍼 무진동 승, 하강이 가능할 것.
- 챔버 및 Heater 부의 냉각 제어는 별도의 Heat Exchanger를 통해 냉각수 순환이 가능할 것.
- Water Manifold를 적용하여 냉각수 순환 및 가스 응축을 방지할 것.
- RF Match Rod 및 RF Strip을 적용하여 RF Power를 전달할 것.
- RF Match Box를 적용하여 RF Power를 안정적으로 공급하고, RF Reflect Power는
출력 대비 2% 이하를 만족할 것.
- Baratron Gauge를 Throttle Valve를 적용 챔버 압력을 측정 및 제어할 것.
- Chamber Slit Valve를 적용하여 Load Lock Chamber와 Process Chamber를 분리할 것.
- Isolator를 적용하여 RF 전기 절연 기능을 제공할 것.
5) Dielectric chamber
- 챔버 크기 : 8인치 웨이퍼 로딩이 가능할 것
- 챔버 재질은 알루미늄 5083 또는 동등 이상의 성능을 갖는 재질을 적용할 것.
- Shower Head 기반 가스 분사 구조를 적용할 것.
- Thermocouple(T/C)를 이용한 실시간 온도 측정이 가능할 것.
- PID 제어 방식으로 Heater Table 온도를 제어할 것.
- Si3N4 박막 특성: Uniformity < ±1.5%, RI 2.00 ± 0.1
- SiO2 박막 특성: Uniformity < ±1.5%, RI 1.46 ± 0.05
- Heater Table은 Al Susceptor 또는 동등 이상의 성능을 갖는 재질로 제작되며, 램프(Lamp) 가열 방식을 적용하여 최대 430 ℃까지 사용 가능하고, 설정값 기준 < ± 3℃을 만족할 것
- 챔버 및 Heater 부의 냉각 제어는 별도의 Heat Exchanger를 통해 냉각수 순환이 가능할 것.
- Lift Pin(4EA)을 적용하여 웨이퍼 무진동 승·하강이 가능할 것.
- Water Manifold를 적용하여 냉각수 순환 및 가스 응축을 방지할 것.
- RF Match Rod 및 RF Strip을 적용하여 RF Power를 전달할 것.
- RF Match Box를 적용하여 RF Power를 안정적으로 공급할 것.
- Baratron Gauge와 Throttle Valve를 적용하여 챔버 압력을 측정 및 제어가 가능할 것.
- Chamber Slit Valve를 적용하여 Load Lock Chamber와 Process Chamber를 분리할 것.
- Isolator를 적용하여 RF 전기 절연 기능을 제공할 것.
6) 제어 및 운영 시스템
- 장비는 수동 및 자동 운전을 지원하며, VME 기반 I/O 또는 동등 이상의 제어 시스템,
운영용 컴퓨터 및 모니터를 포함할 것.
- LCD Touch Panel(HMI)을 적용하여 장비 운전 및 상태 모니터링의 편의성이 확보되어야 함.
- 사용자 로그인 계정에 따라 접근 가능한 화면 및 기능을 차등 설정할 수 있는 사용자 권한
관리 기능을 제공할 것.
- 공정 데이터 이력 관리(Data Logging & History) 기능을 제공할 것.
- 장비 이상 알림(Alarm) 기능을 제공할 것.
- System Controller Rack을 적용하여 장비를 제어할 것.
- System Electronics Rack을 적용하여 Sensor, Motor 및 T/C의 전원과 제어 신호를 관리할 것.
- Main AC Box를 적용하여 장비 전원을 분배할 것.
7) Remote AC Rack(RF Generator포함)
- Remote Rack을 포함하여 RF 전원 공급 및 제어 시스템을 구성할 것.
- Remote AC Rack을 적용하여 장비 구동 전원 분배 및 System Component와의 전원·신호
제어가 가능할 것.
- Circuit Breaker 및 Main Contactor를 적용하여 장비 전원 보호 및 분배 기능을 제공할 것.
- Remote Wiring Distribution Board를 적용하여 Main Frame과 System Component 간
제어 신호를 전달할 것.
- N₂ Dry Vacuum Board를 적용하여 Pump와 Main Frame 간 제어 신호를 관리할 것.
- RF Generator(OEM-12B 또는 동등 이상의 성능) 2대를 포함하여 각 공정 Chamber에
독립적인 RF Power 공급이 가능할 것.
- RF 최대 출력(Power) : 1250 W
- RF 최대 출력(전류) : 12 A 이상일 것.
- 공정 조건 변화에 따른 임피던스 자동 보정이 가능한 Automatic Matching System 적용할 것.
- 플라즈마 발생 방식은 Single Frequency Plasma 방식일 것
8) Gas Panel
- 사용 가능한 공정 가스는 CF₄, SiH₄, NH₃, N₂, N₂O, WF₆, H₂, Ar 및 NF₃를 포함할 것. - 가스 공급은 MFC 기반 자동 유량 제어 방식을 적용하여 공정 레시피에 따른 가스 유량 조절이 가능할 것.
- Manual Valve, Air Valve, Final Valve 및 Divert Valve를 적용하여 공정 가스 공급, 차단, Purge 및 Cleaning 공정을 수행할 수 있을 것.
- 가스 공급 라인은 공정 가스 특성에 적합한 재질 및 구성을 적용하여 안정적인 가스 공급이 가능할 것.(밸브류, MFC류, 배관 등)
- 각 MFC의 유량 제어 정확도는 설정값 기준 ±2% 이하를 만족할 것.
- Filter를 적용하여 공정 가스 내 Particle을 제거할 수 있을 것.
- Regulator 및 Pressure Transducer를 적용하여 가스 압력의 제어 및 모니터링이 가능할 것.
- Gas Panel PCB를 적용하여 MFC 및 Solenoid Valve를 제어할 수 있을 것.
- Gas Exhaust를 적용하여 가스 누설 발생 시 안전하게 배출할 수 있을 것.
- Gas Panel Interlock 기능을 포함하여 이상 발생 시 가스 공급을 자동 차단할 수 있을 것.
- 사용자의 안전을 고려하여 Toxic gas 누설 감지기와의 연동이 가능할 것.
9) Vacuum Pump
- 공정 챔버 및 Load Lock Chamber의 진공 형성을 위한 Dry Pump 기반 시스템을 구성할 것.
- 도달 진공도는 1.0×10⁻³ Torr 이하일 것.
- Vacuum pump capacity : 9500L/min
- 진공 펌프의 배기 용량은 297 CFM(60 Hz) 이상일 것.
- Baratron Gauge 및 TC Gauge를 적용하여 챔버 압력 측정 및 모니터링이 가능할 것.
다. 구성품 (악세사리 포함)
1) Cassette Handler Stage(13 slot cassette 2ea)
2) L/L Chamber
3) W chamber
4) Dielectric chamber
5) Orienter chamber
6) 제어 및 운영 시스템
- System Controller Rack
- System Electronics Rack
- Main AC Box
- Pneumatics Panel
- Heat Exchanger
7) Remote AC Rack(RF Generator포함)
8) Gas panel
9) Vacuum Pump
- Dry pump(3세트)
라. 장비설치 및 검수
- 장비 설치 및 조정
장비 공급자는 울산과학기술원이 지정하는 시간 및 장소에 장비를 설치하고, 정상 작동을
위해 아래에 요구되는 모든 조건 및 공정 결과를 충족하여야 한다.
마. 교육훈련
- 장비와 관련된 교육은 별도로 울산과학기술원과 협의하여 실시한다.
- 다음과 같은 교육은 별도의 협의가 없어도 필수적으로 수행되어야 한다.
* 장비 작동법 교육
* 유지보수 교육
* 프로그래밍 교육
바. 하자보증
- 장비의 하자보증 기간은 6개월로 한다.
- 하자보증 기간 중 정상적인 작동 상태에서 발생하는 모든 결함은 장비 공급자의 책임 하에
무상으로 수리되어야 한다.
사. 서비스
- 하자보증기간 이내 장비 공급자는 장비의 결함 발생 시 사용자의 요청을 접수한 이후 2일
이내에 현장에 도착하여야 하며 도착 후 7일 이내에 수리작업을 완료하여야 한다.
- 부품의 교체가 필요한 경우에는 그 부품의 정확한 공급 가능 시점을 확인하여
울산과학기술원에 통보하고 승인을 받아야 한다.
아. 기타
- 설치 및 시운전 : 공급사
자. 납기
- 26년 12월 15일 까지
6. Remarks
(1) 설치공급업체
(2) Warranty6개월
(3) Training공급업체