입찰공고상세[물품] · 마감
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울산과학기술원 플라즈마 화학기상 증착기 구매
재공고 · 유찰 · 울산과학기술원 · 반도체·박막 공정장비
- 결과
- 유찰
- 참가
- 0곳 · 개찰 10/02(금)
요약 AI 요약
울산과학기술원이 반도체·박막 연구에 사용할 플라즈마 화학기상 증착기(PE-CVD) 1식을 구매하는 사업이다. 플라즈마로 화학 반응을 촉진해 8인치 웨이퍼에 SiO₂, Si₃N₄, W 박막을 저온에서 고품질로 증착하는 장비를 공급·설치한다.
- 8인치 웨이퍼용 카세트 핸들러 스테이지(13슬롯 카세트 2개, 자동 정렬·로딩/언로딩)
- 로드락 챔버(Phase III Robotics 자동 이송, I/O 웨이퍼 센서, 8슬롯 스토리지 엘리베이터, 슬릿 밸브)
- 오리엔터 챔버(노치/플랫 자동 검출·정렬, 레이저·광검출기, 리프트 후프)
- W 챔버(최대 470℃ Al 히터, 샤워헤드 가스 분사, 저항 균일도 ±2.5% 이내, 스텝 커버리지 90% 초과)
- Dielectric 챔버(최대 430℃ 램프 가열, Si₃N₄·SiO₂ 박막 균일도 ±1.5% 이내)
- 제어·운영 시스템(VME 기반 I/O, LCD 터치패널 HMI, 사용자 권한 관리, 공정 데이터 이력·알람), RF 전원(13.56MHz·최대 1250W, 자동 임피던스 매칭), 가스 패널(MFC 자동 유량 제어, 9종 가스), 진공 펌프(도달 진공도 1.0×10⁻³ Torr 이하)
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사업 내용 · 이 공고에 든 일
중심 · 플라즈마 화학기상 증착기(PE-CVD) 제조·납품
물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비
8인치 웨이퍼용 SiO2/Si3N4/W 박막 증착 장비로, 챔버·가스패널·진공펌프·RF·이송계를 갖춘 반도체·박막 공정장비를 제조·공급하는 일이 사업의 몸통이다.
- 장비 기계·전기 설계
- 장비 조립 및 자체 시운전
- 현장 반입 및 설치
- 전기 배선 및 유틸리티 훅업
- 성능 검증
- 사용자 교육(장비 작동법·유지보수·프로그래밍)
- 하자보증 6개월 및 A/S(2일 내 현장 도착, 7일 내 수리)
평가 · 배점
협상 대상 기준 · 평가위원들의 종합 평점의 평균이 100점 만점에 85점 이상을 득한 업체를 규격입찰 적격 업체로 선정한다.
| 평가 항목 | 배점 |
|---|---|
| 업체 현황(제안 개요·일반현황·주요연혁·사업분야·기술인력) | 10점 |
| 기업신용도(신용평가등급) | 10점 |
| 공고 규격의 적합성 | 30점 |
| 설비능력 | 30점 |
| 사후 관리(유지보수·A/S·전담인력·부품수급·하자보증) | 10점 |
| 추진 계획/교육 훈련(납품·설치 일정, 시운전·성능 검증, 교육 계획) | 10점 |
| 합계(항목을 더한 값) | 100점 |
참가 자격 · 제한
- 업종제한
- 제한 없음
- 지역제한
- 제한 없음
- 공동수급
- 공동수급불허
- 입찰참가 제한
- 모름
- 실적경쟁 · PQ
- 모름
- 국제입찰
- 국내입찰
- 제출 방법
- 전자입찰
입찰 일정
| 진행 | 일시 | 남은 날 |
|---|---|---|
| 공고 게시 | 09/21(월) | 지남 |
| 입찰서 제출 시작 | 09/30(수) 10:00 | 지남 |
| 입찰참가자격 등록 마감 | 10/01(목) 18:00 | 지남 |
| 입찰서 제출 마감 | 10/02(금) 10:00 | 지남 |
| 개찰 | 10/02(금) 11:00 | 지남 |
가격
- 추정가격
- 268,181,818원
- 배정예산
- 297,552,000원
- 기초금액
- 289,100,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)
- 부가세
- 26,818,182원
- 예정가격 방식
- 복수예가
납품
- 품명
- 진공증착기 (2399039801)
- 수량
- 1 식
- 인도조건
- 설치까지 · 현장설치도
- 제조물품
- 아니오
- 세부품명 등록
- 등록 필요
공고 정보
- 공고종류
- 재공고 (재입찰공고)
- 게시일
- 09/21(월)
- 공고번호
- R26BK01738895-000
- 참조번호
- -
- 공고기관
- 조달청 부산지방조달청
- 수요기관
- 울산과학기술원
- 계약방법
- 일반경쟁
- 낙찰방법
- 규격가격동시입찰
- 계약유형
- 총액계약
- 예정가격 방식
- 복수예가
- 추정가격
- 268,181,818원
- 배정예산
- 297,552,000원
- 사전규격번호
- R26BD00265097
- 재공고
- 재공고
- 출처
- 나라장터
첨부파일
- HWPX · 재공고서_R26BK01738895(국가, 일반, 규가).hwpx · 공고규격서
- PDF · 재공고서_R26BK01738895(국가, 일반, 규가).pdf · 공고규격서
- ZIP · 사양서 등.zip · 공고규격서
문서 발췌
배점·평가
| 평가 항목 | 산정 방법 | 평점 | 평가 요소 | |
|---|---|---|---|---|
| 일반 부문 (20점) | 업체 현황 | 10점 | - 제안 개요 및 제안사의 일반현황, 주요연혁, 주요 사업 분야, 기술인력 현황 | |
| 기업신용도 | * 붙임 1의 경영상태에 따른 평점표에 따름 | - 신용평가등급 | ||
| 기술 부문 (60점) | 공고 규격의 적합성 | 30점 | - 8인치 웨이퍼 자동 이송 및 핸들링 시스템(Cassette Handler, Load Lock, Orienter) 성능 충족 여부 - 공정 챔버(Dielectric, W)의 구조, 박막 증착 성능 및 온도 제어 방식의 적합성 - 진공 시스템 구성의 적합성 (도달 진공도, 압력 제어, capacity) - 가스 공급 시스템(Gas Panel) 및 공정 레시피 기반 자동 가스 제어 기능의 적합성 - RF Power(최대 출력 : 1250 W) 공급 및 Matching System 구성의 적합성 - 제어·운영 시스템(PC/HMI 기반, 사용자 관리, 데이터 관리 및 자동 운전 기능)의 적합성 | |
| 설비능력 | - 공정 재현성 및 박막 공정 안정성 - 다수 사용자 환경에서의 공용 장비 운용 적합성 - 공정 데이터 관리 및 이력 관리 기능 - 유지관리 편의성 및 향후 확장성 - 장비 안전성 및 보호(Interlock, Alarm) 기능의 우수성 | |||
| 품질보증 계획의 적정성 (20점) | 사후 관리 | 10점 | - 장비 유지보수 및 A/S 체계 - 전담 인력 운영 계획 - 소모품 및 부품 수급의 안정성 - 하자보증 기간 및 범위 | |
| 추진 계획 /교육 훈련 | - 납품 및 설치 일정의 적정성 - 시운전 및 성능 검증 계획 - 장비 운용, 유지보수, 장비 교육 계획 - 기타 제안 사항 | |||
| 합 계 | 100점 |
| 우수 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|
| 10 | 3 | 1 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 30 | 20 | 10 | 5 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 30 | 20 | 10 | 5 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 10 | 7 | 5 | 1 |
| 우수 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|
| 10 | 7 | 5 |
| 평 가 항 목 | 배점 | 평가 | 기타 | |
| 일반부문 (20점) | o 업체 일반현황 - 제안 개요 및 제안사의 일반현황, 주요연혁, 주요 사업 분야, 기술인력 현황 | 10점 | ||
| o 기업신용도 - 신용평가에 따른 경영 상태 | ||||
| 기술부문 (60점) | o 공고 규격의 적합성 - 8인치 웨이퍼 자동 이송 및 핸들링 시스템(Cassette Handler, Load Lock, Orienter) 성능 충족 여부 - 공정 챔버(Dielectric, W)의 구조, 박막 증착 성능 및 온도 제어 방식의 적합성 - 진공 시스템 구성의 적합성 (도달 진공도, 압력 제어, capacity) - 가스 공급 시스템(Gas Panel) 및 공정 레시피 기반 자동 가스 제어 기능의 적합성 - RF Power(최대 출력 : 1250 W) 공급 및 Matching System 구성의 적합성 - 제어·운영 시스템(PC/HMI 기반, 사용자 관리, 데이터 관리 및 자동 운전 기능)의 적합성 | 30점 | ||
| o 설비능력 - 공정 재현성 및 박막 공정 안정성 - 다수 사용자 환경에서의 공용 장비 운용 적합성 - 공정 데이터 관리 및 이력 관리 기능 - 유지관리 편의성 및 향후 확장성 - 장비 안전성 및 보호(Interlock, Alarm) 기능의 우수성 | ||||
| 품질보증 계획의 적정성 (20점) | o 사후 관리 및 추진체계 - 장비 유지보수 및 A/S 체계 - 전담 인력 운영 계획 - 소모품 및 부품 수급의 안정성 - 하자보증 기간 및 범위 | 10점 | ||
| o 교육훈련 및 기타 제안 - 납품 및 설치 일정의 적정성 - 시운전 및 성능 검증 계획 - 장비 운용, 유지보수, 장비 교육 계획 - 기타 제안 사항 | ||||
| 합 계 | 100점 |
과업·요구
| 총합계금액(합계금액+부가세) : | 일금 영원정 | ( | 295,000,000 | ) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 단위:원(\) | |||||||||||
| NO. | 품목 및 규격 | P/N | 단위 | 수량 | 단가 | 합계금액 | 재고 유무 | ||||
| 1 | . | PM 챔버 및 가열부 유닛 | 1 | ||||||||
| -챔버 재질 : 알루니늄 5083 또는 동등 이상 재질 -챔버 내부 구조 : 샤워헤드 기반 가스 분사 구조 -웨이퍼 규격 : 8인치 웨이퍼 대응 -온도 센서 : 열전대(Thermocouple, T/C) 또는 동등 이상 -가열 시스템 : 최대 Susceptor(CH#B) 430 ℃, Al(CH#A) Heater 470 ℃, PID 제어 방식 -Heater table 재질 : Susceptor(CH#B), Al(CH#A) Heater 또는 동등 이상 -Heat-exchanger : 냉각수 순환을 통한 챔버 및 히터부 냉각 -프레임 구성 : 챔버 및 공정 모듈 일체 | |||||||||||
| 2 | Wafer Align 챔버 | ||||||||||
| '-챔버 재질 : 알루니늄 6061 또는 동등 이상 재질 - 웨이퍼 규격 : 8인치 웨이퍼 대응 - 기능: Wafer Flat zone을 wafer 정렬 기능 - 구성: Lift hoop 및 Chuck, Laser, CCD PCB로 구성 | 1 | ||||||||||
| 3 | 가스 시스템 유닛 | ||||||||||
| - 공정 가스 : CF4, SiH4, NH3, N2, N2O, WF6, H2, Ar, NF3 사용 가능 - 가스 제어 방식 : MFC 기반 자동 유량 제어 - 가스 밸브 및 레귤레이터 - 가스 매니폴드 및 관련 배관 일체 | 1 | ||||||||||
| 4 | . | 진공 및 펌핑 유닛 | |||||||||
| - 진공 펌프 : Dry Pump 3ea 구성, - 도달 진공도 : 1×10E-3 Torr 이하 - 진공 속도 : 297 CFM (60Hz) - 진공 게이지 : Baratron, TC Gauge - 진공 밸브 및 배관 : 트로틀 밸브, 매니폴드, 펌프 라인 포함 | |||||||||||
| 5 | 이송·구동(스테이지) 유닛 | ||||||||||
| -웨이퍼 이송 : Phase III Robotics 기반 자동 이송 -웨이퍼 감지 : I/O Wafer Sensor -웨이퍼 스테이지 : 13 Slot Stage(2ea) -구동 방식 : Step Motor 및 Lead Screw 기반 정밀 구동 -웨이퍼 위치 제어 : 자동 로딩 및 Positioning | 1 | ||||||||||
| 6 | . | 제어 및 전장 시스템 유닛 | |||||||||
| - 제어반(Control Box) - VME 기반 I/O 제어 시스템 - LCD 터치 패널 기반 - 온도 제어 시스템 : PID 제어 방식 - 온도 센서 : 열전대(T/C) - 공정 데이터 이력 관리 : 온도, 진공, 압력, 시스템 에러 자동 저장 | |||||||||||
| 7 | 플라즈마 유닛 | ||||||||||
| - RF Power Supply : 13.56 MHz, 최대 1250 W - Auto Matching Network : 자동 임피던스 매칭 - RF Electrode : Showerhead Electrode 방식 - 플라즈마 발생 : Single Frequency Plasma 방식 | 1 | ||||||||||
| 8 | 인건비 및 설치비 | ||||||||||
| -장비 기계·전기 설계 -장비 조립 및 자체 시운전 -현장 반입 및 설치 -전기 배선 및 유틸리티 훅업 -성능 검증 및 사용자 교육 | |||||||||||
| 소 계 | - | ||||||||||
| 부 가 세 | |||||||||||
| 총 합 계 |
| 1. 품명 | 플라즈마 화학 기상 증착기 | ||
|---|---|---|---|
| 2. 수량 | 1 | 3. 작성일 | 2026년 08월 7일 |
| 4. 물품분류번호 | 23990398 | ||
| 5. 세부사양 (Specifications) | |||
| 가. 장비 특성 및 품질 1) PE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)는 플라즈마를 이용하여 화학 반응을 촉진함으로써 저온에서 고품질의 박막을 형성하는 증착 공정을 의미한다. 2) 본 장비는 SiO₂, Si₃N₄ 및 W 박막의 증착이 가능하여야 하며, 다양한 절연막 및 금속막을 고품질로 증착할 수 있어야 한다. 3) Susceptor Heater를 이용하여 SiO₂ 및 Si₃N₄는 최대 430 ℃, W는 Al Heater를 사용하여 최대 470 ℃의 공정 온도에서 안정적인 증착이 가능하여야 하며, RF Plasma를 이용하여 우수한 막질과 높은 증착 균일도를 확보할 수 있어야 한다. 4) 정밀한 Mass Flow Controller(MFC)와 자동 압력 제어 시스템을 적용하여 공정 가스의 유량 및 공정 압력을 안정적으로 제어할 수 있어야 한다. 5) Dry Vacuum Pump를 이용하여 안정적인 진공 환경을 유지할 수 있어야 하며, 공정 중 발생하는 부산물에 의한 장비 오염을 최소화할 수 있어야 한다. 6) 데이터 관리 시스템을 통하여 장비 이력 관리, 공정 Recipe의 저장·제작·수정 및 관리가 가능하여야 하며, 반복 공정 시 동일한 공정 조건을 구현하여 높은 공정 재현성을 확보할 수 있어야 한다. 7) Gas Interlock, Door Interlock 및 Emergency Stop 등 안전장치를 갖추어 사용자의 안전과 장비의 안정적인 운용이 가능하여야 한다. 나. 상세규격 1) Cassette Handler Stage - 8인치 웨이퍼를 수용할 수 있는 13 Slot Cassette(2EA)를 제작 및 적용하여 다량의 웨이퍼를 동시에 로딩할 수 있을 것. - Cassette Indexer를 적용하여 카세트의 자동 위치 정렬 및 로딩/언로딩이 가능할 것. - Cassette Clamp Switch를 적용하여 카세트의 잠금(Lock) 및 해제(Unlock) 기능을 제공할 것. - Cassette Present Switch를 적용하여 카세트 장착 여부를 자동으로 감지할 수 있을 것. 2) L/L Chamber - Phase III Robotics 기반 자동 웨이퍼 이송 시스템을 적용하여 공정 챔버와 Load Lock 간 웨이퍼의 자동 이송이 가능할 것. - Robot Blade는 Vacuum Chuck을 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 이송하고, Front/Rear Shoe를 적용하여 웨이퍼를 Pocket의 기준 위치에 정확하게 안착시킬 수 있을 것. - I/O Wafer Sensor를 탑재하여 웨이퍼 유무를 자동으로 감지 및 오이송을 방지할 수 있을 것. - Storage Elevator(8 slot)를 적용하여 웨이퍼의 임시 보관 및 냉각 기능을 수행할 수 있을 것. - I/O Slit Valve를 적용하여 Cassette와 Load Lock Chamber를 분리하고, 공정 중 진공 환경을 유지할 수 있을 것. - Diffuser를 적용하여 Pumping 및 Venting 과정에서 발생하는 공기 유동의 편중을 방지하고 안정적인 압력 변화를 제공할 것. - Slit Valve(Actuator 및 Slit Valve Plate 포함)를 적용하여 Load Lock Chamber와 Process Chamber를 분리하고, 공정 중 진공을 안정적으로 유지할 수 있을 것. 3) Orienter chamber - 웨이퍼의 Notch 또는 Flat을 자동으로 검출하여 기준 위치로 정렬할 수 있을 것. - 회전(Rotation) 및 정렬을 통해 웨이퍼가 공정 챔버의 정확한 위치에 이송이 가능할 것. - Wafer Chuck을 적용하여 웨이퍼 회전 및 안정적으로 안착이 가능할 것. - Silicon O-ring을 적용하여 회전 중 웨이퍼의 미끄러짐을 방지할 것. - Laser Assembly 및 Optical Detector(CCD 방식 또는 동등 이상의 성능)를 적용하여 웨이퍼의 Flat/Notch를 자동으로 검출이 가능할 것. - Lift Hoop 및 Wafer Lift Assembly를 적용하여 웨이퍼의 승·하강 및 Wafer Chuck 안착이 가능할 것. 4) W chamber - 챔버 크기 : 8인치 웨이퍼 로딩이 가능할 것 - 챔버 재질은 알루미늄 5083 또는 동등 이상의 성능을 갖는 재질을 적용할 것. - Shower Head 기반 가스 분사 구조를 적용할 것. - Vacuum Chuck 또는 동등 이상의 웨이퍼 고정 시스템을 적용하여 Backside Deposition을 최소화할 것. - Thermocouple(T/C)를 이용한 실시간 온도 측정이 가능할 것. - PID 제어 방식으로 Heater Table 온도를 제어할 것. - 박막 특성: Resistance uniformity(Wafer to wafer) < ±2.5%, step coverage > 90% - Heater Table은 알루미늄 또는 동등 이상의 성능을 갖는 재질로 제작되며, 최대 470 ℃까지 사용 가능하고, 온도 제어 정확도는 설정값 기준 ±3℃ 이내를 만족할 것 - Lift Pin(4EA)을 적용하여 웨이퍼 무진동 승, 하강이 가능할 것. - 챔버 및 Heater 부의 냉각 제어는 별도의 Heat Exchanger를 통해 냉각수 순환이 가능할 것. - Water Manifold를 적용하여 냉각수 순환 및 가스 응축을 방지할 것. - RF Match Rod 및 RF Strip을 적용하여 RF Power를 전달할 것. - RF Match Box를 적용하여 RF Power를 안정적으로 공급하고, RF Reflect Power는 출력 대비 2% 이하를 만족할 것. - Baratron Gauge를 Throttle Valve를 적용 챔버 압력을 측정 및 제어할 것. - Chamber Slit Valve를 적용하여 Load Lock Chamber와 Process Chamber를 분리할 것. - Isolator를 적용하여 RF 전기 절연 기능을 제공할 것. 5) Dielectric chamber - 챔버 크기 : 8인치 웨이퍼 로딩이 가능할 것 - 챔버 재질은 알루미늄 5083 또는 동등 이상의 성능을 갖는 재질을 적용할 것. - Shower Head 기반 가스 분사 구조를 적용할 것. - Thermocouple(T/C)를 이용한 실시간 온도 측정이 가능할 것. - PID 제어 방식으로 Heater Table 온도를 제어할 것. - Si3N4 박막 특성: Uniformity < ±1.5%, RI 2.00 ± 0.1 - SiO2 박막 특성: Uniformity < ±1.5%, RI 1.46 ± 0.05 - Heater Table은 Al Susceptor 또는 동등 이상의 성능을 갖는 재질로 제작되며, 램프(Lamp) 가열 방식을 적용하여 최대 430 ℃까지 사용 가능하고, 설정값 기준 < ± 3℃을 만족할 것 - 챔버 및 Heater 부의 냉각 제어는 별도의 Heat Exchanger를 통해 냉각수 순환이 가능할 것. - Lift Pin(4EA)을 적용하여 웨이퍼 무진동 승·하강이 가능할 것. - Water Manifold를 적용하여 냉각수 순환 및 가스 응축을 방지할 것. - RF Match Rod 및 RF Strip을 적용하여 RF Power를 전달할 것. - RF Match Box를 적용하여 RF Power를 안정적으로 공급할 것. - Baratron Gauge와 Throttle Valve를 적용하여 챔버 압력을 측정 및 제어가 가능할 것. - Chamber Slit Valve를 적용하여 Load Lock Chamber와 Process Chamber를 분리할 것. - Isolator를 적용하여 RF 전기 절연 기능을 제공할 것. 6) 제어 및 운영 시스템 - 장비는 수동 및 자동 운전을 지원하며, VME 기반 I/O 또는 동등 이상의 제어 시스템, 운영용 컴퓨터 및 모니터를 포함할 것. - LCD Touch Panel(HMI)을 적용하여 장비 운전 및 상태 모니터링의 편의성이 확보되어야 함. - 사용자 로그인 계정에 따라 접근 가능한 화면 및 기능을 차등 설정할 수 있는 사용자 권한 관리 기능을 제공할 것. - 공정 데이터 이력 관리(Data Logging & History) 기능을 제공할 것. - 장비 이상 알림(Alarm) 기능을 제공할 것. - System Controller Rack을 적용하여 장비를 제어할 것. - System Electronics Rack을 적용하여 Sensor, Motor 및 T/C의 전원과 제어 신호를 관리할 것. - Main AC Box를 적용하여 장비 전원을 분배할 것. 7) Remote AC Rack(RF Generator포함) - Remote Rack을 포함하여 RF 전원 공급 및 제어 시스템을 구성할 것. - Remote AC Rack을 적용하여 장비 구동 전원 분배 및 System Component와의 전원·신호 제어가 가능할 것. - Circuit Breaker 및 Main Contactor를 적용하여 장비 전원 보호 및 분배 기능을 제공할 것. - Remote Wiring Distribution Board를 적용하여 Main Frame과 System Component 간 제어 신호를 전달할 것. - N₂ Dry Vacuum Board를 적용하여 Pump와 Main Frame 간 제어 신호를 관리할 것. - RF Generator(OEM-12B 또는 동등 이상의 성능) 2대를 포함하여 각 공정 Chamber에 독립적인 RF Power 공급이 가능할 것. - RF 최대 출력(Power) : 1250 W - RF 최대 출력(전류) : 12 A 이상일 것. - 공정 조건 변화에 따른 임피던스 자동 보정이 가능한 Automatic Matching System 적용할 것. - 플라즈마 발생 방식은 Single Frequency Plasma 방식일 것 8) Gas Panel - 사용 가능한 공정 가스는 CF₄, SiH₄, NH₃, N₂, N₂O, WF₆, H₂, Ar 및 NF₃를 포함할 것. - 가스 공급은 MFC 기반 자동 유량 제어 방식을 적용하여 공정 레시피에 따른 가스 유량 조절이 가능할 것. - Manual Valve, Air Valve, Final Valve 및 Divert Valve를 적용하여 공정 가스 공급, 차단, Purge 및 Cleaning 공정을 수행할 수 있을 것. - 가스 공급 라인은 공정 가스 특성에 적합한 재질 및 구성을 적용하여 안정적인 가스 공급이 가능할 것.(밸브류, MFC류, 배관 등) - 각 MFC의 유량 제어 정확도는 설정값 기준 ±2% 이하를 만족할 것. - Filter를 적용하여 공정 가스 내 Particle을 제거할 수 있을 것. - Regulator 및 Pressure Transducer를 적용하여 가스 압력의 제어 및 모니터링이 가능할 것. - Gas Panel PCB를 적용하여 MFC 및 Solenoid Valve를 제어할 수 있을 것. - Gas Exhaust를 적용하여 가스 누설 발생 시 안전하게 배출할 수 있을 것. - Gas Panel Interlock 기능을 포함하여 이상 발생 시 가스 공급을 자동 차단할 수 있을 것. - 사용자의 안전을 고려하여 Toxic gas 누설 감지기와의 연동이 가능할 것. 9) Vacuum Pump - 공정 챔버 및 Load Lock Chamber의 진공 형성을 위한 Dry Pump 기반 시스템을 구성할 것. - 도달 진공도는 1.0×10⁻³ Torr 이하일 것. - Vacuum pump capacity : 9500L/min - 진공 펌프의 배기 용량은 297 CFM(60 Hz) 이상일 것. - Baratron Gauge 및 TC Gauge를 적용하여 챔버 압력 측정 및 모니터링이 가능할 것. 다. 구성품 (악세사리 포함) 1) Cassette Handler Stage(13 slot cassette 2ea) 2) L/L Chamber 3) W chamber 4) Dielectric chamber 5) Orienter chamber 6) 제어 및 운영 시스템 - System Controller Rack - System Electronics Rack - Main AC Box - Pneumatics Panel - Heat Exchanger 7) Remote AC Rack(RF Generator포함) 8) Gas panel 9) Vacuum Pump - Dry pump(3세트) 라. 장비설치 및 검수 - 장비 설치 및 조정 장비 공급자는 울산과학기술원이 지정하는 시간 및 장소에 장비를 설치하고, 정상 작동을 위해 아래에 요구되는 모든 조건 및 공정 결과를 충족하여야 한다. 마. 교육훈련 - 장비와 관련된 교육은 별도로 울산과학기술원과 협의하여 실시한다. - 다음과 같은 교육은 별도의 협의가 없어도 필수적으로 수행되어야 한다. * 장비 작동법 교육 * 유지보수 교육 * 프로그래밍 교육 바. 하자보증 - 장비의 하자보증 기간은 6개월로 한다. - 하자보증 기간 중 정상적인 작동 상태에서 발생하는 모든 결함은 장비 공급자의 책임 하에 무상으로 수리되어야 한다. 사. 서비스 - 하자보증기간 이내 장비 공급자는 장비의 결함 발생 시 사용자의 요청을 접수한 이후 2일 이내에 현장에 도착하여야 하며 도착 후 7일 이내에 수리작업을 완료하여야 한다. - 부품의 교체가 필요한 경우에는 그 부품의 정확한 공급 가능 시점을 확인하여 울산과학기술원에 통보하고 승인을 받아야 한다. 아. 기타 - 설치 및 시운전 : 공급사 자. 납기 - 26년 12월 15일 까지 | |||
| 6. Remarks | |||
| (1) 설치 | 공급업체 | ||
| (2) Warranty | 6개월 | ||
| (3) Training | 공급업체 |