입찰공고상세[외자] · 마감 · AI 페이지

대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비 1대 구매(재)

이 페이지는 공공일감(work.00data.kr)이 입찰공고 「대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비 1대 구매(재)」을 AI가 읽기 좋게 한 장으로 정리한 글이다.

공고명 · 금액 · 일정은 공공데이터포털 · 조달청 입찰공고 정보 그대로이고, 요약 · 문서 분석 · 발췌는 공공일감이 공고문과 첨부를 읽고 만든 것이다.

이 가공물은 인용할 수 있으며, 인용할 때는 공공일감과 공고 페이지 링크(https://work.00data.kr/projects/R26BK01732499)를 출처로 밝히는 조건이다. 베타 기간 무료.

2026-10-13 16:56 KST 기준 · 최종 확인은 나라장터 원문을 따른다.

공고 정보: 공공데이터포털 · 조달청 입찰공고 정보 · 요약 · 분석: 공공일감이 공고문과 첨부를 읽고 정리

링크

비슷한 공고

링크는 각 공고의 AI 페이지다.

진행 중

끝난 공고 · 결과

첨부파일

뷰어 링크는 사람이 원문을 볼 때 쓰는 화면이다. 이 문서들에서 뽑은 자격 · 배점 · 일정 · 발췌는 이 페이지 아래에 글로 있다.

공고 개요

재공고 · 외자 · 유찰 · 재단법인 한국나노기술원 · 반도체·박막 공정장비

결과
유찰
참가
1곳 · 개찰 09/30(수)

요약 AI 요약

6인치 GaAs/InP 기판 위에 비소/인화물계 화합물반도체 에피택시를 여러 층 적층해 HEMT·LED 등 전자소자·광소자용 에피웨이퍼를 성장시키는 대면적 유기금속화학기상증착(MOCVD) 장비 1대를 구축하는 사업이다.

사업 내용 · 이 공고에 든 일

중심 · 대면적 비소/인화물계 MOCVD 장비 1대 공급

물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비

반도체·박막 소자를 만드는 공정장비인 MOCVD(유기금속화학기상증착) 장비를 구매하는 공고로, 대학·연구기관 팹에서 쓰는 반도체·박막 공정장비에 해당한다.

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 평가위원들의 종합 평점의 평균이 100점 만점에 85점 이상을 득한 업체를 규격입찰 적격 업체로 선정한다.

배점표 (AI 요약)
평가 항목배점
납품실적10점
생산성(한 번 성장 시 6인치 기판 적재 수)20점
제안개요 및 업체현황10점
공고 규격의 적합성15점
공정품질 및 재현성10점
경제성(가스소모량)5점
설비능력20점
사후 관리5점
추진 계획/교육 훈련5점
합계(항목을 더한 값)100점

참가 자격 · 제한

업종제한
제한 없음
지역제한
제한 없음
공동수급
공동수급불허
입찰참가 제한
모름
실적경쟁 · PQ
모름
국제입찰
국제입찰
제출 방법
전자입찰

입찰 일정

진행일시남은 날
공고 게시09/18(금)지남
입찰서 제출 시작09/18(금) 14:00지남
입찰참가자격 등록 마감09/29(화) 18:00지남
입찰서 제출 마감09/30(수) 14:00지남
개찰09/30(수) 15:00지남

가격

외화 예산
USD 2,750,000 (배정예산의 통화)
예정가격 방식
비예가

납품

품명
진공증착기 (2399039801)
수량
1 SET
납품
계약 후 365일
인도조건
모름
제조물품
모름
세부품명 등록
모름

공고 정보

공고종류
재공고 (재입찰공고)
게시일
09/18(금)
공고번호
R26BK01732499-000
참조번호
-
공고기관
재단법인 한국나노기술원
수요기관
재단법인 한국나노기술원
계약방법
일반경쟁
낙찰방법
규격가격동시입찰
계약유형
총액계약
예정가격 방식
비예가
추정가격
-
배정예산
-
사전규격번호
R26BD00244651
재공고
재공고
출처
나라장터

문서 발췌

과업·요구

작 성 항 목작 성 방 법필수제출 서식
1. 납품실적최근 5년이내 6인치 GaAs/InP MOCVD 동일모델에 (타모델 불가, 예시:GaN, ZnO, 2D 장비불가) 대하여 납품 및 수주 실적 작성 (증빙자료 첨부)자유 양식
2. 생산성- 한번 성장 시 6인치 기판 loading 수장비 카다로그 및 브로셔 기반 자유 양식
3. 제안개요 및 업체
현황
- 제안요청 내용을 명확하게 이해하고 본 제안의 목적, 범위, 전
제조건 및 제안의 특징 및 장점을 요약
- MOCVD 전문 기업으로써 일반현황, 주요연혁, 주요사업분야, 기술인력 현황 작성
- 응찰장비에 대한 카다로그 및 브로셔 (필수)
자유 양식
4. 기술부문
가. 공고 규격
적합성
- 장비의 핵심요구사양, 일반사양, 특징 및 장점 명기
- 상세 규격서 및 용도설명서의 규격 충족도 및 적합성
- 용도 및 기능의 충족성
물품사양서에 제시된 규격
관련 자료
나. 공정품질 및
편의성/경제성
- wafer-to-wafer 균일도를 위한 포켓별 독립적인 성장온도제어 시스템 기능
- 가스소모량 (GaAs, InP 성장기준, H2, N2, AsH3, PH3)
장비 카다로그 및 브로셔 기반 자유 양식
다. 설비능력- 설비 능력 및 특성
(In)(Al)GaAs / (Al)(Ga)InP-based MQWs on GaAs 공정 demo 품질)
- 제안 장비의 우수성: 설비 자동화 특징, 공정온도, 기판 휨,
균일도 향상을 위한 사용의 편리성 및 호환성
- 시스템의 안정성 및 신뢰성
물품사양서에 제시된 규격
관련 자료
5. 품질 보증계획의 적정성
가. 사후 관리성- 시스템 유지보수, 인력운영계획
- 유지보수를 위한 국내 A/S 및 국내 부품수급의 용이성
- 제시한 보증기간의 적정성 (소모성파트 제외)
자유 양식
나. 설치 계획 및
교육 훈련
- 납품 및 설치 일정표 등의 적합성
- 교육훈련 계획

배점·평가

평가 항목산정 방법평점평가 요소
정량
(30점)
납품실적10점- 제안한 장비모델에 (GaAs/InP MOCVD) 대해 최근 5년 동안 (2021~2025) 국내 화합물반도체 기관 대상으로 납품 또는 수주실적
- 우수:3대 이상, 양호:2대, 보통:1대, 미흡:0대
생산성
(Throughput)
20점- 한번 성장 시 6”기판 loading 수
- 우수:8매 이상, 양호:6매~7매,
보통:3매~4매, 미흡:2 이하
정성
(70점)
제안개요 및 업체 현황10점- 산학연에 대한 기술지원 및 화합물반도체 생태계 조성을 목적으로한 본 구축사업의 목적을 고려할 때, 제안 개요 및 목적, 범위, 내용의 부합성
- 본 구축사업의 목적에 맞춰 MOCVD 전문기업으로써 제안사의 일반현황, 주요연혁, 주요 사업 분야, 기술인력 현황 등 전문성
- 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60% 미만
공고 규격의
적합성
15점- 상세규격서 ‘1.핵심요구사양‘과 ’2.상세사양의 1) Platform type’을 모두 만족 시킬 때 상세규격 검토 및 평가
- 상세규격서 ‘2.상세사양’에 대한 규격 만족도
- 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족,
보통:60% 이상 만족, 미흡:60%미만
공정품질 및
재현성
10점- wafer-to-wafer 균일도를 위한 포켓별 독립 성장온도 제어 기능
- 기능있음: 10점, 대체기능_양호 (기능품질
80%이상), 대체기능_보통(기능품질
60%이상, 기능없음: 1점
경제성
(Cost-effectiveness)
5- GaAs 및 InP 성장 시 가스소모량 (수소, 질소, 및 특수가스)
- R&D 수준에 적합한 가스소모량 우대
설비능력20점- InAlAs/InGaAs HEMT 소자 적용 가능 수준
- GaAs 기판 위에 Meata morphic buffer를 이용한 InP 성장
- Materials demo spec의 품질 및 산포수준
- 설비 사용의 편의성
- 공정온도의 균일도 향상을 위한 공정 중
독립적인 기판별 온도 자동제어 기능
- 공정 중 성장되는 기판의 휨조절 기능
- 에피택시 성장 시 두께/조성 균일도
향상을 위한 기능의 우수성
- 설비운영의 안정성 및 기존 구축
인프라와의 호환성
- 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60% 미만
사후 관리5점- 장비 유지보수 및 인력운영계획
- 유지보수를 위한 국내 A/S 및 부품수급의
용이성
- 제시한 보증기간 이상의 하자보증
(소모성파트 제외)
- 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60%미만
추진 계획
/교육 훈련
- 납품 및 설치 일정표 등의 적합성
- 장비 교육 훈련 계획
- 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60%미만
합 계100점
우수양호보통미흡
201281
우수양호보통미흡
10531
우수양호보통미흡
151051
기능
있음
대체기능_양호유사기능_보통기능
없음
10531
우수양호보통미흡
5321
우수양호보통미흡
201051
우수양호보통미흡
5431
우수양호보통미흡
5431

Ⅱ. 세부 채점 기준표

III. 규격가격동시입찰 규격평가 기준표

O 합격기준 : 총점 100점 기준에서 85점 이상 획득

구 분평가항목배점채점방법세부평가항목
정량
(30점)
납품실적10항목별
배 점
- 납품실적에 따른 배점표
생산성20- 제시된 규격에 대한 적합성 평가
정성-개요 및 기본정보
(10점)
제안개요 및 업체현황10- 본 사업과 제안개요 및 내용에 대한 적합성
- 제안사 사업분야, 인력운영의 적합성
정성- 기술·지식 능력
(50점)
공고 규격 또는 기술과의 적합성15- 제시된 규격에 대한 적합성 평가
공정품질 및 재현성10
경제성5
해당 장비의 설비능력 및 기술성 평가20
정성-품질보증
계획의 적정성
(10점)
사후 관리성5- 시스템 유지보수를 위한 A/S여부
- 사후 기술지원 및 범위
- 사후관리정책 여부
추진계획/교육훈련- 납품 및 설치 일정표 등의 적합성
- 장비 교육훈련 계획
합 계100
평 가 항 목배점평가기타
정량
(30점)
o 납품실적
- 제안한 장비모델에 (GaAs/InP MOCVD) 대해 최근 5년 동안 (2021~2025) 국내 화합물반도체 기관 대상으로 납품 또는 수주실적
10점
o 생산성 (생산기판 수)
- 한번 성장 시 6인치 기판 loading 매수
20점
정성
(70점)
o 제안개요 및 업체 일반현황
- 산학연에 대한 기술지원 및 화합물반도체 생태계 조성을 위한 본 구축사업의 목적을 고려할 때, 제안 개요 및 목적, 범위, 내용의 적합성
- 본 구축사업의 목적에 맞춰 MOCVD 전문기업으로써 제안사의 일반현황, 주요연혁, 주요 사업분야, 기술인력 현황 등 전문성
10점
o 공고 규격의 적합성
- 용도설명서 규격 ‘1.핵심요구사양‘을 모두 만족 시켜야 상세규격 검토 및 평가
- 용도설명서 규격 ‘2.상세사양’에 대한 규격 만족도
15점
o 공정 품질 및 재현성
- 포켓별 피드백 기반 독립 성장온도제어 기능
10점
o 경제성
- GaAs와 InP 성장 시 가스소모량
- 챔버로 인입되는 가스량을 기준으로 비교하며, 소비량이
낮을수록 우수한 것으로 비교 평가함
5점
o 설비능력
- InAlAs/InGaAs HEMT 소자 적용 가능 수준의 특성
- Materials demo spec의 품질 및 산포수준
- 설비 자동화의 우수성 및 사용 편의성
- 카세트의 웨이퍼 핸들링 자동화
- 공정온도의 균일도 향상을 위해 에피 성장 중 성장온도
자동제어 기능
- 공정 중 성장되는 기판의 휨조절 기능
- 에피택시 성장 시 두께/조성 균일도 향상을 위한 기능의
우수성
- 설비운영의 안정성 및 기존 구축 인프라와의 호환성
산포수준
20점
o 사후 관리
- 장비 유지보수 및 인력운영계획
- 유지보수를 위한 국내 A/S 및 국내 부품수급의 용이성
- 제시한 보증기간 이상의 하자보증
5점
o 추진 계획 및 교육훈련
- 납품 및 설치 일정표 등의 적합성
- 장비 교육 훈련 계획
합 계100점

과업·요구

(영문) Large-area Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (As/P)
품명(국문) 대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비
용도 개요가. 장비의 개요
- 유기금속형태로 존재하는 III족 원소와 V족의 원소로 이루어진 hydride
gas (AsH3/PH3)를 고온의 반응로(reactor) 내부로 주입했을 때 일어나는
화학반응을 이용하여 이원계 이상의 화합물반도체를 여러층 적층해 조성
과 두께를 (nm ~ ㎛ 수준) 제어하며 에피택시를 성장시키는 장치.
나. 장비의 특성 및 품질
- 6인치 GaAs 기판위에 비소/인화물계 화합물 반도체를 여러층으로 적층하
여 HEMT 또는 LED 구조를 갖는 에피웨이퍼를 성장함.
- 독립된 장비는 공정 챔버와 loadlock 챔버로 구성되어야 함.
- 1대의 III/V족 원료공급시스템은 1개의 독립된 성장챔버에만 원료를 공
급하며 제어함.
- 에피택시의 높은 결정성과 균일도를 구현해야함.
(Materials Demo. Spec. 참조)
상세내역
가. 하드웨어 사양
1. 핵심요구사양
- 성장물질 : III-As/P 기반 화합물반도체 에피택시 (In/Ga/Al-As/P 기반 binary,
ternary 및 quaternary 화합물)
- 사용 MO (metalorganic) 소스 : TMIn, TMGa, TMAl, DEZn, CBr4, DETe 등
- 사용 가스 : AsH3, PH3, SiH4 등
- 분위기 가스 : High purity hydrogen, High purity nitrogen
- 성장 기판 종류 : GaAs, InP 등
- 성장 기판 크기 : 6인치 / 4인치
- Loading capacity : 6인치 기판×7 이상 / 4인치 기판×12 이상 (교체가능)
- 두께 및 조성 균일도 : 6인치 웨이퍼 기준 5% 이내 (5mm E.E.(Edge exclusion))
- 두께 제어 : As required
- 성장 온도 : 고품위 GaAs/InP 기반 박막성장을 위해 최대 900 ℃까지 승온 및 안
정적인 온도 유지가 이뤄져야함.
- 성장기판의 wafer-to-wafer uniformity 확보를 위한 실시간 피드백 기반의 포켓
별(기판별) 독립된 온도제어 시스템
- 독립된 장비는 공정 챔버와 loadlock 챔버로 구성되어야 함.
- 1대의 III/V족 원료공급시스템은 1개의 독립된 성장챔버에만 원료를 공급하면서
성장과정을 제어함.

- 장비의 최대성능 발휘에 필요한 다양한 모니터링/부가장치들을 포함하여야 함. 2. 상세사양 1) General Information - Planetary or showerhead modules 2) Wafer Specification - Wafer Size : 6 inch / 4 inch - Wafer Carrier : 6inch×7 이상 / 4inch×12 이상 - Wafer Type : GaAs or InP 3) Chamber type - Reactor : 6인치 등 기판성장을 위한 가스공급, 냉각, MFC, 센서로 구성 - AutoSat system (포켓별 독립적 성장온도 제어 시스템) 4) Standard MO channel, twin standard MO channel for MO sources: TMGa×2 이상, TMIn×2 이상, TMAl×2 이상, TEGa×1, CBr4×1 이상, DEZn×1 이상, DETe×1 이상, 5) Standard gas channel and twin gas channel for Hydride sources: AsH3×2 이상, PH3×2 이 상, SiH4 2%×2 이상 6) Dilution/dopant gas channel with pressure controller and extra pusher : SiH4 2%, CBr4, DEZn , DETe 7) Source delivery system : MFC, PC, multi-valve, high purity welded manifold, injector block or manifold

8) Heating method: RF / Resistive heater type ≤ 900도 9) Gas flow type: horizontal (penta injector) / vertical (uniform flow flange) gas injection 10) Susceptor 재질: Graphite 11) Vacuum system with pump : dry pump, filter assembly 12) Rotation 방식: 공,자전/공전 13) In-situ monitoring system : TOP-TT senseor for Emissivity-corrected temperature (405nm + 633nm + 950 nm) or Raven Smart Head Monitoring System 14) Hygrometer (H2, N2) 15) Computer control system (운영 S/W 포함) 16) Cooling system/Heat exchanger 17) Carrier gas channel (Dummy line/phantom line) 18) MO소스 온도제어 bath 19) Alarm monitoring system : 압력, 유량, 온도, 밸브, H2, Toxic gas 등 20) PM kit 21) Materials demonstration : GaAs / AlGaAs / DBR / InGaAs MQW on 6 inch GaAs

나. 공정 데모 사양 (6 inch, 5 mm EE 기준)
Ref.Measurements
No.SpecificationMethodPosition/SamplingValuesUnit
1GaAs
1.1Background c.c.Hall @ 300Kcenter, 1 point≤ 1E15-3
cm
1.2Mobility≥ 6,0002
cm /Vs
1.3Hall @ 77K≤ 70,000
1.4Si doping (step doping)CV5E+16 ~ 2E+18-3
1.5Si Doping UniformitySheet Resistancemapping, EE=5mmσ/Average ≤ 5cm
%
1.6C Doping (intrinsic, CBr4)CV, Hallcenter, 1 point≥ 4E19-3
cm
1.7C Doping UniformityCV or Rs (Hall ormapping, EE=5mmσ/Average ≤ 10%
2Lehighton)
Al0.2Ga0.8As
2.1Thickness UniformityXRD/White
Light/InSitu Refl.
3 points, mapping,
EE=5nm
σ/Average ≤ 1.5%
2.2Wavelength UniformityPLmapping, EE=5nm≤ 1.5
2.3Si Doping (step doping)CVcenter, 1 point5E+19 ~ 2E+17-3
cm
2.4C DopingCV, Hall≥ 1E+18
3DBR 20x Al0.9Ga0.1As/Al0.12Ga0.88As
3.1Thickness Uniformity WiW
(SB Center wavelength
white Light
Reflection
mapping EE=5mmσ/Average ≤ 1.3%
3.2940nm)
Thickness Uniformity W2W
(SB Center wavelength
σ ≤ 2nm
4940nm)
InGaAs MQW
4.1PL WavelengthPLavg.940 +/- 1nm Dom
WL
4.2Wavelength Uniformity
(WiW)
mapping EE=5mmσ ≤ 1nm

* (Max-Min)/2*Avg ** (Max-Min) 절대값 (%, nm) *** STD/AVG 1) Thickness uniformity : In-situ measurement 2) Carrier concentration, mobility, resistivity : Hall measurement @ 300K 3) X-ray measurement : Double crystal XRD (without analyzer crystal 4 bounce) 4) Non contact sheet resistance : Lehighton 5) Al concentration : PL @300K (mapping) or Double crystal XRD (5point measure) 6) Stress measurement @ 300K ○ 측정위치 : - 3 point 기준 (0,0), (0,45), (0,90) - 5 point 기준 (0,0), (0,22), (0,45), (0,65), (0,90) ○ 일부 측정장비 및 조건은 장비사용여부 및 분해능을 고려해 협의 후 변경 가능 특기사항 가. 장비설치 및 검수 장비 공급자는 한국나노기술원이 지정하는 시간 및 장소에 장비를 설 치하고, 정상 작동을 위해 아래에 요구되는 모든 조건 및 공정 결과 를 충족하여야 한다. 나. 교육훈련 장비와 관련된 교육은 별도로 한국나노기술원과 협의하여 실시한다. 다음과 같은 교육은 별도의 협의가 없어도 필수적으로 수행되어야 한 다. - 장비 작동법 교육 - 유지보수 교육 - 프로그래밍 교육

다. 하자보증 - Warranty : 1년 (consumable part 제외) - 납 기 : 12개월 이내 - 엔지니어 상주 여부 : on call service - 납품(acceptance test)후 KANC 공정규격 및 장비규격 미달 시 ship back 처리함(KANC spec.in 또는 spec.out의 판단에 대한 분쟁 발생시 KANC 해석에 따름) 라. 지급조건 - 지급방식(T/T 또는 L/C)은 한국나노기술원의 예산 집행 일정 및 계 약 이행 상황을 고려하여 계약당사자 간 상호 협의를 통해 결정 또 는 변경할 수 있다. 마. 서비스 - 하자보증기간 이내 장비 공급자는 장비의 결함 발생 시 사용자의 요청을 접수한 이후 30일 이내에 현장에 도착하여야 하며 도착 후 30일 이내에 수리작업을 완료하여야 한다. - 부품의 교체가 필요한 경우에는 그 부품의 정확한 공급 가능 시점을 확인하여 한국나노기술원에 통보하고 승인을 받아야 한다. 바. 기타. - 설치, 시운전, 교육 : 공급사 ○ 본 사양서에 언급되지 않은 사항은 일반 구매 계약 기준에 따르며 계약 기타사항 후의 별도 사항 발생시에는 상호 협의하에 적용한다. ○ 반드시 상기 사양과 동등 또는 동등 이상의 제품으로 납품하여야 한다. === (재)입찰공고서_AsP_MOCVD.hwp === [공고번호 제2026 – 25 – 01호]

외 자 구 매 입 찰 공 고(재)

1. 입찰에 부치는 사항 1) 입찰건명 : Large-area Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 1SET (대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비 1대)

2) 규격 및 수량 : 별첨 “상세규격서 및 용도설명서, 제안요청서 등” 참조 3) 사업예산 : USD 2,750,000 / KRW 3,797,200,000 ※ 계약은 원화 배정예산 범위 내에서 체결되며, 외화금액은 지정금액 이상 초과할 수 없습니다 4) 입찰방법 : 일반경쟁, 전자입찰 5) 계약방법 : 규격/가격분리동시입찰 6) 납품기한 : 계약완료 후 12개월 이내 (FCA International Airport) 7) 대금지급 : T/T 또는 L/C (Advance Payment 40%, After Shipment 50%, After Final Acceptance 10%) ※ 각 대금 지급시 지급보증서 또는 BOND Guarantee 발행 필수 8) 장비조건 : 신규 제작품 2. 공고기간 및 제출(가격,규격) 1) 입찰 공고기간 : 2026.09.18.(금) 14:00 ∼ 2026.09.30.(수) 14:00 2) 가격입찰서 제출 가. 입찰서제출 마감일시 : ~ 2026.09.30.(수) 14:00 나. 제출방법 : 온라인 제출 ※ 가격입찰은 국가종합전자조달시스템을 통한 전자입찰만 허용하며, 전자입찰서는 입찰공고 후 제출 마감일시까지 24시간 제출 가능 다. 입찰장소 : 국가종합전자조달시스템(나라장터), 입찰담당관PC

라. 제출서류 ① 세부견적서(구성품과 서비스 원산지별 내역에 대한 각각의 금액을 기재) - 입찰서식 (별지 제1-1호, 제1-2호, 제1-3호 서식) - 견적서의 최종가격은 투찰금액과 일치하여야 하며, 입찰금액과 세부견적서 금액이 상이할 경우는 입찰금액이 우선합니다. - Offer validity 는 입찰일로부터 최소한 60일 이상으로 하여야 합니다. - Offer 상에 해당품목의 정확한 HS 번호를 기재하여 주시기 바랍니다. ② PRICE LIST 1부 ③ 공급자증명서 (Supplier’s Certificate) 1부, (별지 제2호 서식) ④ 운송방식별 화물중량(Weight) 및 용적(Dimension) 기재서 1부 마. 개찰일시 : 제안서 기술평가 후 개찰 3) 기술(규격)제안서 등 제출 : 가. 제출일시 : ~ 2026.09.30.(수) 14:00 나. 제출방법 : 나라장터 e발주시스템 다. 제출장소 : e발주시스템을 통한 전자제출 라. 제출서류 : ① 입찰참가신청서(별지 제9호 서식) 1부 ② 제안서(평가기준서 제안서 작성지침 참조) 1부 (원본 1부, 사본 1부) ③ 규격입찰서, 응찰사양서(별지 제5, 6호 서식) 1부

참가자격

※ 가격입찰서와 기술(규격)제안서 중 어느 하나라도 미제출시 입찰 포기로 간주하고, 제출완료 후 반드시 정상 제출 되었음을 응찰자가 직접 확인하여야 함. 이를 확인하지 않아 생기는 불이익은 전적으로 입찰참가자에게 있음 ※ 사본은 반드시‘사실과 상위없음’기입 및 날인(사용인감 또는 법인인감 날인) ※ 제안서 평가결과 종합평점 85점 이상인 자에 한해 가격입찰 권한 부여 3. 개찰 및 낙찰자 결정방법 1) 개찰(가격)일시 : 2026.09.30.(수) 15:00 이후 ※ 상기 개찰일시에도 불구하고 제안서 평가 완료 후 개찰 2) 개찰장소 : 국가종합전자조달시스템(나라장터) 3) 기술원 제시조건에 적격한 업체로서 기술평가위원회 평가결과 종합평점이 100점 만점에 85점 이상인 입찰자 중 사업예산 이하 최저가격의 입찰서를 제출한 자가 낙찰자로 선정됩니다. 응찰가격이 동일한 경우에는 납품기한, 거래조건 등 기술원에 유리한 입찰자를 낙찰자로 선정합니다. ※ 외화 입찰자와 입찰가격 전부 또는 일부를 원화로 제안한 입찰자의 입찰가격을 비교하는 경우에는 외화 입찰자의 입찰가격은 외자입찰유의서 제20조에 따라 원화로 환산하여 비교ㆍ평가합니다. 4. 입찰 참가자격 1) 국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정에 따른 경쟁입찰참가자격 등록자로서 다음 각 호의 어느 하나에 해당하는 자

가. 외자분야 등록자 나. 외자물품 입찰대상과 동종의 물품이 등재되어있는 물품분야 등록자 다. 국외소재업체 등록자 2) 조달청에 입찰참가자격을 등록하지 않은 자는 국가종합전자시스템 입찰참가 자격등록규정에 따라 개찰일 전일까지 조달청 본청 또는 각 지방조달청에 입찰참가자격 등록을 하여야 합니다. 가.「국가계약법 시행규칙」 제15조 제5항의 규정에 따라 조달청 이외의 관서에 입찰참가자격등록을 한 경우에는 개찰일 전일까지 '국가종합전자조달시스템' (https://www.g2b.go.kr)에 등록사항이 게재된 경우에만 조달청에 입찰참가자격등록을 한 것으로 봅니다. 나. 개찰일 전일이 휴일일 경우 직전 근무일까지 등록을 하여야 입찰참가에 차질이 발생하지 않습니다. 다. 국가종합전자조달 시스템 전자입찰 이용자 등록을 한 자이어야 하며, 전자입찰 이용자 등록을 하지 않은 자는 지정 공인인증기관의 인증서를 교부 받은 후 「조달업체이용약관」에 동의한 다음 국가종합전자조달시스템에 등록을 하여야 합니다. 3) 「국가계약법」제27조의5 및 같은 법 시행령 제12조제3항에 따라‘조세포탈 등을 한 자’로서 유죄판결이 확정된 날부터 2년이 지나지 아니한 자는 입찰에 참여할 수 없습니다. (국가계약법령 적용 대상 건에 한함) 가. 입찰자는「국가계약법 시행령」제12조 제3항 각 호에 해당하지 아니한다는 서약서를 입찰 시 제출하여야 합니다. 만일 서약내용이 허위로 판명될 경우 계약의 해제·해지를 당할 수 있고, 부정당업자 입찰참가자격제한 처분을 받을 수 있습니다.

4) 낙찰자가 정당한 사유 없이 낙찰통보 접수일로부터 10일 이내에 계약을 체결하지 아니할 경우에는 「국가계약법 시행령」 제38조에 따라 입찰보증금에 상당하는 금액을 현금으로 납부하여야 하며, 동 시행령 제76조에 따라 부정당업자로 입찰참가자격을 제한 받게 됩니다. 5) 입찰보증금의 귀속조치 등에 관하여는 우리원 계약업무규칙 제38조 규정에 의합니다. 6) 본 입찰에서 낙찰되어 계약을 체결할 경우 해외공급자의 계약서 서명이 있어야 합니다. 가. 해외공급자가 입찰자에게 서명권한을 위임하지 않고, 직접 서명도 하지 아니하여 계약을 체결할 수 없는 경우 동 시행령 제76조, 제38조 등에 따라 부정당업자 입찰참가자격 제한, 기술원으로 입찰보증금 귀속 등의 조치를 받게 됩니다. 나. 서명권한 위임장(별지 제13호 서식)은 입찰서 제출 시, 감가서류 제출 시 등 계약서 초안 송부 전 미리 제출이 가능합니다. 6. 구매조건 1) 입찰서 유효기간 : 개찰 후 90일 이상 2) 입찰통화 가. 주장비(Main body) 및 부속장비 - 외국산은 생산 또는 공급되는 국가의 통화나 미국통화(USD)로 견적하여야 함 - 국내산은 한국통화(원)로 견적하여야 함. 3) 인도조건 : FCA (Incoterms 2020 적용) 4) 분할납품 : 불허 (천재지변, 소요·폭동 등의 경우 기술원 사전 승인 후 분할납품)

과업·요구

5) 하자담보책임기간: 설치 및 검수완료일로부터 12개월 (하자보수보증금액 : 5%) 6) 대금 결제조건: Telegraphic Transfer (T/T) or Letter of Credit (L/C) 7) 화물중량 및 용적 - 중량(용적) 표기 : 국외에서 공급되는 물품인 경우에는 각 품목에 대한 총 중량과 용적(각 CASE 및 DIMENSION)을 각기 계산하여 견적서 또는 별지에 정확하게 표기 후 제출하여야 함 8) 위험물 표시 - 물품이 국제항공운송협회(IATA) 규정에 의한 폭발물, 가스, 인화성 물질, 독극물, 방사능 물질 등 위험물이거나 일부가 포함되어 있으면 견적서에 그 내용과 등급을 표기하여야 하고, 선적 시 운송업자에게 위험물품 하주(荷主) 신고서(Shipper's Declaration for Dangerous Goods)를 제출하여야 함 - 해상운송의 경우에 위험물 또는 산적화물(bulk cargo), 장대품 등으로 컨테이너에 적재할 수 없는 특수화물은 견적서에 이를 상세하게 적어야 합니다. 9) 정부 및 관련기관의 허가 또는 승인을 득할 수 없는 경우 본 입찰에 따르는 계약은 무효이며, 우리 기술원은 이로 인한 어떠한 비용과 책임을 부담하지 않음 10) 포장은 국제표준수출포장에 의하여야 하며, 목재포장일 경우에는 국제식물보호협약(IPPC)의 규정에 따라야 함

(영문) Large-area Metal-Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)-As/P
품 명(국문) 대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비
Model-HSK No.-
수량/단위1 대금액(추정)
용도개요○ 본 장비는 대면적 GaAs 및 InP 기반 에피성장에 요구되는 필수장비로 전자소자
및 광소자를 구성하는 화합물반도체 에피성장에 사용됨.
○ 고성능의 화합물반도체 기반 전자소자 및 광소자 제작을 위해 고품위의 GaAs/InP
기반 에피택시 적층구조 성장이 가능한 시스템.
○ 본 장비는 양산 대응이 가능한 장비이며, 6인치 GaAs 기판에 성장된 GaAs/InP 기
반 화합물반도체 에피택시의 높은 두께/조성 균일성 확보가 가능함.
규 격1. 핵심요구사양
- 성장물질 : III-As/P 기반 화합물반도체 에피택시 (In/Ga/Al-As/P 기반 binary,
ternary 및 quaternary 화합물)
- 사용 MO (metalorganic) 소스 : TMIn, TMGa, TMAl, DEZn, CBr4, DETe 등
- 사용 가스 : AsH3, PH3, SiH4 등
- 분위기 가스 : High purity hydrogen, High purity nitrogen
- 성장 기판 종류 : GaAs, InP 등
- 성장 기판 크기 : 6인치 / 4인치
- Loading capacity : 6인치 기판×7 이상 / 4인치 기판×12 이상 (교체가능)
- 두께 및 조성 균일도 : 6인치 웨이퍼 기준 5% 이내 (5mm E.E.(Edge exclusion))
- 두께 제어 : As required
- 성장 온도 : 고품위 GaAs/InP 기반 박막성장을 위해 최대 900 ℃까지 승온 및 안정
적인 온도 유지가 이뤄져야함.
- 성장기판의 wafer-to-wafer uniformity 확보를 위한 실시간 피드백 기반의 포켓별
(기판별) 독립된 온도제어 시스템
- 독립된 장비는 공정 챔버와 loadlock 챔버로 구성되어야 함.
- 1대의 III/V족 원료공급시스템은 1개의 독립된 성장챔버에만 원료를 공급하면서
성장과정을 제어함.
- 장비의 최대성능 발휘에 필요한 다양한 모니터링/부가장치들을 포함하여야 함.
2. 상세사양
1) General Information
- Platform Type : Planetary or showerhead modules
2) Wafer Specification
- Wafer Size : 6 inch / 4 inch
- Wafer Carrier : 6inch×7 이상 / 4inch×12 이상 (swap)
- Wafer Type : GaAs or InP
3) Chamber type
- Reactor : 6인치 등 기판성장을 위한 가스공급, 냉각, MFC, 센서로 구성
- AutoSat system (포켓별 독립적 성장온도 제어 시스템)
4) Standard MO channel, twin standard MO channel for MO sources: TMGa×2 이상, TMIn×2
이상, TMAl×2 이상, TEGa×1, CBr4×1 이상, DEZn×1 이상, DETe×1 이상.
5) Standard gas channel and twin gas channel for Hydride sources: AsH3×2 이상, PH3×2 이
상, SiH4 2%×2 이상
6) Dilution/dopant gas channel with pressure controller and extra pusher : SiH4 2%, CBr4,
DEZn , DETe
7) Source delivery system : MFC, PC, multi-valve, high purity welded manifold, injector block
or manifold
8) Heating method: RF / Resistive heater type ≤ 900도
9) Gas flow type: horizontal (triple injector) / vertical (uniform flow flange) gas injection
10) Susceptor 재질: Graphite
11) Vacuum system with pump : dry pump, filter assembly
12) Rotation 방식: 공,자전/공전
13) In-situ monitoring system : TOP-TT senseor for Emissivity-corrected temperature (405nm +
633nm + 950 nm) or Raven Smart Head Monitoring System
14) Hygrometer (H2, N2)
15) Computer control system (운영 S/W 포함)
16) Cooling system/Heat exchanger
17) Carrier gas channel (Dummy line/phantom line)
18) MO소스 온도제어 bath
19) Alarm monitoring system : 압력, 유량, 온도, 밸브, H2, Toxic gas 등
20) PM kit
21) Materials demonstration : GaAs / AlGaAs / DBR / InGaAs MQW on 6 inch GaAs
활용 계획 및
설치장소
○ 150 mm GaAs 및 InP 기반 공정 지원 : III-V(As/P) 반도체 에피택시 성장
○ 구축 장비는 화합물반도체 분야의 공정개발 및 시양산 지원을 위한 핵심장비로
활용 할 계획임.
○ 한국나노기술원 2층 FAB 내부 에피지원라인에 설치
특기사항1) Warranty 규정 : Acceptance Test Sign Off 후 1년
2) 납기 : 계약완료 후 12개월 이내
3) 교육 : Set-up 완료 후 Warranty 기간 내에 장비 무상 교육을 실시하여야 함
4) 엔지니어 상주 여부 : on call service
5) 검수
- KANC에 납품, 설치한 후에 Performance Test 실시를 원칙으로 하며, 그 결과는
KANC에서 제시한 상세규격서의 성능 조건을 만족시켜야 함
- 검수 후 한국나노기술원 장비규격 미달 시 Ship back 처리함(한국나노기술원
Spec. in/out 판단에 대한 분쟁 발생 시 한국나노기술원의 해석에 따름)
- 최종검수: 장비 설치와 공정 셋업이 완료된 후 Process test를 실시하여 공정결과를
획득한 후 장비 설치·셋업 및 최종공정결과를 포함한 결과보고서를 제출하여