입찰공고상세[외자] · 마감
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대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비 1대 구매(재)
재공고 · 외자 · 유찰 · 재단법인 한국나노기술원 · 반도체·박막 공정장비
- 결과
- 유찰
- 참가
- 1곳 · 개찰 09/30(수)
요약 AI 요약
6인치 GaAs/InP 기판 위에 비소/인화물계 화합물반도체 에피택시를 여러 층 적층해 HEMT·LED 등 전자소자·광소자용 에피웨이퍼를 성장시키는 대면적 유기금속화학기상증착(MOCVD) 장비 1대를 구축하는 사업이다.
- 6인치 GaAs/InP 기판 성장 지원, 6인치 기판 7매 이상·4인치 12매 이상 적재(교체 가능)
- 최대 900℃ 승온·유지, 6인치 웨이퍼 기준 두께·조성 균일도 5% 이내(5mm Edge exclusion)
- 실시간 피드백 기반 포켓별(기판별) 독립 성장온도 제어 시스템(AutoSat)
- 공정 챔버와 로드락 챔버로 구성, III/V족 원료공급시스템 1대가 성장챔버 1개만 제어
- MO 소스(TMGa·TMIn·TMAl·TEGa·CBr4·DEZn·DETe 등) 및 수소화물 가스(AsH3·PH3·SiH4) 공급 라인
- 6인치 GaAs 기판 대상 GaAs/AlGaAs/DBR/InGaAs MQW 공정 데모(Materials demonstration)
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사업 내용 · 이 공고에 든 일
중심 · 대면적 비소/인화물계 MOCVD 장비 1대 공급
물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비
반도체·박막 소자를 만드는 공정장비인 MOCVD(유기금속화학기상증착) 장비를 구매하는 공고로, 대학·연구기관 팹에서 쓰는 반도체·박막 공정장비에 해당한다.
- 장비 설치 및 시운전(설치·셋업·공정 데모)
- 장비 작동법·유지보수·프로그래밍 교육훈련
- 하자보증 1년 및 A/S(on call service)
- 검수(Performance Test, Process test) 및 결과보고서 제출
- 운송·포장(국제표준수출포장, 위험물 신고)
평가 · 배점
협상 대상 기준 · 평가위원들의 종합 평점의 평균이 100점 만점에 85점 이상을 득한 업체를 규격입찰 적격 업체로 선정한다.
| 평가 항목 | 배점 |
|---|---|
| 납품실적 | 10점 |
| 생산성(한 번 성장 시 6인치 기판 적재 수) | 20점 |
| 제안개요 및 업체현황 | 10점 |
| 공고 규격의 적합성 | 15점 |
| 공정품질 및 재현성 | 10점 |
| 경제성(가스소모량) | 5점 |
| 설비능력 | 20점 |
| 사후 관리 | 5점 |
| 추진 계획/교육 훈련 | 5점 |
| 합계(항목을 더한 값) | 100점 |
참가 자격 · 제한
- 업종제한
- 제한 없음
- 지역제한
- 제한 없음
- 공동수급
- 공동수급불허
- 입찰참가 제한
- 모름
- 실적경쟁 · PQ
- 모름
- 국제입찰
- 국제입찰
- 제출 방법
- 전자입찰
입찰 일정
| 진행 | 일시 | 남은 날 |
|---|---|---|
| 공고 게시 | 09/18(금) | 지남 |
| 입찰서 제출 시작 | 09/18(금) 14:00 | 지남 |
| 입찰참가자격 등록 마감 | 09/29(화) 18:00 | 지남 |
| 입찰서 제출 마감 | 09/30(수) 14:00 | 지남 |
| 개찰 | 09/30(수) 15:00 | 지남 |
가격
- 외화 예산
- USD 2,750,000 (배정예산의 통화)
- 예정가격 방식
- 비예가
납품
- 품명
- 진공증착기 (2399039801)
- 수량
- 1 SET
- 납품
- 계약 후 365일
- 인도조건
- 모름
- 제조물품
- 모름
- 세부품명 등록
- 모름
공고 정보
- 공고종류
- 재공고 (재입찰공고)
- 게시일
- 09/18(금)
- 공고번호
- R26BK01732499-000
- 참조번호
- -
- 공고기관
- 재단법인 한국나노기술원
- 수요기관
- 재단법인 한국나노기술원
- 계약방법
- 일반경쟁
- 낙찰방법
- 규격가격동시입찰
- 계약유형
- 총액계약
- 예정가격 방식
- 비예가
- 추정가격
- -
- 배정예산
- -
- 사전규격번호
- R26BD00244651
- 재공고
- 재공고
- 출처
- 나라장터
첨부파일
- PDF · (재)입찰공고서_AsP_MOCVD.pdf · 공고규격서
- HWP · (재)입찰공고서_AsP_MOCVD.hwp · 공고규격서
- PDF · (재)상세규격서.pdf · 공고규격서
- PDF · (재)용도설명서.pdf · 공고규격서
- HWP · (재)제안요청서.hwp · 공고규격서
- HWP · (재)외자입찰유의서.hwp · 공고규격서
- PDF · (Re)Summary_of_Bidding.pdf · 공고규격서
문서 발췌
과업·요구
| 작 성 항 목 | 작 성 방 법 | 필수제출 서식 |
|---|---|---|
| 1. 납품실적 | 최근 5년이내 6인치 GaAs/InP MOCVD 동일모델에 (타모델 불가, 예시:GaN, ZnO, 2D 장비불가) 대하여 납품 및 수주 실적 작성 (증빙자료 첨부) | 자유 양식 |
| 2. 생산성 | - 한번 성장 시 6인치 기판 loading 수 | 장비 카다로그 및 브로셔 기반 자유 양식 |
| 3. 제안개요 및 업체 현황 | - 제안요청 내용을 명확하게 이해하고 본 제안의 목적, 범위, 전 제조건 및 제안의 특징 및 장점을 요약 - MOCVD 전문 기업으로써 일반현황, 주요연혁, 주요사업분야, 기술인력 현황 작성 - 응찰장비에 대한 카다로그 및 브로셔 (필수) | 자유 양식 |
| 4. 기술부문 | ||
| 가. 공고 규격 적합성 | - 장비의 핵심요구사양, 일반사양, 특징 및 장점 명기 - 상세 규격서 및 용도설명서의 규격 충족도 및 적합성 - 용도 및 기능의 충족성 | 물품사양서에 제시된 규격 관련 자료 |
| 나. 공정품질 및 편의성/경제성 | - wafer-to-wafer 균일도를 위한 포켓별 독립적인 성장온도제어 시스템 기능 - 가스소모량 (GaAs, InP 성장기준, H2, N2, AsH3, PH3) | 장비 카다로그 및 브로셔 기반 자유 양식 |
| 다. 설비능력 | - 설비 능력 및 특성 (In)(Al)GaAs / (Al)(Ga)InP-based MQWs on GaAs 공정 demo 품질) - 제안 장비의 우수성: 설비 자동화 특징, 공정온도, 기판 휨, 균일도 향상을 위한 사용의 편리성 및 호환성 - 시스템의 안정성 및 신뢰성 | 물품사양서에 제시된 규격 관련 자료 |
| 5. 품질 보증계획의 적정성 | ||
| 가. 사후 관리성 | - 시스템 유지보수, 인력운영계획 - 유지보수를 위한 국내 A/S 및 국내 부품수급의 용이성 - 제시한 보증기간의 적정성 (소모성파트 제외) | 자유 양식 |
| 나. 설치 계획 및 교육 훈련 | - 납품 및 설치 일정표 등의 적합성 - 교육훈련 계획 |
배점·평가
| 평가 항목 | 산정 방법 | 평점 | 평가 요소 | |
|---|---|---|---|---|
| 정량 (30점) | 납품실적 | 10점 | - 제안한 장비모델에 (GaAs/InP MOCVD) 대해 최근 5년 동안 (2021~2025) 국내 화합물반도체 기관 대상으로 납품 또는 수주실적 - 우수:3대 이상, 양호:2대, 보통:1대, 미흡:0대 | |
| 생산성 (Throughput) | 20점 | - 한번 성장 시 6”기판 loading 수 - 우수:8매 이상, 양호:6매~7매, 보통:3매~4매, 미흡:2 이하 | ||
| 정성 (70점) | 제안개요 및 업체 현황 | 10점 | - 산학연에 대한 기술지원 및 화합물반도체 생태계 조성을 목적으로한 본 구축사업의 목적을 고려할 때, 제안 개요 및 목적, 범위, 내용의 부합성 - 본 구축사업의 목적에 맞춰 MOCVD 전문기업으로써 제안사의 일반현황, 주요연혁, 주요 사업 분야, 기술인력 현황 등 전문성 - 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60% 미만 | |
| 공고 규격의 적합성 | 15점 | - 상세규격서 ‘1.핵심요구사양‘과 ’2.상세사양의 1) Platform type’을 모두 만족 시킬 때 상세규격 검토 및 평가 - 상세규격서 ‘2.상세사양’에 대한 규격 만족도 - 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60%미만 | ||
| 공정품질 및 재현성 | 10점 | - wafer-to-wafer 균일도를 위한 포켓별 독립 성장온도 제어 기능 - 기능있음: 10점, 대체기능_양호 (기능품질 80%이상), 대체기능_보통(기능품질 60%이상, 기능없음: 1점 | ||
| 경제성 (Cost-effectiveness) | 5 | - GaAs 및 InP 성장 시 가스소모량 (수소, 질소, 및 특수가스) - R&D 수준에 적합한 가스소모량 우대 | ||
| 설비능력 | 20점 | - InAlAs/InGaAs HEMT 소자 적용 가능 수준 - GaAs 기판 위에 Meata morphic buffer를 이용한 InP 성장 - Materials demo spec의 품질 및 산포수준 - 설비 사용의 편의성 - 공정온도의 균일도 향상을 위한 공정 중 독립적인 기판별 온도 자동제어 기능 - 공정 중 성장되는 기판의 휨조절 기능 - 에피택시 성장 시 두께/조성 균일도 향상을 위한 기능의 우수성 - 설비운영의 안정성 및 기존 구축 인프라와의 호환성 - 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60% 미만 | ||
| 사후 관리 | 5점 | - 장비 유지보수 및 인력운영계획 - 유지보수를 위한 국내 A/S 및 부품수급의 용이성 - 제시한 보증기간 이상의 하자보증 (소모성파트 제외) - 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60%미만 | ||
| 추진 계획 /교육 훈련 | - 납품 및 설치 일정표 등의 적합성 - 장비 교육 훈련 계획 - 우수:100% 만족, 양호:80% 이상 만족, 보통:60% 이상 만족, 미흡:60%미만 | |||
| 합 계 | 100점 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 20 | 12 | 8 | 1 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 10 | 5 | 3 | 1 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 15 | 10 | 5 | 1 |
| 기능 있음 | 대체기능_양호 | 유사기능_보통 | 기능 없음 |
|---|---|---|---|
| 10 | 5 | 3 | 1 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 5 | 3 | 2 | 1 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 20 | 10 | 5 | 1 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 5 | 4 | 3 | 1 |
| 우수 | 양호 | 보통 | 미흡 |
|---|---|---|---|
| 5 | 4 | 3 | 1 |
Ⅱ. 세부 채점 기준표
III. 규격가격동시입찰 규격평가 기준표
O 합격기준 : 총점 100점 기준에서 85점 이상 획득
| 구 분 | 평가항목 | 배점 | 채점방법 | 세부평가항목 |
|---|---|---|---|---|
| 정량 (30점) | 납품실적 | 10 | 항목별 배 점 | - 납품실적에 따른 배점표 |
| 생산성 | 20 | - 제시된 규격에 대한 적합성 평가 | ||
| 정성-개요 및 기본정보 (10점) | 제안개요 및 업체현황 | 10 | - 본 사업과 제안개요 및 내용에 대한 적합성 - 제안사 사업분야, 인력운영의 적합성 | |
| 정성- 기술·지식 능력 (50점) | 공고 규격 또는 기술과의 적합성 | 15 | - 제시된 규격에 대한 적합성 평가 | |
| 공정품질 및 재현성 | 10 | |||
| 경제성 | 5 | |||
| 해당 장비의 설비능력 및 기술성 평가 | 20 | |||
| 정성-품질보증 계획의 적정성 (10점) | 사후 관리성 | 5 | - 시스템 유지보수를 위한 A/S여부 - 사후 기술지원 및 범위 - 사후관리정책 여부 | |
| 추진계획/교육훈련 | - 납품 및 설치 일정표 등의 적합성 - 장비 교육훈련 계획 | |||
| 합 계 | 100 |
| 평 가 항 목 | 배점 | 평가 | 기타 | |
| 정량 (30점) | o 납품실적 - 제안한 장비모델에 (GaAs/InP MOCVD) 대해 최근 5년 동안 (2021~2025) 국내 화합물반도체 기관 대상으로 납품 또는 수주실적 | 10점 | ||
| o 생산성 (생산기판 수) - 한번 성장 시 6인치 기판 loading 매수 | 20점 | |||
| 정성 (70점) | o 제안개요 및 업체 일반현황 - 산학연에 대한 기술지원 및 화합물반도체 생태계 조성을 위한 본 구축사업의 목적을 고려할 때, 제안 개요 및 목적, 범위, 내용의 적합성 - 본 구축사업의 목적에 맞춰 MOCVD 전문기업으로써 제안사의 일반현황, 주요연혁, 주요 사업분야, 기술인력 현황 등 전문성 | 10점 | ||
| o 공고 규격의 적합성 - 용도설명서 규격 ‘1.핵심요구사양‘을 모두 만족 시켜야 상세규격 검토 및 평가 - 용도설명서 규격 ‘2.상세사양’에 대한 규격 만족도 | 15점 | |||
| o 공정 품질 및 재현성 - 포켓별 피드백 기반 독립 성장온도제어 기능 | 10점 | |||
| o 경제성 - GaAs와 InP 성장 시 가스소모량 - 챔버로 인입되는 가스량을 기준으로 비교하며, 소비량이 낮을수록 우수한 것으로 비교 평가함 | 5점 | |||
| o 설비능력 - InAlAs/InGaAs HEMT 소자 적용 가능 수준의 특성 - Materials demo spec의 품질 및 산포수준 - 설비 자동화의 우수성 및 사용 편의성 - 카세트의 웨이퍼 핸들링 자동화 - 공정온도의 균일도 향상을 위해 에피 성장 중 성장온도 자동제어 기능 - 공정 중 성장되는 기판의 휨조절 기능 - 에피택시 성장 시 두께/조성 균일도 향상을 위한 기능의 우수성 - 설비운영의 안정성 및 기존 구축 인프라와의 호환성 산포수준 | 20점 | |||
| o 사후 관리 - 장비 유지보수 및 인력운영계획 - 유지보수를 위한 국내 A/S 및 국내 부품수급의 용이성 - 제시한 보증기간 이상의 하자보증 | 5점 | |||
| o 추진 계획 및 교육훈련 - 납품 및 설치 일정표 등의 적합성 - 장비 교육 훈련 계획 | ||||
| 합 계 | 100점 |
과업·요구
| (영문) Large-area Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (As/P) | |
|---|---|
| 품명 | (국문) 대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비 |
| 용도 개요 | 가. 장비의 개요 - 유기금속형태로 존재하는 III족 원소와 V족의 원소로 이루어진 hydride gas (AsH3/PH3)를 고온의 반응로(reactor) 내부로 주입했을 때 일어나는 화학반응을 이용하여 이원계 이상의 화합물반도체를 여러층 적층해 조성 과 두께를 (nm ~ ㎛ 수준) 제어하며 에피택시를 성장시키는 장치. 나. 장비의 특성 및 품질 - 6인치 GaAs 기판위에 비소/인화물계 화합물 반도체를 여러층으로 적층하 여 HEMT 또는 LED 구조를 갖는 에피웨이퍼를 성장함. - 독립된 장비는 공정 챔버와 loadlock 챔버로 구성되어야 함. - 1대의 III/V족 원료공급시스템은 1개의 독립된 성장챔버에만 원료를 공 급하며 제어함. - 에피택시의 높은 결정성과 균일도를 구현해야함. (Materials Demo. Spec. 참조) |
| 상세내역 | |
| 가. 하드웨어 사양 1. 핵심요구사양 - 성장물질 : III-As/P 기반 화합물반도체 에피택시 (In/Ga/Al-As/P 기반 binary, ternary 및 quaternary 화합물) - 사용 MO (metalorganic) 소스 : TMIn, TMGa, TMAl, DEZn, CBr4, DETe 등 - 사용 가스 : AsH3, PH3, SiH4 등 - 분위기 가스 : High purity hydrogen, High purity nitrogen - 성장 기판 종류 : GaAs, InP 등 - 성장 기판 크기 : 6인치 / 4인치 - Loading capacity : 6인치 기판×7 이상 / 4인치 기판×12 이상 (교체가능) - 두께 및 조성 균일도 : 6인치 웨이퍼 기준 5% 이내 (5mm E.E.(Edge exclusion)) - 두께 제어 : As required - 성장 온도 : 고품위 GaAs/InP 기반 박막성장을 위해 최대 900 ℃까지 승온 및 안 정적인 온도 유지가 이뤄져야함. - 성장기판의 wafer-to-wafer uniformity 확보를 위한 실시간 피드백 기반의 포켓 별(기판별) 독립된 온도제어 시스템 - 독립된 장비는 공정 챔버와 loadlock 챔버로 구성되어야 함. - 1대의 III/V족 원료공급시스템은 1개의 독립된 성장챔버에만 원료를 공급하면서 성장과정을 제어함. |
- 장비의 최대성능 발휘에 필요한 다양한 모니터링/부가장치들을 포함하여야 함. 2. 상세사양 1) General Information - Planetary or showerhead modules 2) Wafer Specification - Wafer Size : 6 inch / 4 inch - Wafer Carrier : 6inch×7 이상 / 4inch×12 이상 - Wafer Type : GaAs or InP 3) Chamber type - Reactor : 6인치 등 기판성장을 위한 가스공급, 냉각, MFC, 센서로 구성 - AutoSat system (포켓별 독립적 성장온도 제어 시스템) 4) Standard MO channel, twin standard MO channel for MO sources: TMGa×2 이상, TMIn×2 이상, TMAl×2 이상, TEGa×1, CBr4×1 이상, DEZn×1 이상, DETe×1 이상, 5) Standard gas channel and twin gas channel for Hydride sources: AsH3×2 이상, PH3×2 이 상, SiH4 2%×2 이상 6) Dilution/dopant gas channel with pressure controller and extra pusher : SiH4 2%, CBr4, DEZn , DETe 7) Source delivery system : MFC, PC, multi-valve, high purity welded manifold, injector block or manifold
8) Heating method: RF / Resistive heater type ≤ 900도 9) Gas flow type: horizontal (penta injector) / vertical (uniform flow flange) gas injection 10) Susceptor 재질: Graphite 11) Vacuum system with pump : dry pump, filter assembly 12) Rotation 방식: 공,자전/공전 13) In-situ monitoring system : TOP-TT senseor for Emissivity-corrected temperature (405nm + 633nm + 950 nm) or Raven Smart Head Monitoring System 14) Hygrometer (H2, N2) 15) Computer control system (운영 S/W 포함) 16) Cooling system/Heat exchanger 17) Carrier gas channel (Dummy line/phantom line) 18) MO소스 온도제어 bath 19) Alarm monitoring system : 압력, 유량, 온도, 밸브, H2, Toxic gas 등 20) PM kit 21) Materials demonstration : GaAs / AlGaAs / DBR / InGaAs MQW on 6 inch GaAs
| 나. 공정 데모 사양 (6 inch, 5 mm EE 기준) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ref. | Measurements | |||||
| No. | Specification | Method | Position/Sampling | Values | Unit | |
| 1 | GaAs | |||||
| 1.1 | Background c.c. | Hall @ 300K | center, 1 point | ≤ 1E15 | -3 cm | |
| 1.2 | Mobility | ≥ 6,000 | 2 cm /Vs | |||
| 1.3 | Hall @ 77K | ≤ 70,000 | ||||
| 1.4 | Si doping (step doping) | CV | 5E+16 ~ 2E+18 | -3 | ||
| 1.5 | Si Doping Uniformity | Sheet Resistance | mapping, EE=5mm | σ/Average ≤ 5 | cm % | |
| 1.6 | C Doping (intrinsic, CBr4) | CV, Hall | center, 1 point | ≥ 4E19 | -3 cm | |
| 1.7 | C Doping Uniformity | CV or Rs (Hall or | mapping, EE=5mm | σ/Average ≤ 10 | % | |
| 2 | Lehighton) Al0.2Ga0.8As | |||||
| 2.1 | Thickness Uniformity | XRD/White Light/InSitu Refl. | 3 points, mapping, EE=5nm | σ/Average ≤ 1.5 | % | |
| 2.2 | Wavelength Uniformity | PL | mapping, EE=5nm | ≤ 1.5 | ||
| 2.3 | Si Doping (step doping) | CV | center, 1 point | 5E+19 ~ 2E+17 | -3 cm | |
| 2.4 | C Doping | CV, Hall | ≥ 1E+18 | |||
| 3 | DBR 20x Al0.9Ga0.1As/Al0.12Ga0.88As | |||||
| 3.1 | Thickness Uniformity WiW (SB Center wavelength | white Light Reflection | mapping EE=5mm | σ/Average ≤ 1.3 | % | |
| 3.2 | 940nm) Thickness Uniformity W2W (SB Center wavelength | σ ≤ 2 | nm | |||
| 4 | 940nm) InGaAs MQW | |||||
| 4.1 | PL Wavelength | PL | avg. | 940 +/- 1 | nm Dom WL | |
| 4.2 | Wavelength Uniformity (WiW) | mapping EE=5mm | σ ≤ 1 | nm |
* (Max-Min)/2*Avg ** (Max-Min) 절대값 (%, nm) *** STD/AVG 1) Thickness uniformity : In-situ measurement 2) Carrier concentration, mobility, resistivity : Hall measurement @ 300K 3) X-ray measurement : Double crystal XRD (without analyzer crystal 4 bounce) 4) Non contact sheet resistance : Lehighton 5) Al concentration : PL @300K (mapping) or Double crystal XRD (5point measure) 6) Stress measurement @ 300K ○ 측정위치 : - 3 point 기준 (0,0), (0,45), (0,90) - 5 point 기준 (0,0), (0,22), (0,45), (0,65), (0,90) ○ 일부 측정장비 및 조건은 장비사용여부 및 분해능을 고려해 협의 후 변경 가능 특기사항 가. 장비설치 및 검수 장비 공급자는 한국나노기술원이 지정하는 시간 및 장소에 장비를 설 치하고, 정상 작동을 위해 아래에 요구되는 모든 조건 및 공정 결과 를 충족하여야 한다. 나. 교육훈련 장비와 관련된 교육은 별도로 한국나노기술원과 협의하여 실시한다. 다음과 같은 교육은 별도의 협의가 없어도 필수적으로 수행되어야 한 다. - 장비 작동법 교육 - 유지보수 교육 - 프로그래밍 교육
다. 하자보증 - Warranty : 1년 (consumable part 제외) - 납 기 : 12개월 이내 - 엔지니어 상주 여부 : on call service - 납품(acceptance test)후 KANC 공정규격 및 장비규격 미달 시 ship back 처리함(KANC spec.in 또는 spec.out의 판단에 대한 분쟁 발생시 KANC 해석에 따름) 라. 지급조건 - 지급방식(T/T 또는 L/C)은 한국나노기술원의 예산 집행 일정 및 계 약 이행 상황을 고려하여 계약당사자 간 상호 협의를 통해 결정 또 는 변경할 수 있다. 마. 서비스 - 하자보증기간 이내 장비 공급자는 장비의 결함 발생 시 사용자의 요청을 접수한 이후 30일 이내에 현장에 도착하여야 하며 도착 후 30일 이내에 수리작업을 완료하여야 한다. - 부품의 교체가 필요한 경우에는 그 부품의 정확한 공급 가능 시점을 확인하여 한국나노기술원에 통보하고 승인을 받아야 한다. 바. 기타. - 설치, 시운전, 교육 : 공급사 ○ 본 사양서에 언급되지 않은 사항은 일반 구매 계약 기준에 따르며 계약 기타사항 후의 별도 사항 발생시에는 상호 협의하에 적용한다. ○ 반드시 상기 사양과 동등 또는 동등 이상의 제품으로 납품하여야 한다. === (재)입찰공고서_AsP_MOCVD.hwp === [공고번호 제2026 – 25 – 01호]
외 자 구 매 입 찰 공 고(재)
1. 입찰에 부치는 사항 1) 입찰건명 : Large-area Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 1SET (대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비 1대)
2) 규격 및 수량 : 별첨 “상세규격서 및 용도설명서, 제안요청서 등” 참조 3) 사업예산 : USD 2,750,000 / KRW 3,797,200,000 ※ 계약은 원화 배정예산 범위 내에서 체결되며, 외화금액은 지정금액 이상 초과할 수 없습니다 4) 입찰방법 : 일반경쟁, 전자입찰 5) 계약방법 : 규격/가격분리동시입찰 6) 납품기한 : 계약완료 후 12개월 이내 (FCA International Airport) 7) 대금지급 : T/T 또는 L/C (Advance Payment 40%, After Shipment 50%, After Final Acceptance 10%) ※ 각 대금 지급시 지급보증서 또는 BOND Guarantee 발행 필수 8) 장비조건 : 신규 제작품 2. 공고기간 및 제출(가격,규격) 1) 입찰 공고기간 : 2026.09.18.(금) 14:00 ∼ 2026.09.30.(수) 14:00 2) 가격입찰서 제출 가. 입찰서제출 마감일시 : ~ 2026.09.30.(수) 14:00 나. 제출방법 : 온라인 제출 ※ 가격입찰은 국가종합전자조달시스템을 통한 전자입찰만 허용하며, 전자입찰서는 입찰공고 후 제출 마감일시까지 24시간 제출 가능 다. 입찰장소 : 국가종합전자조달시스템(나라장터), 입찰담당관PC
라. 제출서류 ① 세부견적서(구성품과 서비스 원산지별 내역에 대한 각각의 금액을 기재) - 입찰서식 (별지 제1-1호, 제1-2호, 제1-3호 서식) - 견적서의 최종가격은 투찰금액과 일치하여야 하며, 입찰금액과 세부견적서 금액이 상이할 경우는 입찰금액이 우선합니다. - Offer validity 는 입찰일로부터 최소한 60일 이상으로 하여야 합니다. - Offer 상에 해당품목의 정확한 HS 번호를 기재하여 주시기 바랍니다. ② PRICE LIST 1부 ③ 공급자증명서 (Supplier’s Certificate) 1부, (별지 제2호 서식) ④ 운송방식별 화물중량(Weight) 및 용적(Dimension) 기재서 1부 마. 개찰일시 : 제안서 기술평가 후 개찰 3) 기술(규격)제안서 등 제출 : 가. 제출일시 : ~ 2026.09.30.(수) 14:00 나. 제출방법 : 나라장터 e발주시스템 다. 제출장소 : e발주시스템을 통한 전자제출 라. 제출서류 : ① 입찰참가신청서(별지 제9호 서식) 1부 ② 제안서(평가기준서 제안서 작성지침 참조) 1부 (원본 1부, 사본 1부) ③ 규격입찰서, 응찰사양서(별지 제5, 6호 서식) 1부
참가자격
※ 가격입찰서와 기술(규격)제안서 중 어느 하나라도 미제출시 입찰 포기로 간주하고, 제출완료 후 반드시 정상 제출 되었음을 응찰자가 직접 확인하여야 함. 이를 확인하지 않아 생기는 불이익은 전적으로 입찰참가자에게 있음 ※ 사본은 반드시‘사실과 상위없음’기입 및 날인(사용인감 또는 법인인감 날인) ※ 제안서 평가결과 종합평점 85점 이상인 자에 한해 가격입찰 권한 부여 3. 개찰 및 낙찰자 결정방법 1) 개찰(가격)일시 : 2026.09.30.(수) 15:00 이후 ※ 상기 개찰일시에도 불구하고 제안서 평가 완료 후 개찰 2) 개찰장소 : 국가종합전자조달시스템(나라장터) 3) 기술원 제시조건에 적격한 업체로서 기술평가위원회 평가결과 종합평점이 100점 만점에 85점 이상인 입찰자 중 사업예산 이하 최저가격의 입찰서를 제출한 자가 낙찰자로 선정됩니다. 응찰가격이 동일한 경우에는 납품기한, 거래조건 등 기술원에 유리한 입찰자를 낙찰자로 선정합니다. ※ 외화 입찰자와 입찰가격 전부 또는 일부를 원화로 제안한 입찰자의 입찰가격을 비교하는 경우에는 외화 입찰자의 입찰가격은 외자입찰유의서 제20조에 따라 원화로 환산하여 비교ㆍ평가합니다. 4. 입찰 참가자격 1) 국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정에 따른 경쟁입찰참가자격 등록자로서 다음 각 호의 어느 하나에 해당하는 자
가. 외자분야 등록자 나. 외자물품 입찰대상과 동종의 물품이 등재되어있는 물품분야 등록자 다. 국외소재업체 등록자 2) 조달청에 입찰참가자격을 등록하지 않은 자는 국가종합전자시스템 입찰참가 자격등록규정에 따라 개찰일 전일까지 조달청 본청 또는 각 지방조달청에 입찰참가자격 등록을 하여야 합니다. 가.「국가계약법 시행규칙」 제15조 제5항의 규정에 따라 조달청 이외의 관서에 입찰참가자격등록을 한 경우에는 개찰일 전일까지 '국가종합전자조달시스템' (https://www.g2b.go.kr)에 등록사항이 게재된 경우에만 조달청에 입찰참가자격등록을 한 것으로 봅니다. 나. 개찰일 전일이 휴일일 경우 직전 근무일까지 등록을 하여야 입찰참가에 차질이 발생하지 않습니다. 다. 국가종합전자조달 시스템 전자입찰 이용자 등록을 한 자이어야 하며, 전자입찰 이용자 등록을 하지 않은 자는 지정 공인인증기관의 인증서를 교부 받은 후 「조달업체이용약관」에 동의한 다음 국가종합전자조달시스템에 등록을 하여야 합니다. 3) 「국가계약법」제27조의5 및 같은 법 시행령 제12조제3항에 따라‘조세포탈 등을 한 자’로서 유죄판결이 확정된 날부터 2년이 지나지 아니한 자는 입찰에 참여할 수 없습니다. (국가계약법령 적용 대상 건에 한함) 가. 입찰자는「국가계약법 시행령」제12조 제3항 각 호에 해당하지 아니한다는 서약서를 입찰 시 제출하여야 합니다. 만일 서약내용이 허위로 판명될 경우 계약의 해제·해지를 당할 수 있고, 부정당업자 입찰참가자격제한 처분을 받을 수 있습니다.
4) 낙찰자가 정당한 사유 없이 낙찰통보 접수일로부터 10일 이내에 계약을 체결하지 아니할 경우에는 「국가계약법 시행령」 제38조에 따라 입찰보증금에 상당하는 금액을 현금으로 납부하여야 하며, 동 시행령 제76조에 따라 부정당업자로 입찰참가자격을 제한 받게 됩니다. 5) 입찰보증금의 귀속조치 등에 관하여는 우리원 계약업무규칙 제38조 규정에 의합니다. 6) 본 입찰에서 낙찰되어 계약을 체결할 경우 해외공급자의 계약서 서명이 있어야 합니다. 가. 해외공급자가 입찰자에게 서명권한을 위임하지 않고, 직접 서명도 하지 아니하여 계약을 체결할 수 없는 경우 동 시행령 제76조, 제38조 등에 따라 부정당업자 입찰참가자격 제한, 기술원으로 입찰보증금 귀속 등의 조치를 받게 됩니다. 나. 서명권한 위임장(별지 제13호 서식)은 입찰서 제출 시, 감가서류 제출 시 등 계약서 초안 송부 전 미리 제출이 가능합니다. 6. 구매조건 1) 입찰서 유효기간 : 개찰 후 90일 이상 2) 입찰통화 가. 주장비(Main body) 및 부속장비 - 외국산은 생산 또는 공급되는 국가의 통화나 미국통화(USD)로 견적하여야 함 - 국내산은 한국통화(원)로 견적하여야 함. 3) 인도조건 : FCA (Incoterms 2020 적용) 4) 분할납품 : 불허 (천재지변, 소요·폭동 등의 경우 기술원 사전 승인 후 분할납품)
과업·요구
5) 하자담보책임기간: 설치 및 검수완료일로부터 12개월 (하자보수보증금액 : 5%) 6) 대금 결제조건: Telegraphic Transfer (T/T) or Letter of Credit (L/C) 7) 화물중량 및 용적 - 중량(용적) 표기 : 국외에서 공급되는 물품인 경우에는 각 품목에 대한 총 중량과 용적(각 CASE 및 DIMENSION)을 각기 계산하여 견적서 또는 별지에 정확하게 표기 후 제출하여야 함 8) 위험물 표시 - 물품이 국제항공운송협회(IATA) 규정에 의한 폭발물, 가스, 인화성 물질, 독극물, 방사능 물질 등 위험물이거나 일부가 포함되어 있으면 견적서에 그 내용과 등급을 표기하여야 하고, 선적 시 운송업자에게 위험물품 하주(荷主) 신고서(Shipper's Declaration for Dangerous Goods)를 제출하여야 함 - 해상운송의 경우에 위험물 또는 산적화물(bulk cargo), 장대품 등으로 컨테이너에 적재할 수 없는 특수화물은 견적서에 이를 상세하게 적어야 합니다. 9) 정부 및 관련기관의 허가 또는 승인을 득할 수 없는 경우 본 입찰에 따르는 계약은 무효이며, 우리 기술원은 이로 인한 어떠한 비용과 책임을 부담하지 않음 10) 포장은 국제표준수출포장에 의하여야 하며, 목재포장일 경우에는 국제식물보호협약(IPPC)의 규정에 따라야 함
| (영문) Large-area Metal-Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)-As/P | |||
|---|---|---|---|
| 품 명 | (국문) 대면적 비소/인화물계 유기금속화학기상증착장비 | ||
| Model | - | HSK No. | - |
| 수량/단위 | 1 대 | 금액(추정) | |
| 용도개요 | ○ 본 장비는 대면적 GaAs 및 InP 기반 에피성장에 요구되는 필수장비로 전자소자 및 광소자를 구성하는 화합물반도체 에피성장에 사용됨. ○ 고성능의 화합물반도체 기반 전자소자 및 광소자 제작을 위해 고품위의 GaAs/InP 기반 에피택시 적층구조 성장이 가능한 시스템. ○ 본 장비는 양산 대응이 가능한 장비이며, 6인치 GaAs 기판에 성장된 GaAs/InP 기 반 화합물반도체 에피택시의 높은 두께/조성 균일성 확보가 가능함. | ||
| 규 격 | 1. 핵심요구사양 - 성장물질 : III-As/P 기반 화합물반도체 에피택시 (In/Ga/Al-As/P 기반 binary, ternary 및 quaternary 화합물) - 사용 MO (metalorganic) 소스 : TMIn, TMGa, TMAl, DEZn, CBr4, DETe 등 - 사용 가스 : AsH3, PH3, SiH4 등 - 분위기 가스 : High purity hydrogen, High purity nitrogen - 성장 기판 종류 : GaAs, InP 등 - 성장 기판 크기 : 6인치 / 4인치 - Loading capacity : 6인치 기판×7 이상 / 4인치 기판×12 이상 (교체가능) - 두께 및 조성 균일도 : 6인치 웨이퍼 기준 5% 이내 (5mm E.E.(Edge exclusion)) - 두께 제어 : As required - 성장 온도 : 고품위 GaAs/InP 기반 박막성장을 위해 최대 900 ℃까지 승온 및 안정 적인 온도 유지가 이뤄져야함. - 성장기판의 wafer-to-wafer uniformity 확보를 위한 실시간 피드백 기반의 포켓별 (기판별) 독립된 온도제어 시스템 - 독립된 장비는 공정 챔버와 loadlock 챔버로 구성되어야 함. - 1대의 III/V족 원료공급시스템은 1개의 독립된 성장챔버에만 원료를 공급하면서 성장과정을 제어함. - 장비의 최대성능 발휘에 필요한 다양한 모니터링/부가장치들을 포함하여야 함. 2. 상세사양 1) General Information - Platform Type : Planetary or showerhead modules 2) Wafer Specification - Wafer Size : 6 inch / 4 inch - Wafer Carrier : 6inch×7 이상 / 4inch×12 이상 (swap) - Wafer Type : GaAs or InP |
| 3) Chamber type - Reactor : 6인치 등 기판성장을 위한 가스공급, 냉각, MFC, 센서로 구성 - AutoSat system (포켓별 독립적 성장온도 제어 시스템) 4) Standard MO channel, twin standard MO channel for MO sources: TMGa×2 이상, TMIn×2 이상, TMAl×2 이상, TEGa×1, CBr4×1 이상, DEZn×1 이상, DETe×1 이상. 5) Standard gas channel and twin gas channel for Hydride sources: AsH3×2 이상, PH3×2 이 상, SiH4 2%×2 이상 6) Dilution/dopant gas channel with pressure controller and extra pusher : SiH4 2%, CBr4, DEZn , DETe 7) Source delivery system : MFC, PC, multi-valve, high purity welded manifold, injector block or manifold 8) Heating method: RF / Resistive heater type ≤ 900도 9) Gas flow type: horizontal (triple injector) / vertical (uniform flow flange) gas injection 10) Susceptor 재질: Graphite 11) Vacuum system with pump : dry pump, filter assembly 12) Rotation 방식: 공,자전/공전 13) In-situ monitoring system : TOP-TT senseor for Emissivity-corrected temperature (405nm + 633nm + 950 nm) or Raven Smart Head Monitoring System 14) Hygrometer (H2, N2) 15) Computer control system (운영 S/W 포함) 16) Cooling system/Heat exchanger 17) Carrier gas channel (Dummy line/phantom line) 18) MO소스 온도제어 bath 19) Alarm monitoring system : 압력, 유량, 온도, 밸브, H2, Toxic gas 등 20) PM kit 21) Materials demonstration : GaAs / AlGaAs / DBR / InGaAs MQW on 6 inch GaAs | |
|---|---|
| 활용 계획 및 설치장소 | ○ 150 mm GaAs 및 InP 기반 공정 지원 : III-V(As/P) 반도체 에피택시 성장 ○ 구축 장비는 화합물반도체 분야의 공정개발 및 시양산 지원을 위한 핵심장비로 활용 할 계획임. ○ 한국나노기술원 2층 FAB 내부 에피지원라인에 설치 |
| 특기사항 | 1) Warranty 규정 : Acceptance Test Sign Off 후 1년 2) 납기 : 계약완료 후 12개월 이내 3) 교육 : Set-up 완료 후 Warranty 기간 내에 장비 무상 교육을 실시하여야 함 4) 엔지니어 상주 여부 : on call service 5) 검수 - KANC에 납품, 설치한 후에 Performance Test 실시를 원칙으로 하며, 그 결과는 KANC에서 제시한 상세규격서의 성능 조건을 만족시켜야 함 - 검수 후 한국나노기술원 장비규격 미달 시 Ship back 처리함(한국나노기술원 Spec. in/out 판단에 대한 분쟁 발생 시 한국나노기술원의 해석에 따름) - 최종검수: 장비 설치와 공정 셋업이 완료된 후 Process test를 실시하여 공정결과를 획득한 후 장비 설치·셋업 및 최종공정결과를 포함한 결과보고서를 제출하여 |