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친환경·고효율 에너지 산업용 1200V급 SiC MOSFET 상용화 소자개발 3차
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- 입찰공고서_SiC 시편 단면 연마기 (8인치 SiC wafer).hwp · 공고규격서
- 단면 연마기 규격서.xlsx · 공고규격서
- 입찰공고서_SiC 시편 단면 연마기 (8인치 SiC wafer).pdf · 공고규격서
공고 개요
재공고 · 유찰 · 주식회사 디비하이텍 · 기타 연구장비
- 결과
- 유찰
- 참가
- 0곳 · 개찰 09/28(월)
요약 AI 요약
SiC 웨이퍼 및 칩 레벨 시편의 단면을 연마하기 위한 단면 연마 장비 1대를 도입하는 사업이다. SiC 시편을 연마한 뒤 SEM(전자현미경)으로 관찰할 수 있는 시스템을 구축한다.
- 8인치 SiC 웨이퍼 및 칩 레벨 단면 연마 가능 (Application 지원 필수)
- 몰딩 없이(Without Molding) 단면 가공 가능
- Polishing Depth(또는 Time) 조정·설정 가능
- Polishing Angle 조정·설정 가능
- 시편 탈착 없이 연마와 SEM 분석을 반복할 수 있는 Sample Holder SEM Loading 지원
- 단면 시료 제작용 Polishing Paper, Slurry 및 부속품 구매 지원
사업 내용 · 이 공고에 든 일
중심 · SiC 시편 단면 연마기 공급·설치·교육
물품 › 연구·실험·계측장비 › 기타 연구장비
8인치 SiC 웨이퍼·칩 레벨 단면 연마 시스템 1기를 사서 현장 설치·셋업·교육·워런티까지 대는 연구·실험장비 공급 건이다.
- 단면 Polishing System 본체 및 8인치 Disc
- Polishing Paper·Slurry 등 소모품 구매 지원
- 현장 설치(Set-up) 및 유틸리티 연결
- SiC 단면 가공 분석기법 교육 3회(운영·예방정비 포함)
- 1년 이상 Warranty 및 부품 당일 수급·무상 교체
- SEM(Thermo Scientific) 로딩 호환 Sample Holder
- 안전평가 체크리스트 대응 및 운송·포장
- 장치 세부사양서·Setup Schedule·Utility Spec·Warranty 정책 등 요청 서류 제출
참가 자격 · 제한
- 업종제한
- 제한 없음
- 지역제한
- 제한 없음
- 공동수급
- 공동이행
- 입찰참가 제한
- 모름
- 실적경쟁 · PQ
- 모름
- 국제입찰
- 국내입찰
- 제출 방법
- 전자입찰
입찰 일정
| 진행 | 일시 | 남은 날 |
|---|---|---|
| 공고 게시 | 09/21(월) | 지남 |
| 입찰서 제출 시작 | 09/21(월) 10:00 | 지남 |
| 입찰참가자격 등록 마감 | 09/27(일) 18:00 | 지남 |
| 입찰서 제출 마감 | 09/28(월) 10:00 | 지남 |
| 개찰 | 09/28(월) 11:00 | 지남 |
가격
- 추정가격
- 73,840,909원
- 배정예산
- 81,225,000원
- 기초금액
- 81,225,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)
- 낙찰하한율
- 85%
- 부가세
- 7,384,091원
- 예정가격 방식
- 복수예가
납품
- 품명
- 연마기 (4110170801)
- 수량
- 1 ea
- 인도조건
- 설치 없음(납품만) · 납품장소 입고도
- 제조물품
- 아니오
- 세부품명 등록
- 아니오
공고 정보
- 공고종류
- 재공고 (재입찰공고)
- 게시일
- 09/21(월)
- 공고번호
- R26BK01738038-000
- 참조번호
- R26BK01707177
- 공고기관
- 주식회사 디비하이텍
- 수요기관
- 주식회사 디비하이텍
- 계약방법
- 일반경쟁
- 낙찰방법
- 적격심사제
- 계약유형
- 총액계약
- 예정가격 방식
- 복수예가
- 추정가격
- 73,840,909원
- 배정예산
- 81,225,000원
- 사전규격번호
- R26BD00269599
- 재공고
- 재공고
- 출처
- 나라장터
문서 발췌
과업·요구
| 품명 | |||
|---|---|---|---|
| 단면 Polishing System | |||
| Rev | 1 | 필요시기 | Fab In |
| 수량 | 1 System | Setup | |
| 필요처 | Fab2 | 교육 | |
| 운영팀 | 공정관리팀 | Release | |
| NO | 구분 | 항목 | 당사 요구사항 |
| 1.System Configuration | |||
| 1-1 | System | System Model | |
| 1-2 | 사이즈 (L*D*H, mm) | 1,000*700*1,000 이하 | |
| 1-3 | 무게 (kg) | 100 이하 | |
| 1-4 | Disc 수 (구) | 1구 | |
| 1-5 | Disc 사이즈 | 8" | |
| 1-6 | 회전 속도 (rpm) | 300 이상 | |
| 1-7 | 회전 속도 조절 | 가변 | |
| 1-8 | Plate 탈착 | 가능, Allied 설비 (Twinprep 3TM) 호환 권장 | |
| 1-9 | Polishing 가능 물질 | SiC | |
| 1-10 | SiC Wafer 및 Chip level 단면 연마 | 가능 (Application 지원 필수) | |
| 1-11 | 단면 가공 (Without Molding) | ||
| 1-12 | 시료 고정 | 가능 (일반적인 수준의 SiC Wafer 및 Chip Level 단면 가공 목적) | |
| 1-13 | Polishing Depth (or Time) 조정 및 설정 | 가능 | |
| 1-14 | Polishing Angle 조정 및 설정 | ||
| 1-15 | Sample Holder SEM Loading | 가능 ( 단면 가공후 SEM (전자현미경) 관찰 필수, 시편의 탈착없이 Polishing / SEM 분석 반복 가능해야 함, SEM : Thermo Scientific사 Various 5 UC) | |
| 1-16 | 소모품 | 소모품 (Paper etc) | 단면 시료 제작을 위한 Polishihg Paper, Slurry 및 Accecery 구매지원 가능 |
| 2.Optional | |||
| 2-1 | 신규설비 | N/A | |
| 3. Utility | |||
| 3-1 | UTILITIES | Power Voltage | 200~220V |
| 3-2 | PCW | 당사 분석실 설치 uti. Line 이용 | |
| 3-3 | Drain | ||
| 4. Process Spec | |||
| 4-1 | Polishing 가능 물질 | Polishing 가능 물질 | SiC |
| 5. Miscellaneous | |||
| 5-1 | General | 구매 수량 | 1system |
| 5-2 | 납기 | System입고 : PO후 1.5개월 | |
| 5-3 | Training | SiC 단면 가공에 대한 분석기법 교육 필수, Warranty 기간 내 Operation 및 예방정비 교육 총 3회 진행 | |
| 5-4 | Setup | Set-up기간:1주 | |
| 5-5 | Set Up 지원 인원 | 1명 | |
| 5-6 | Trouble 대처 능력 | Hardware 및 Software Trouble Shooting시 3일 이내 대처 | |
| 5-7 | Warranty | Waranty는 1년 이상으로, Sign Off를 기준으로 시작함 | |
| 5-8 | Warrenty 부품의 수급은 당일 대응을 원칙으로 하며, 교체는 Maker측에서 수행함 (부품 및 Labor Charge 무상) | ||
| 5-9 | 검수 | 다음의 항목에 대하여 검수 진행 한다(중고장치 확인시, Refurbish 진행시, 입고 전/후 DBH가 요구하는 상황에서는 상시 검수 진행 ) | |
| 5-10 | 당사 RFQ 및 Parts List 기준의 협의된 사항으로 검수 진행하며 ,Evidence 제출(입증)을 병행한다. | ||
| 5-11 | Sign Off | Sign Off 는 Spec Meeting 시 논의를 원칙으로 함(실제 MFG Release되는 시점을 기준으로 함) | |
| 5-12 | Safety | 안전사항 | 장비 구매 전 안전평가 Check-list (DB HiTek기준) ESH안전평가 Sheet참조 |
| 5-13 | 장치 Setup 시 안전 수칙 미 준수 및 안전 장구 미 착용등으로 발생하는 모든 안전사고는 Maker에 책임을 다함 | ||
| 5-14 | 운송 및 설치 | 장치의 운송은 Packing을 기본으로 하며, 운송중 발생할수 있는 문제를 최소화 하기 위하여 견고히 한다 | |
| 5-15 | 내부 Module및 Packing box는 Particle오염 및 수분으로 부터 보호 되어야 한다 | ||
| 5-16 | 최종 운송 과정에서의 확인은 배송 차량에서 하차 후 Packing해제시 입회하에 확인토록 한다 | ||
| 5-17 | 기타 | 요청 서류 | 장치 세부 사양서 |
| 5-18 | 장치 setup schedule | ||
| 5-19 | 장치 Utility Spec | ||
| 5-20 | 장치 Warranty정책 | ||
| 5-21 | 장치 설치 이력 | ||
| 5-22 | 장치 Missing Part List | ||
| 5-23 | 장치 Refurbish Report | ||
| 5-24 | Maintanance Manual | ||
| 5-25 | 기밀유지 | 업무 수행상 제공 또는 작성된 도면, 자료, 사양서, 회의록등 기밀 유지에 필요하다고 인정되는 모든 서류는 공사 완료후 모두 반환되어야 함 | |
| 5-26 | System제작에 관해 협력회사를 이용할 경우에도 기밀 유지에 세심한 주의 해야 함 | ||
| 5-27 | 상기 사항의 불 이행으로 발생되는 문제에 대한 모든 책임은 Maker에 있음 | ||
| 5-28 | 기타 | 본 사양서에 명시되지 않은 사항은 Maker측에서 확인 및 통보하여 상호 협의하에 결정토록 한다 | |
| 5-29 | 사양 변경의 필요가 생긴 경우 상호 협의 하에 결정한다 | ||
| 6. Critical Parts List | |||
| * 신규 설비 | |||
| 7. 기술검토의견 | |||
| NO | 부서 | 평가 | |
| 7-1 | 공정관리 | 장점 | |
| 단점 | |||
| 종합 의견 |
| 장 비 명 | SiC 시편 단면 연마기 (8인치 SiC wafer) | ||
|---|---|---|---|
| 사업예산 | ￦81,225,000 (VAT 포함) | ||
| 사업내용 | 제안요청서 참조 | 입찰 방법 | 일반경쟁입찰(총액) 규격․가격 동시 |
| 도입기간 | 계약 후 28일 이내 | 입찰방식(가격) | 전자입찰 |
| 전자입찰서 (가격․제안서) 접수 개시일시 | 2026.09.21(월) 10:00 | 전자입찰서 (가격․제안서) 접수 마감일시 | 2026.9.29(화) 10:00 |
| 개찰일시 | 제안서 기술평가 후 개찰 | 개찰장소 | 나라장터 |
참가자격
2. 입찰 참가 자격 가. 입찰 참가 접수 기간 내에 국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령 제12조(입찰의 참가 자격) 및 동법 시행규칙 제14조(입찰 참가 자격요건의 증명)의 자격요건을 갖추고 동법 시행령 제76조(부정당 업자의 입찰 참가 자격 제한)에 해당되지 않아야 함 나. 입찰 참가를 위하여는 입찰 참가 신청 서류 제출 전일까지 조달청의 경쟁 입찰 참가 자격 등록을 반드시 하여야 함 다. 국가종합전자조달시스템 입찰 참가 자격 등록 규정에 의하여 국가종합전자조달시스템(나라장터)에 실험실용연마기및연삭기 (4110170801) 공급물품으로 등록된 업체 3. 주요 공지 사항 가. 제안서 평가 ▪기 간 : 입찰 참가 신청 마감 후 평가 진행 ▪평가 방법 : 제안요청서 참조 나. 입찰(개찰)일시 ▪입찰(개찰)일시 : 2026년 9월 29일(화) 11:00 *단독응찰 또는 무응찰에 따른 유찰로 인한 시스템상의 개찰 일시이며, 유효한 입찰일 경우에는 제안서 기술평가 후 개찰 ▪제안서 적격자에 한하여 가격입찰서를 개찰하고, 유효한 입찰에서 제안서 적격자가 1인인 경우에도 가격입찰서를 개찰할 수 있습니다. ▪제안서 적격자가 2인 이상인 경우로서 가격개찰 결과 예정가격 이하로 입찰한 자가 없을 때는 당해 제안서 적격자를 대상으로 다시 가격입찰을 할 수 있습니다. ▪개찰 결과 가격입찰서가 동가인 경우 제안서 점수가 우위인 자를 낙찰자로 선정 4. 낙찰자 선정 방법