(재공고)한국에너지공과대학교 공초점 광학기반 반도체 결함분석 장비 구매

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공고 개요

재공고 · 유찰 · 한국에너지공과대학교 · 교육 실습장비

결과

유찰

참가

0곳 · 개찰 06/02(화)

요약 AI 요약

전력반도체 및 광반도체 소자의 결함을 레이저 광학 방법으로 분석하기 위한 '공초점 광학기반 반도체 결함분석 장비'를 도입하는 사업입니다. 단일 시스템에서 결정성, 전하 수명, 광전류 매핑 등을 동시에 측정하여 소자의 성능과 결함을 입체적으로 분석하는 것을 목적으로 합니다.

• 콘포컨 플랫폼(비전 카메라, 레이저 스캐닝 모듈, 현미경, 자동 초점 모듈 포함)
• 레이저 및 드라이버(405nm 피코초 펄스 레이저, 532nm 라만 레이저 및 필터 세트)
• 스테이지(펠티어 가열/냉각 스테이지, 자석 기반 EL/광전류 스테이지)
• 소스 미터 및 광 파워미터
• 부피 위상 홀로그래픽 격자(VPH Grating)
• 광학 테이블 및 분석 소프트웨어(스펙트럼, 광전류/EL 매핑용)

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 평가위원별 평가점수를 평균한 종합득점이 85점 이상인 업체를 규격적격 업체로 선정하며

참가 자격 · 제한

업종제한

제한 없음

지역제한

제한 없음

공동수급

공동수급불허

입찰참가 제한

모름

실적경쟁 · PQ

모름

국제입찰

국내입찰

제출 방법

전자입찰

입찰 일정

가격

추정가격

240,909,091원

배정예산

265,000,000원

기초금액

265,000,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)

부가세

24,090,909원

예정가격 방식

복수예가

납품

품명

분광기 (6010481001)

수량

1 식

납품

계약 후 180일

인도조건

과업내역에 따름

제조물품

아니오

세부품명 등록

등록 필요

공고 정보

공고종류

재공고 (재입찰공고)

게시일

05/27(수)

공고번호

R26BK01546045-000

참조번호

재무구매팀-9846

공고기관

한국에너지공과대학교

수요기관

한국에너지공과대학교

계약방법

일반경쟁

낙찰방법

규격가격동시입찰

계약유형

총액계약

예정가격 방식

복수예가

추정가격

240,909,091원

배정예산

265,000,000원

사전규격번호

R26BD00218082

재공고

재공고

출처

나라장터

문서 발췌

참가자격

한국에너지공과대학교 1. 계약방법 가. 규격가격동시입찰 나. 관련 근거 : ｢국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령｣ 제18조 2. 제안자격 가. 입찰공고문에 따름 나. ｢국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정｣에 따라 입찰참가등록 마감일시까지 국가종합전자조달시스템(나라장터)에 분광기(세부품명번호 10자리 : 6010481001)으로 입찰참가자격을 등록한 자 3. 제안조건 가. 제시된 규격과 동등하거나 그 이상의 규격으로 제안하여야 한다. 나. 제안과 관련되어 제출된 모든 자료는 반환하지 않으며, 제안에 따른 일체의 비용은 제안업체가 부담한다. 다. 제안서의 모든 기재사항은 객관적으로 입증 가능한 서류를 첨부하여야 하며, 허위 작성한 사실이 판명되는 경우 평가대상에서 제외되고 계약 후에도 계약해지와 함께 인적, 물적, 기간적 손실에 대한 손해배상 청구가 가능하다. 라. 제출된 제안서의 내용은 수정, 삭제 또는 대체할 수 없다. 마. 제안서에 제시된 내용은 계약서에 명시되지 않더라도 계약서와 동일한 효력을 가진다. 다만, 계약서에 명시된 경우에는 계약서의 내용이 우선한다. 바. 본 제안서의 결과에 의한 일체의 계약은 국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 등 관련 법규를 준수한다. 사. 제안업체는 본 사업과 관련하여 취급 또는 습득한 정보에 대하여 과업 수행기간은 물론 종료 후에도 보안사항을 준수하여야 하며, 정보 유출 등 보안 사고 발생 시 모든 민․형사상의 책임을 진다.

다. 규격적격자로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시하며, 최저가격을 제시한 업체를 낙찰자로 선정한다. 6. 보안준수 - 제안 요청일 이후 제안서 제출 시까지 모든 사항은 제안 참여 업체의 제안 관계자 외에는 대외비로 취급하여야 한다. 또한 한국에너지공과대학교에 기 제출된 모든 문서와 제공한 자료 및 정보에 대해서는 외부에 공개할 수 없다. 7. 유의사항 가. 평가기준서에 기재된 필수 제출서류를 제외하고, 업체 제안서 내용 중 증빙 또는 보완이 필요한 경우 추가 자료 제출을 요청할 수 있으며, 이 경우 업체는 이를 수용하여 관련 자료를 제출하여야 한다. 나. 상세규격서에 명시된 내용을 단순 복사하여 제출한 제안서는 무효 처리하며, 관련 규정에 따라 부정당업자로 제재를 받을 수 있다. 8. 납품 관련 사항 가. 납품일 : 계약일로부터 180일 이내 나. 납품장소 : 전남 나주시 켄텍길 21 한국에너지공과대학교 연구1동 1층 클린룸 내 다. 하자보증기간 : 1년 9. 제출 서류 및 부수 : 입찰공고문에 따름 [붙임 1] □ 제안서 작성지침 ※ 입찰참가자가 제시규격과 상이한 규격을 제출한 경우 이의 인정 여부 등은 평가위원회에서 협의하여 결정함. ※ 필수규격을 충족하지 못하는 경우 부적격으로 처리함.

배점·평가

과업·요구

※ 기타 - 제출일 기준 3일이내 발행 국세, 지방세 완납 증명서 제출 - 공인기관발행 (6개월이내)신용평가서 제출 가능 시 제출요망(신용등급, 현금흐름 등) === 3. 용도설명서 및 상세규격서.pdf === 용 도 설 명 서 영 문 Confocal optical-based defect analysis system 1.품 명 국 문 공초점 광학기반 반도체 결함분석 장비 □ 규격(성능 및 사양) -상세 규격 세부 참조 □ 용도설명 - 전력반도체 공정에서, 반도체 소자의 결함을 레이저를 이용한 광학적인 방법으로 분석하는 장비로서, 주로 전력반도체, 광반도체 등 다양한 분야에서 사용됨 - Galvo Mirror Scanning과 Slit-Binned Confocal 및 Interchangeable VPH Grating을 이용하여 최대 step resolution 0.1um 이하, step distance 0.5um의 해상도에서, Raman, PL, TRPL 등의 레이저 기반 결함분석을 수행하고, 고해상도 발광이미지 매핑을 통한 순방향 전류 결함을 분석함. 또한 역방향 누설전류 이미지를 통하여 누설전류 결함을 분석함 - 공초점 현미경 기반으로 405nm/532nm 다중 레이저와 TCSPC (시간 상관 단일 광자 계수) 모듈을 탑재하여, 피코초(ps) 단위의 정밀한 전하 이동 분석이 가능함. - 100 fA/100 nV 급의 초정밀 측정 분해능을 가진 Keithley 2612B 유닛과 연동되어, 미세 영역에서의 광전류 변화를 시각화하는 데 최적화된 구성을 갖춤. □ 기타 참고사항(기대효과 등) - 본 장비는 차세대 전력반도체 태양전지 및 광반도체의 핵심 소재 분석을 위해 도입됨. 단일 시스 템 내에서 Raman (결정성), FLIM (전하 수명), Photocurrent (광전류 매핑), Electroluminescence를 동시에 측정하여, 시료 이동 없이 소자의 성능과 결함을 입체적으로 분석함. 2026년 4월 9일 부서장(연구책임자): 곽 준 섭 (인) 상 세 규 격 서 ⃞장비명 :공초점 광학기반 반도체 결함분석 장비 (Confocal optical-based defect analysis system) 구 분 상 세 명 세 수 량 비 고 Ⅰ.용 도(End-user'sUse) -본 장치는 반도체 소자의 결함을 레이저를 이용한 광학적인 방법으 로 분석하는 장비로서 공초점 현미경 기반으로 최대 step resolution 0.1um 이하, step distance 0.5um의 해상도에서, Raman, PL, TRPL 등의 레이저 기반 결함분석을 수행하고, 고해상도 발광 이미지 매핑을 통한 순방향 전류 결함을 분석함. Ⅱ.장비 구성 (ConfigurationsofGoods)

1. 콘포컨 Platform 1set 2. Laser and Driver 1set 3. Stage 1set 4. Source meter and Optical Powermeter 1set 5. Volume Phase Holographic Grating 1set 6. Optical Table & Operation System 1set * 본 시스템은 일체형으로 구성 Ⅲ.장비 성능 및 규격 (Performanceand Specification) ① 장비 규격 1. 콘포컨 Platform - Base platform ·2 slot for adapt a laser ND filter or polarizer ·2 slots for adapt a polarizers or waveplates ·1 slot for adapt an interchangeable Raman-PL filter set ·Up to 3 DPSS lasers are installable. ·Provides robust platform for stable beam alignment ·1X2 Vision Port ·Dark Box (No light leakage) - Vision Camera ·6 Mega Pixels camera for optical color image acquisition ·FOV: 330 μm × 220 μm (@ 40X Objective lens) ·USB3.0 connection - Laser Scanning Module ·Wavelength range: 400~1000 nm ·Laser scanning mode: Raster scan ·Scanning area: 200 μm × 200 μm (@ 40X objective lens) ·Scanner Controller: Output voltage : 3 ~ 5 V, USB type : USB1.1 / 0.5A - Microscope ·Mechanical 3-axis stage with right-hand control ·Consists of Main frame of microscope, 5-position revolving nosepiece, 156 mm (D) x 191 mm (W) sample stage and Power cable - LED Illuminator (continuously variable) ·COB Colour: Warm White, Lumen : Max. 800lm, Nominal CCT (K): 2700 K - Auto Focus module ·Focus Tracking: Automatically adjusted depending on depth of field ·Maximum focusing height: ~20 μm ·Maximum scan range: 200 μm x 200 μm ·Supported objective lenses: 10X, 20X, 40X ·Supported laser wavelength: 532nm, 633 nm

- Monochromator / Extender / Switching module ·Input aperture ratio: f/30 ·Focal length: 200 mm ·A interchangeable VPH grating (1inch) is mountable ·Micrometer for adjustment of range of interest -1 -1 ·Spectral range: Max. 5940 cm (Example: ~2010 cm when using a 1800 lpmm VPH grating, 532 nm laser) -1 -1 ·Spectral resolution (FWHM): Min. 2.5 cm (Example: 3.7 cm when using a 1800 lpmm VPH grating, 532 nm laser) - CCD ·Back-illuminated CCD, Deep-Depletion with anti-fringing ·Active pixels: 2000 × 256 pixels ·Pixel size: 15 × 15 μm ·Dark current: As low as 0.033 e-/pixel/sec ·Quantum efficiency: >40% from 400 nm to 1000 nm - Lens ·Magnification: 10X ·Numerical aperture: 0.3, Working distance: 11 mm ·>80% transmission from 400 nm to 700 nm ·Magnification: 20X ·Numerical aperture: 0.45, Working distance: 6.6 mm ·>90% transmission from 400 nm to 700 nm ·Cover glass: 0-2.0 mm ·Magnification: 40X ·Numerical aperture: 0.75, Working distance: 0.63 mm ·>60% transmission from 360 nm to 1000 nm

2. Laser and Driver - 405 nm Picosecond Pulsed Diode Laser and Driver ·Wavelength: 405 nm ·Internal rep rate: 31.25 kHz ~ 80 Mhz, CW ·Sync in: -1~1V (adj), width > 5 ns, 10 Hz ~ 80 MHz ·Sync out: -0.8V peak, width: 6 nm, delay: 12 nm, jitter < 20 ps ·Laser Plate - 405 nm TRPL Filter Set (interchangeable) ·Center wavelength: 405 nm ·Low wavelength cut-off: > 425 nm ·Pass band: 433 nm ~ 1200 nm ·Pass band level: 90% ·Snap-in type - Single Photon Avalanche Detector ·Active area diameter: 20 μm ·Photon detection efficiency: >24% at 400 nm ·Photon detection efficiency: >49% at 550 nm ·Photon detection efficiency: >37% at 650 nm ·Single photon timing resolution ·TTL counting output: Max. 250 ps (FWHM) ·NIM Timing output: Typ. 50 ps (FWHM) ·Dark count: <25 cps - Time Tagging Electronics (2 Channels) ·Interface: PCIe 1.1 ·Number of detector channel: 2 ·Minimum time bin width: 25 ps ·Electrical time resolution: <20 ps (rms) ·Dead time: <25 ns ·DLL library ·Adaptor cable - 532nm Raman Laser ·Wavelength: 532 ± 1 nm ·Max. power: 100 mW ·Operating mode: CW ·Spectral linewidth: <0.003 nm ·Power stability (over 2 h): <3% ·Polarization Extinctino Ratio : > 100:1 ·Laser Plates - 532nm Raman/PL Filter Set (Interchangeable) ·Center wavelength: 532 nm ·Low wavenumber cut-off: > 38 cm-1 ·Pass band: 535 nm ~ 1200 nm ·Pass band level: 90% ·Snap-in type - Laser Power Control Unit ·Provides continuously variable attenuation ·Dimension of ND filter: 25 × 100 [mm]

·OD Range: 0.04~4.0 3. Stage - Heating Plate Stage: Peltier stage ·Sample area 32mm x 35mm, 5mm aperture ·Heating/Cooling rate 0.01°C to 20°C/min ·Temperature Range -20°C to 120°C ·Control and Stability <0.01°C ·Pt 100 temperature sensor ·DC power control, RS232 and USB connectivity, LCD touch screen control ·Minimum objective working distance: 0mm - Magnet-Based EL/Photocurrent Stage ·Dimension: 310mm x 130 mm ·Four micro-positioners can be placed on the stage ·Include vacuum chuck (PU hose, 4.0(OD)/2.5(ID) ·Magnet Based Micro-Positioner 4 ea ·Resolution: 3 μm, Travel range: 6 mm, BNC cable 2ea ·Resolution: 1 μm, BNC cable 2ea ·Micro-Positioner Probe Tip (Straight Type) ·Vacuum pump ·Attainable Vacuum : 333 mbar ·Free Air Displacement 7 L/min

4. Source meter and Optical Powermeter - Source meter ·Number of Channel: 2 Ch ·Max Current Source/Measure Range: 1.5 A DC / 10 A Pulse ·Max Current Source/Measure Range: 200 V ·Measurement Resolution (Current/Voltage): 100 fA / 100 nV ·Max Output Power: 30 W DC / 200 W Pulse ·Connections: Screw terminal, adaptors for banana, biaxial or triaxial ·Computer Interface : USB 2.0, LAN/LXI-C, IEEE-488, RS-232 ·Pulse Mode Operation: Available - Digital Handheld Optical Powermeter ·Compact, Handheld, Power and Energy Meter Console, 4" LCD Screen ·Si Photodiode Power Sensor ·Wavelength range: 400 - 1100 nm ·Detection range: 500 pW - 5 mW, Up to 500 mW with Filter 5. Volume Phase Holographic Grating - Volume Phase Holographic Grating (900/300), 300 l/mm @ 900nm (1 inch) ·Center wavelength: 900 nm ·Spatial frequency: 300 lpmm ±0.5 lpmm ·Thickness: 3 mm, Clear aperture: 20 mm - Volume Phase Holographic Grating (600/600), 600 l/mm @ 600nm (1 inch) ·Center wavelength: 600 nm ·Spatial frequency: 600 lpmm ±0.5 lpmm ·Thickness: 3 mm, Clear aperture: 20 mm - Volume Phase Holographic Grating (532/1800), 1800 l/mm @ 532nm (1 inch) ·Center wavelength: 532 nm ·Spatial frequency: 1800 lpmm ±0.5 lpmm ·Thickness: 3 mm, Clear aperture: 20 mm

6. Optical Table & Operation System - Optical Table ·THICKNESS OF TABLE TOP : 50mm ·TOTAL SIZE : 1200 X 1000 X 800H ·FLATNESS OF TOP PLATE : ±0.1mm over 600mm square MEASURING METHOD - U / J or GRID ·HOLE PATTERN : M6x25mm PITCH ·STRAIGHTNESS OF BOLT HOLE : 0.1mm over 1500mm ·M6 SCREW : ① DIAMETER : 6.2 ~ 6.6mm ② PITCH DIAMETER : 5.35 ~ 5.47mm ③ MINOR DIAMETER : 4.917 ~ 5.153mm ·TYPE : RIGID SUPPORT SYSTEM - Standard target ·Calibration Sample for Raman spectrum: Silicon & Acetaminophen sample for Raman spectrum calibration ·Calibration Sample for TRPL: CVD grown MoS2 on SiO2/Si substrate, Sample size : 10 x 10 mm ·Hg-Ar Calibration lamp for long range spectrum calibration - Operation System with Desktop computer ·For Spectrum ·Supports Raman/PL/EL spectrum acquisition and imaging ·Data export formats: .txt, .csv ·Compatible with the Willy KnowitAll database ·For Nanophotocurrent and EL ·IV measurement, LI measurement & photocurrent/EL mapping 등 측정을 위한 소프트웨어 * 전체 Utility Hook-Up 포함 (크린룸 내부 설치 기준) Ⅳ.기타 -장비의 성능 검수 :

[PL/TRPL 측정] (1)Excitation source: -Wavelength:405nm (Picosecond Pulsed DiodeLaser) (2)PulseLaser동작 조건:Internalrepetition rate: -설정 범위 (31.25kHz~ 80MHz)내 정상 동작 확인 (3)Mapping 기능: -200× 200μm 영역에서 Mapping신호 균일성 확인 -Vision Image와 Overlay를 통한 위치 재현성 확인(측정 영역 내에서 intensity 분포가 정상적으로 표현되는지 확인) [Raman 측정] (1)레이저 및 출력 조건 -Laser파장:532nm -Laser출력:100mW -대물렌즈 통과 후 출력:50% 이상 (2)Mapping 및 Imaging -Mapping 최대 영역:200× 200μm (Obj.×40기준) -Vision 카메라 이미지 사이즈:330× 220μm (Obj.×40기준) (3)532nm Raman 측정 조건 -Cut-off:> 38cm⁻¹ - Reference Silicon Sample 측정 조건: Laser: 532 nm, Power:2 mW,Exposure Time:500 ms,ADC Count:≥ 9000counts (4)분광기 (Spectrometer)Grating별 측정 범위 (532nm 기준) -300lp/mm:535~ 1020nm -600lp/mm:535~ 775nm -1800lp/mm:535~ 602nm [EL/광전류 매핑] -0~120도 온도 범위에서,온도를 변화시켜가면서 50um 이하 사이즈의 광반도체에 대한 EL/광전류 매핑 검증 -입찰 제안서에 공정 결과에 대한 기술성 및 신뢰성 자료를 제출해 야 함 -납품시 수요처의 요구에 따라 규격서에 기재된 사양의 증빙 자료 를 제출해야함 -장비 본체 및 구성품(부품포함)은 중고품을 사용할 수 없으며,반 드시 신품을 사용해야 함 • 설치 조건 -장비 및 유틸리티의 설치와,운용과 관련된 모든 공사와 인허가는 제조자가 부담함

② 설치조건 및 -성능 검수 및 공정 시연을 위한 제반시설(증착물질,가스,냉각수, 장소 배기,그 외 안전을 위한 각종 유틸리티)는 제조자가 부담함 • 설치 장소 -전남 나주시 켄텍길 21한국에너지공과대학교 연구1동 1층 클린룸 내 ③ 보증기간 - 보증기간 : 납품 후 1년 납품기한 등 - 납품기한 : 계약체결일로부터 6개월 이내 ① 본인은 상기 물품구입과 관련,상세규격서를 작성함에 있어 정확한 제품사양 및 설치조 건,필요사항 등을 모두 기재하였음(특수 연구목적 및 기존 장비 및 물품과의 호환 등 특 수조건이 필요한 경우 별지의 물품구매 특수조건을 작성하여 제출함) 구매 요구시 ② 낙찰 후 상기 상세규격 이외의 추가사항 및 증빙을 요청할 수 없음을 확인함 2026년 4월 9일 부서장(연구책임자): 곽 준 섭 (인) ① 낙찰업체의 물품규격과 본인이 요구한 규격의 충족여부 검토 결과, 이상이 없음을 확인함 물품 계약시 2026년 월 일 부서장(연구책임자): 곽 준 섭 (인) === 1. 공고문.hwp === 한국에너지공과대학교 공고 제20260527-0001호 한국에너지공과대학교 (재공고)공초점 광학기반 반도체 결함분석 장비 구매 입찰공고 1. 입찰에 부치는 사항 가. 입찰명 : (재공고)한국에너지공과대학교 공초점 광학기반 반도체 결함분석 장비 구매 나. 품 목 및 수 량 : 붙임 상세규격서 참조 다. 납 품 장 소 : 한국에너지공과대학교 지정장소 라. 납 품 기 한 : 계약일로부터 180일 이내

참가자격

나. 낙찰자 선정방법 : 제안서 평가 적격자 중 예정가격 이하 최저가 입찰자 ※ 기술(규격)제안서를 평가하여 적격자를 대상으로 가격입찰서를 개찰하고, 예정가격이하 최저가격으로 입찰한 자를 낙찰자로 선정합니다. 다. 동일가격 입찰자는 ｢전자입찰특별유의서｣ 제15조에 따라 나라장터(국가종합전자조달시스템)의 ‘동일가격 입찰 낙찰자 자동프로그램’을 통하여 계약상대자를 결정합니다. 4. 입찰참가 자격 가. ｢국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정｣에 의하여 국가종합전자조달시스템(나라장터)에 입찰참가자격등록 마감일시까지 아래의 자격을 입찰참가 등록한 자 - 세부품명번호 10자리: 6010481001 분광기 나. ｢국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령｣ 제12조(경쟁입찰의 참가자격) 및 동법 시행규칙 제14조(입찰참가자격요건의 증명) 자격을 갖춘 업체로서 동법 제27조 및 동법시행령 제76조(부정당업자의 입찰참가자격 제한)에 의한 부정당업자의 입찰참가자격 제한을 받은 사실이 없는 업체 5. 가격입찰(전자입찰) ○ 가격입찰장소 : 국가종합전자조달시스템(나라장터) ○ 전자입찰서 접수 개시일시 : 2026. 5. 29.(금) 10:00 ○ 전자입찰서 접수 마감일시 : 2026. 6. 2.(화) 10:00 ○ 개찰일시 : 2026. 6. 2.(화) 11:00 * 본 입찰의 가격입찰은 전자입찰로만 가능하며, 가격입찰서를 제출하지 않은 업체의 제안서 제출은 무효입니다. * 가격개찰은 상기 개찰일시에도 불구하고 제안서 평가 완료 후 진행됩니다.