입찰공고상세[물품] · 마감
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플라즈마 기반 반도체 패키징용 식각장치_첨단산업특성화대학원지원(반도체)
유찰 · 한양대학교 산학협력단 · 반도체·박막 공정장비
- 결과
- 유찰
- 참가
- 0곳 · 개찰 09/30(수)
요약 AI 요약
한양대학교 서울 대학원 반도체공학과가 플라즈마 기반 반도체 패키징용 식각장치를 구매·구축하는 사업이다. ICP 플라즈마 원천을 이용해 SiO₂, SiN 등 반도체 및 패키징 소재를 건식식각하는 장비를 제작·공급한다.
- ICP(유도결합 플라즈마) Plasma Source를 이용한 SiO₂·SiN 등 반도체 및 패키징 소재 고균일성 건식식각 공정 수행
- 1 Process Module + 1 Vacuum LoadLock 구성, 반자동 방식 공정 수행
- 8인치 Flat/Notch Type 웨이퍼 지원, Mechanical Chuck 적용
- Ceramic Showerhead(GDP) 및 ICP Plasma Source 적용으로 균일한 플라즈마 분포 확보
- Back Side He Cooling 및 Chiller Temperature Control을 통한 웨이퍼 온도 제어
- Industrial PC 기반 완전 자동 제어 시스템(999개 Recipe 저장, 99 Step Recipe 편집·저장·다운로드·실행, Process Data Logging, 진공·압력·RF 전원·가스 유량 제어)
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사업 내용 · 이 공고에 든 일
중심 · 플라즈마 식각장치 제조·공급
물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비
ICP 플라즈마 소스 기반 반도체 패키징용 건식식각 장비를 제조·공급하는 사업으로, 반도체·박막 공정장비에 해당한다.
- 운송·설치(지정 장소 B109호)
- 시운전 및 공정 안정화
- 검수 지원(중간검수·최종검수, 웨이퍼 테스트)
- 운전·유지보수·전기 매뉴얼 제공
- 장비 운영·유지보수 교육
- 성능보증 및 하자보수(무상 부품 교체 포함)
평가 · 배점
협상 대상 기준 · 평가배점은 100점 만점으로 이 중 85점 이상을 득한 입찰자를 규격 적격자로 선정한다.
배점표 (AI 요약)| 평가 항목 | 배점 |
|---|
| 신용평가등급 | 5점 |
| 납품실적(제조사의 국내 및 해외 기존 장비 납품 실적, 최근 3년) | 10점 |
| 규격 적합성 | 30점 |
| 식각율 | 10점 |
| Angle | 10점 |
| Selectivity(to PR) | 10점 |
| Uniformity | 10점 |
| 기술지원 인력 | 10점 |
| 보증기간(Warranty) | 5점 |
| 합계(항목을 더한 값) | 100점 |
참가 자격 · 제한
- 업종제한
- 제한 없음
- 지역제한
- 제한 없음
- 공동수급
- 공동수급불허
- 입찰참가 제한
- 모름
- 실적경쟁 · PQ
- 모름
- 국제입찰
- 국내입찰
- 제출 방법
- 전자입찰
입찰 일정
| 진행 | 일시 | 남은 날 |
|---|
| 공고 게시 | 09/22(화) | 지남 |
| 입찰서 제출 시작 | 09/22(화) 12:00 | 지남 |
| 입찰참가자격 등록 마감 | 09/29(화) 18:00 | 지남 |
| 입찰서 제출 마감 | 09/30(수) 10:00 | 지남 |
| 개찰 | 09/30(수) 11:00 | 지남 |
가격
- 추정가격
- 527,272,727원
- 배정예산
- 580,000,000원
- 기초금액
- 580,000,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)
- 부가세
- 52,727,273원
- 예정가격 방식
- 복수예가
납품
- 품명
- 웨이퍼식각기 (2321118001)
- 수량
- 1 식
- 인도조건
- 모름
- 제조물품
- 아니오
- 세부품명 등록
- 아니오
공고 정보
- 공고종류
- 등록공고 (일반공고)
- 게시일
- 09/22(화)
- 공고번호
- R26BK01740720-000
- 참조번호
- H6129-2026-0901
- 공고기관
- 한양대학교 산학협력단
- 수요기관
- 한양대학교 산학협력단
- 계약방법
- 일반경쟁
- 낙찰방법
- 규격가격동시입찰
- 계약유형
- 총액계약
- 예정가격 방식
- 복수예가
- 추정가격
- 527,272,727원
- 배정예산
- 580,000,000원
- 사전규격번호
- R26BD00274547
- 재공고
- 아니오
- 출처
- 나라장터
문서 발췌
과업·요구
=== 플라즈마 기반 반도체패키징용 식각장치_규격서.docx ===
플라즈마 기반 반도체 패키징용식각장치 규격서
EQUIPMENT SPECIFICATION
1. 용도 : 플라즈마 기반 반도체 패키징용 식각
| No. | 세부 요구사항 |
|---|
| 01 | 이 장비는 ICP(Inductively Coupled Plasma) Plasma Source를 이용하여 SiO₂, SiN 등 반도체 및 패키징 소재의 고균일성 건식식각(DryEtching) 공정을 수행할 수 있어야 한다. |
| 02 | 1 Process Module과 1 Vacuum LoadLock으로 구성되며, 반자동(Semi-Automatic) 방식으로 공정을 수행할 수 있어야 한다. |
| 03 | 8인치 Flat/NotchType 웨이퍼를 지원하며, Mechanical Chuck을 적용하여 안정적인 웨이퍼 처리가 가능해야 한다. |
| 04 | 장비는 Ceramic Showerhead(GDP)및 ICP Plasma Source를 적용하여 균일한 플라즈마 분포와 우수한 공정 균일도를 확보할 수 있어야 한다. |
| 05 | Back Side He Cooling 과 Chiller Temperature Control을 적용하여 웨이퍼 온도를 안정적으로 제어할 수 있어야 한다. |
| 06 | 장비는 공정 가스(Standard)를 8개까지 확장이 가능해야 한다. |
| 07 | Industrial PC 기반의 완전 자동 제어 시스템을 적용하고, 999개의 Recipe 저장 및 99 Step Recipe 편집·저장·다운로드·실행 기능을 제공해야 한다. |
| 08 | Process Data Logging, 진공 및 압력 제어, RF 전원 제어, 가스 유량 제어 기능을 제공해야 한다. |
| 09 | 장비 공급 시 운전 매뉴얼(Operation Manual), 유지보수 매뉴얼(Maintenance Manual), 전기 도면(Electrical Manual)를 함께 제공해야 한다. |
| 10 | 장비 본체 및 모든 구성품(부품 포함)은 신품(New Equipment)이어야 하며, 중고품을 사용할 수 없다. |
| 구분 | 성능 및 규격 |
|---|
| 1) Process chamber | Aluminum chamber housing |
| ICP plasma source |
| Mechanical chuck with Back Side He Cooling |
| Base pressure: 2 mTorr or less |
| Individual Wall/Lid Heating Control |
| Side view port |
| 2) Vacuum pump | Turbo molecular pump : 2,700 L/sec or more |
| Dry pump : 1,600 L/min or more |
| Pendulum APC valve (Ø250 mm, Heating Type) |
| 3) RF power supply | ①Source RF Generator: 3.0 kW, 13.56 MHz (Pulse Option) |
| ②Bias RF Generator: 1.5 kW, 13.56 MHz (Pulse Option) |
| ③Source Auto Matching Box: 3.0 kW, 13.56 MHz |
| ④Bias Auto Matching Box: 1.5 kW, 13.56 MHz |
| 4) Gas Supply | Standard Process Gas: 8 Gas Lines |
| Conventional Gas Stick Type Gas Box |
| Each Gas Line consists of: - Manual Valve- Pneumatic Valve- Pressure Gauge- Regulator |
| 5) Chiller | Single Channel Circulation System |
| Temperature Range: -10℃ ~ +50℃ |
| Cooling Capacity: ≥ 5.0 kW @ 20℃ |
| Heating Capacity: ≥ 3.0 kW @ 20℃ |
| Anti-condensation Function |
| 구분 | 성능 및 규격 |
|---|
| 6) System Control | Industrial Computer-based Automatic Control System |
| Easy Cluster Engine & Graphical User Interface (GUI) |
| Process Data Logging Function |
| Recipe Management : 999 Recipes / 99 Steps per Recipe |
| Real-time Monitoring & Control : RF Power / Temperature / Gas Flow |
| Vacuum & Pressure |
| Air / Water Interlock System |
| 17-inch Touch Monitor |
| 7) Load Lock Module | 1 Vacuum Load Lock Chamber |
| Manual Loading (1 Wafer) |
| Slow/Fast Pumping & Venting |
| Vacuum Pump and Pressure Gauge Included |
| 8) Transfer Chamber | Aluminum Housing |
| Transfer View Window |
| Slow/Fast Pumping |
| ATM/Vacuum Switching |
| Wafer Position Detection Sensor |
| 9) Main Body Dimension | : W1,000 × D2,000 × H2,000 mm |
| 10) Facilities Requirement | Exhaust: Process Exhaust & Pump Exhaust Required |
| Electrical Power: 3Ø, 200–220 VAC ±10% |
| Cooling Water Flow Rate: 20 L/min or more |
| No | 검수 내용 |
|---|
| 01 | 납기 전 장비 제작 상태를 확인하고 제작상의 문제점을 사전에 수정한다. |
| 02 | 설비 제작 진행 상황을 확인한다. |
| 03 | 규격서와 장비 구성이 일치하는지 확인한다. |
| 04 | 하드웨어 및 소프트웨어의 구성 상태를 확인하고 필요 시 수정한다. |
| 검수 구분 | 세부 내용 |
|---|
| 하드웨어 검수 | • 유틸리티 연결 완료 후 14일 이내
• 기계적 오류 발생 없이 일반적인 공정의 정상작동 |
| 하드웨어 검수 절차 | • 웨이퍼 로딩 ⇒ 공정진행 ⇒ 웨이퍼 언 로딩
• 재현성 : 5회 진행 결과 확인 |
| Process 검수 | • 하드웨어 검수 완료 후 60일 이내
• Process 검수 항목 및 사양에 따라 규격 평가 진행 |
| 항목 | 검수 시료 사양 |
|---|
| Recipe | Standard Etch Process |
| Process | SiO₂ Etching / SiN Etching |
| Demo Test | Yes |
| Substrate | Silicon Wafer |
| Wafer Size | 4inch |
| Wafer Thickness | 500~700 μm |
| Mask Material | Photoresist |
| Thin Film Structure | PR/Si 또는 SiO |
| Pattern | Line & Space 또는 Contact Hole Pattern |
| 검수 항목 | 요구 사양 |
|---|
| Etch Rate | >3000Å/min |
| Selectivity(to PR) | >1.6 |
| Angle | >85° |
| Uniformity(WIW) | <4% |
| %Non-Uniformity = (Maximum value − Minimum value) / (2 × Average) × 100 | |
• 측정 포인트 (5points): Top, Center, Bottom, Left, Right
• 최종검수 시 한양대학교는 최대 시편 50개, 웨이퍼는 50매까지 테스트 웨이퍼를 제공한다.
3.2.3 SiO2 / Si3N4 공정 조건
| 항목 | Si₃N₄ 요구 조건 | SiO₂ 요구 조건 | 비고 |
|---|
| Substrate / Etch Material | 4” Si / Si₃N₄ | 4” Si / SiO₂ | |
| Film Thickness | 450 nm | 500 nm | Partial etch 진행 |
| Etch Rate | > 250 nm | > 250 nm | |
| Selectivity to PR | 1.5 : 1 | 1.5 : 1 | T_PR 0.92um |
| Angle | 85° ~ 90° | 85° ~ 90° | |
| In-wafer uniformity | < 5.0% | < 5.0% | |
| Wafer-to-wafer uniformity | |
| RTR | 3 wafers | 3 wafers | |
| 구분 | 조건 |
|---|
| 인도 조건 | PO(고객지정장소 인도조건) |
| 납품 기한 | 2026.11.13일 이내 |
| 지불 조건 | 계약 완료 후 70%, 최종 검수 완료 후 30% |
| No | 설치 조건 |
|---|
| 01 | 설비는 당 기관이 지정한 장소에 최대의 성능 발휘 및 안전성을 고려하여 설치해야 한다. |
| 02 | 설치 변경사항에 대하여는 당 기관의 사전 승인을 반드시 득한 후 설치하여야 한다. |
| 03 | 제조사 및 공급사는 장비가 제대로 설치되지 않는 경우 이에 대한 모든 책임을 져야 한다. |
| 구분 | 장비 제조사는 구매자에게 다음과 같은 교육을 제공하여야 한다. |
|---|
| 교육 제공 | • 설비 및 소프트웨어 운영
• 유지보수, 고장 수리
• 그 외 설비의 유지보수와 운영에 필요한 모든 사항 |
| No | 성능보증 조건 |
|---|
| 01 | 계약자는 공급한 장비와 장비 설치 부분에 하자 보증기간 동안 품질보증을 하여야 하며, 제품 설계상 문제가 있는 부품에 대해서는 보증기간에 상관없이 무상으로 교체하여야 한다. |
| 02 | 보증기간 동안 계약자는 추가 비용의 요구 없이 구매자에게 물질적이고 기술적인 서비스를 제공하여야 한다. |
| 03 | 보증기간 만료 전에 발견된 하자에 대해서는 해당 하자 처리 완료 시까지 보증기간을 연장한다. |
참가자격
| No | 참가 자격 |
|---|
| 01 | 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제12조 및 동법 시행규칙 제14조에 따른 경쟁입찰 참가자격을 갖춘 업체이어야 한다. |
| 02 | 입찰공고 규격을 만족하는 장비를 제조 또는 공급할 수 있는 업체로서, 사업자등록증상 제조업을 영위하는 사업자이어야 한다. |
| 03 | 공급 장비는 제조사에서 직접 생산한 신품(New Equipment)이어야 하며, 중고장비(Refurbished, Used Equipment), 전시품 또는 재생장비의 공급은 허용하지 않는다. |
| 04 | 입찰자는 입찰 마감일까지 제품 규격서, 카탈로그, 기술제안서 등 장비의 성능을 확인할 수 있는 자료를 제출하여야 한다. |
| 05 | 장비 설치 후 유지보수 및 기술지원을 신속하게 제공할 수 있는 국내 서비스 조직을 보유하여야 하며, 공정(Process), 장비(Mechanical), 전장(Electrical) 분야의 전문 엔지니어를 확보하고 있어야 한다. |
| 06 | 장비 설치, 시운전, 공정 안정화 및 검수 지원을 수행할 수 있는 기술인력을 50명 이상 보유하여야 하며, 필요 시 제조사의 기술 지원을 제공할 수 있어야 한다. |
배점·평가
| 평가분야 | 평가 항목 |
|---|
| 정량적 평가분야 | 신용평가등급, 납품실적 |
| 정성적 평가분야 | 제안서와 공고된 규격서의 적합성 |
| No | 평가방법 |
|---|
| 01 | 평가배점은 100점 만점으로 이 중 85점 이상을 득한 입찰자를 규격 적격자로 선정한다. |
| 02 | 평가 범위는 입찰자가 제출한 제안서를 대상으로 한다. |
| 03 | 평가항목 중 평가에 필요한 자료를 제출하지 않은 평가 항목은 0점 처리할 수 있다. |
| 04 | 평가점수는 평가위원의 점수를 산술평균한 점수 (소수점 셋째 자리에서 반올림)로 반영한다. |
| 05 | 제안서 평가는 제안요청서에 의거 수요기관에서 평가위원회를 구성하여 실시한다. |
| 신용평가등급 | 평점 | | |
|---|
| 회사채 | 기업어음 | 기업신용평가등급 | 평점 |
| AAA, AA+, AA0, AA-, A+,A0, A-, BBB+, BBB0 | A1, A2+, A20, A2-, A3+,A30 | AAA, AA+, AA0, AA-, A+,A0, A-, BBB+, BBB0 | 5.0 |
| BBB-, BB+, BB0, BB- | A3-, B+, B0 | BBB-, BB+, BB0, BB- | 4.5 |
| B+, B0, B- | B- | B+, B0, B- | 4.0 |
| CCC+ 이하 | C 이하 | CCC+ 이하 | 3.5 |
| 항목 | A | B | C | D | 제출자료 |
|---|
| 제조사의 국내 및 해외 기존 장비 납품 실적(최근 3년 기간 내) | 10대 이상 | 5대 이상 ~ 10대 미만 | 3대 이상 ~ 5대 미만 | 3대 미만 | 납품실적증명서 |
| 배점 | 10 | 5 | 3 | 1 |
| 평가항목 | 구분 | A | B | C | D | 제출자료 |
|---|
| 규격 적합성 | 기준 | 규격 만족 | 규격 미충족1개 | 규격 미충족5개 | 규격 미충족10개 | 규격서 |
| 배점 | 30 | 20 | 10 | 1 |
| 평가항목 | 구분 | A | B | C | D | 제출자료 |
|---|
| 식각율 | 기준 | 3000Å/min이상 | 2500Å/min 이상 ~3000Å/min 미만 | 2000Å/min 이상 ~2500Å/min 미만 | 2000Å/min 미만 | 분석자료(SEM 사진 포함) |
| 배점 | 10 | 7 | 4 | 1 |
| Angle | 기준 | >85° | >80° | >75° | >70° |
| 배점 | 10 | 7 | 4 | 1 |
| Selectivity(to PR) | 기준 | >85° | 80° 이상 ~85° 미만 | 75° 이상 ~80° 미만 | 75° 미만 |
| 배점 | 10 | 7 | 4 | 1 |
| Uniformity | 기준 | 45:1 이상 | 35:1 이상 ~45:1 미만 | 25:1 이상 ~35:1 미만 | 25:1 미만 |
| 배점 | 10 | 7 | 4 | 1 |
| 항목 | 구분 | 기준 | A | B | C | 제출자료 |
|---|
| 기술지원 인력 | 인원 | 기준 | 50인 이상 | 30인 이상~50인 미만 | 10인 이상~30인 미만 | 제조증명서 |
| 배점 | 10 | 5 | 1 |
| 항목 | 구분 | A | B | C | 제출자료 |
|---|
| 보증기간(Warranty) | 기준 | 1년 이상 | 6개월 이상~1년 미만 | 6개월 미만 | - |
| 배점 | 5 | 3 | 1 |
과업·요구
=== 공고문_플라즈마 기반 반도체 패키징용 식각장치(서울 대학원 반도체공학과).hwp ===
한양대학교 산학협력단 공고 제H6129-2026-0901호
플라즈마 기반 반도체 패키징용 식각장치 구축
(서울 대학원 반도체공학과)
1. 입찰에 부치는 사항
가. 입찰건명 : 서울 대학원 반도체공학과 플라즈마 기반 반도체 패키징용 식각장치 구매
나. 구매내역 : 붙임1. 구매규격서 참고
다. 납품기한 : 2026년 11월 13일까지 (납품, 설치, 교육, 테스트 및 검수 완료 기준, 다만 필요 시 낙찰자 선정 후 발주부서와 협의하여 납품기한을 최종 확정하며, 계약 체결 후에는 특별한 사유가 없는 한 변경할 수 없다.)
라. 납품장소 : 서울특별시 왕십리로 222 한양대학교 신소재공학관 지하 1층 B109호
2. 입찰방법
가. 본 입찰은 일반경쟁입찰, 전자입찰, 규격·가격 동시입찰, 총액입찰로 한다.
나. 입찰금액은 「1. 입찰에 부치는 사항」의 구매내역에 명시된 모든 품목의 총액
(부가가치세 포함)으로 투찰하여야 한다.
※ 투찰금액 = Σ(품목별 단가 × 수량)
다. 규격심사 결과 적격으로 판정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시한다.
라. 입찰서는 국가종합전자조달시스템(나라장터)을 이용한 전자입찰 방식으로만 제출할 수
있으며, 제출된 서류는 반환하지 아니한다.
3. 참가자격
가.「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제12조 및 동법 시행규칙 제14조의 자격요건을 갖춘 사업자로서, 정해진 기한 내에 입찰 서류를 제출한 업체
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