입찰공고상세[물품] · 마감
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저온 원자층 계면공정 시스템_첨단산업특성화대학원지원(반도체)
재공고 · 유찰 · 한양대학교 산학협력단 · 반도체·박막 공정장비
- 결과
- 유찰
- 참가
- 0곳 · 개찰 09/30(수)
요약 AI 요약
저온 원자층 증착(ALD) 기반 계면공정 시스템을 구축하여 Thermal ALD와 Plasma-Enhanced ALD(PEALD)를 단일 장비에서 수행하고, 저온에서 고품질 박막을 원자층 단위로 증착하기 위한 장비를 도입한다.
- Thermal ALD 및 Plasma-Enhanced ALD(PEALD) Dual Mode 공정을 단일 시스템에서 수행
- 1 Process Module과 1 Loadlock Module 구성, 웨이퍼 자동 로딩 방식
- 6인치(150 mm) 웨이퍼 지원 Showerhead Type PEALD Chamber 적용
- Ozone Generator를 장비 본체 내장형(Built-in Type)으로 공급
- Al₂O₃, HfO₂, SiO₂, TiO₂, TiN, SiN, AlN, Ru, Mo, Pt 등 다양한 박막 증착 지원
- GUI 기반 제어 시스템으로 Recipe 편집·저장·다운로드·실행, 공정 상태 실시간 모니터링 및 Process/Event Data Logging 기능 제공
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사업 내용 · 이 공고에 든 일
중심 · 저온 원자층 계면공정 시스템(ALD) 공급·설치·검수
물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비
Thermal/PEALD Dual Mode 반도체 박막 증착 장비를 제조·공급하고 설치·시운전·검수까지 수행하는 사업이다.
- 운전·유지보수·전기 매뉴얼 제공
- 설치 및 유틸리티 연결
- 장비 운영·유지보수·고장수리 교육
- 중간검수 및 최종검수(하드웨어·공정 검수) 지원
- 검수 시료(6인치 Si 웨이퍼) 데모 테스트
- Set-up 완료 후 1년 하자보수·품질보증
평가 · 배점
협상 대상 기준 · 평가배점은 100점 만점으로 이 중 85점 이상을 득한 입찰자를 규격 적격자로 선정한다.
| 평가 항목 | 배점 |
|---|---|
| 신용평가등급 | 5점 |
| 납품실적 (제조사의 국내 및 해외 기존 장비 납품 실적, 최근 3년) | 10점 |
| 규격 적합성 | 30점 |
| Deposition Rate (박막별) | 10점 |
| Thickness Uniformity (WIW) | 10점 |
| 공정 재현성 (Run-to-Run) | 10점 |
| 기술지원 인력 | 10점 |
| 보증기간 (Warranty) | 5점 |
| 합계(항목을 더한 값) | 90점 |
참가 자격 · 제한
- 업종제한
- 제한 없음
- 지역제한
- 제한 없음
- 공동수급
- 공동수급불허
- 입찰참가 제한
- 모름
- 실적경쟁 · PQ
- 모름
- 국제입찰
- 국내입찰
- 제출 방법
- 전자입찰
입찰 일정
| 진행 | 일시 | 남은 날 |
|---|---|---|
| 공고 게시 | 09/22(화) | 지남 |
| 입찰서 제출 시작 | 09/22(화) 12:00 | 지남 |
| 입찰참가자격 등록 마감 | 09/29(화) 18:00 | 지남 |
| 입찰서 제출 마감 | 09/30(수) 10:00 | 지남 |
| 개찰 | 09/30(수) 11:00 | 지남 |
가격
- 추정가격
- 364,545,455원
- 배정예산
- 401,000,000원
- 기초금액
- 401,000,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)
- 부가세
- 36,454,545원
- 예정가격 방식
- 복수예가
납품
- 품명
- 진공증착기 (2399039801)
- 수량
- 1 대
- 인도조건
- 모름
- 제조물품
- 아니오
- 세부품명 등록
- 아니오
공고 정보
- 공고종류
- 재공고 (재입찰공고)
- 게시일
- 09/22(화)
- 공고번호
- R26BK01740544-000
- 참조번호
- H6129-2026-0824
- 공고기관
- 한양대학교 산학협력단
- 수요기관
- 한양대학교 산학협력단
- 계약방법
- 일반경쟁
- 낙찰방법
- 규격가격동시입찰
- 계약유형
- 총액계약
- 예정가격 방식
- 복수예가
- 추정가격
- 364,545,455원
- 배정예산
- 401,000,000원
- 사전규격번호
- R26BD00270304
- 재공고
- 재공고
- 출처
- 나라장터
첨부파일
- DOCX · 저온_원자층_계면공정_시스템_규격서.docx · 공고규격서
- PDF · 공고문_저온 원자층 계면공정 시스템(서울 한양대학교 반도체공학과)_0922.pdf · 공고규격서
- HWP · 공고문_저온 원자층 계면공정 시스템(서울 한양대학교 반도체공학과)_0922.hwp · 공고규격서
문서 발췌
과업·요구
=== 저온_원자층_계면공정_시스템_규격서.docx === 저온 원자층 계면공정 시스템 규격서 (Low-Temperature ALD Interface Processing System) EQUIPMENT SPECIFICATION 1. 용도 : 저온 원자층 증착(ALD) 기반 계면공정 시스템 구축
| No. | 세부 요구사항 |
|---|---|
| 01 | 이 장비는 Thermal ALD 및 Plasma-Enhanced ALD(PEALD)의 Dual Mode 공정을 단일 시스템에서 수행할 수 있어야 하며, 저온 공정 조건에서 고품질 박막의 원자층 단위 증착이 가능해야 한다. |
| 02 | 1 Process Module과 1 Loadlock Module로 구성되며, 웨이퍼 자동 로딩(Automatic Loading) 방식으로 공정을 수행할 수 있어야 한다. |
| 03 | 6인치(150 mm) 웨이퍼를 지원하는 Showerhead Type PEALD Chamber를 적용하여 균일한 가스 분포와 우수한 박막 균일도를 확보할 수 있어야 한다. |
| 04 | Ozone Generator는 장비 본체 내장형(Built-in Type)으로 공급되어야 하며, 외부 별치형(Stand-alone Type)은 허용하지 않는다. (설치 공간 제약) |
| 05 | Al₂O₃, HfO₂, SiO₂, TiO₂, TiN, SiN, AlN, Ru, Mo, Pt 등 다양한 박막의 증착이 가능하여야 하며, Thermal ALD 및 PEALD 공정을 모두 지원하여야 한다. |
| 06 | GUI 기반 제어 시스템으로 Recipe 편집·저장·다운로드·실행, 공정 상태 실시간 모니터링 및 Process / Event Data Logging 기능을 제공해야 한다. |
| 07 | 장비 공급 시 운전 매뉴얼(Operation Manual), 유지보수 매뉴얼(Maintenance Manual), 전기 도면(Electrical Manual)을 함께 제공해야 한다. |
| 08 | 장비 본체 및 모든 구성품(부품 포함)은 신품(New Equipment)이어야 하며, 중고품·재생품(Refurbished)·전시품을 사용할 수 없다. |
2. 구성 : Main ALD System (Process Module, Loadlock, Ozone Generator, Pump)
3. 성능 및 규격
| 구분 | 성능 및 규격 |
|---|---|
| 1) Process Module | 6" Size Showerhead Type PEALD Chamber (Dual Mode : Thermal ALD & Plasma-Enhanced ALD) Chamber Material : Al6061 with Anodized Max Process Temperature : 450℃ / Chamber Wall Temperature : 200℃ RF Plasma Kit : 13.56 MHz, 1,000 W 이상 Source Delivery : 4 Sets (150℃ Canister × 2, 200℃ Canister × 2, with Carrier Gas 200cc) Process Gas : 3EA 이상 [O₂, O₃, NH₃] / MFC 용량 : 1,000 sccm Reactant : H₂O Canister [Vapor Type] Purge and Carrier Gas : Ar Automatic Pressure Control Kit / Hot Trap / Spare Heater Ch : 3 Sets 포함 Heating System : Process Heater Max. 450℃ / Chamber Wall Heater 200℃ View Port : Chamber Monitoring View Port 포함 PM Base Pressure : 10 mTorr 이하 |
| 2) Ozone Generator | 장비 본체 내장형(Built-in Type)으로 공급되어야 하며, 외부 별치형(Stand-alone Type)은 허용하지 않는다. (설치 공간 제약) AFO9102 1CELL 동등 이상 O₃ 발생 농도 범위 : 0 ~ 180 g/Nm³ (~25 wt%) O₂ Flow Control : MFC 적용 (0 ~ 2 SLM) O₂ Gas Flow 및 Generator Power 조건에 따른 O₃ 농도 제어 가능 O₃ 누출 감지 및 안전 Interlock 구성 O₃ By-pass Line 및 배기 처리 구성 |
| 3) Vacuum Pump | Process Pump : Oil-free Dry Pump 10,000 L/min급 이상 (Pumping Speed 550 m³/h 이상 @60Hz, Ultimate Pressure 2×10⁻³ hPa 이하) O₃ By-pass & Loadlock Pump : Oil-free Dry Pump 2,000 L/min급 이상 (Pumping Speed 110 m³/h 이상 @60Hz, Ultimate Pressure 2×10⁻² hPa 이하) 모든 Pump는 Oil-free Dry Pump 방식이어야 한다. N₂ Purge : Clean & Dry N₂ 적용 / Facility Exhaust 연결 Cooling : Cooling Water 적용 (Pump별 2.3 ~ 4 L/min) / 3-Phase AC Power |
| 4) Loadlock Module | Chamber Material : Al with Anodized Wafer Handling : Automatic Loading Type Vacuum Gauge : Convectron Gauge, ATM S/W Isolation : Pneumatic Gate Valve Slow & Fast Pumping Loadlock Base Pressure : 50 mTorr 이하 Vacuum Pump : Dry Pump (2,000 L/min급) |
| 5) System Control | Industrial PC 기반 Control System 구성 / LCD Monitor 적용 USB 및 Networking 기능 지원 Control Software를 통한 Recipe 편집·저장·다운로드·실행 가능 공정 상태 실시간 모니터링 및 Process / Event Data Logging 기능 제공 Main Switch 및 Emergency Stop을 통한 안전 제어 구성 |
| 6) Main Body Dimension | (W × D × H) : 1,935 × 1,032 × 1,940 mm / 820 kg |
| 7) Facilities Requirement | Electrical Power : 380 V, 3Ø, 60 Hz (Main 100 A 기준) Process Gas : N₂ / O₂ / O₃ / NH₃ (Purity 99.999%, 1/4" SUS, VCR Fitting) CDA : 5 ~ 7 kgf/cm² Cooling Water (PCW) : 3 ~ 5 kgf/cm², 23℃ (Filtered, 100 ㎛) Pump Purge GN₂ : 3 ~ 6 kgf/cm² Exhaust : Process(Acid) Exhaust & Pump Exhaust Required ※ 세부 Utility 조건은 공급사 제출 UT Sheet(Requirement Specification Sheet of Utility)를 따른다. |
4. 검수 4.1 중간 검수
| No. | 검수 내용 |
|---|---|
| 01 | 납기 전 장비 제작 상태를 확인하고 제작상의 문제점을 사전에 수정한다. |
| 02 | 설비 제작 진행 상황을 확인한다. |
| 03 | 규격서와 장비 구성이 일치하는지 확인한다. |
| 04 | 하드웨어 및 소프트웨어의 구성 상태를 확인하고 필요 시 수정한다. |
4.2 최종 검수
| 검수 구분 | 세부 내용 |
|---|---|
| 하드웨어 검수 | 유틸리티 연결 완료 후 14일 이내 기계적 오류 발생 없이 일반적인 공정의 정상 작동 |
| 하드웨어 검수 절차 | 웨이퍼 로딩 ⇒ 공정 진행 ⇒ 웨이퍼 언로딩 재현성 : 5회 진행 결과 확인 |
| Process 검수 | 하드웨어 검수 완료 후 60일 이내 Process 검수 항목 및 사양에 따라 규격 평가 진행 |
| 항목 | 검수 시료 사양 |
|---|---|
| Recipe | Standard ALD Process (Thermal ALD / PEALD 각 1종 이상) |
| Process (박막) | Al₂O₃, HfO₂, ZrO₂, SiN |
| Demo Test | Yes |
| Substrate | Silicon Wafer |
| Wafer Size | 6 inch |
| Wafer Thickness | 675 ㎛ |
| 측정 방법 | Ellipsometer (박막 두께 및 굴절률 측정) |
4.2.2 검수 항목 및 사양
| 박막 | Deposition Rate (Å/cycle) | Thickness Uniformity (WIW) | 공정 온도 | 공정 Mode |
|---|---|---|---|---|
| Al₂O₃ | ≥ 1.00 | ≤ 2% | 250℃ | Thermal |
| HfO₂ | ≥ 0.7 | ≤ 3% | 320℃ | |
| ZrO₂ | ||||
| SiN [Option] | ≥ 0.3 | 200℃ | PEALD |
※ %Non-Uniformity = (Maximum value − Minimum value) / (Maximum value + Minimum value) × 100 • 측정 포인트 (5 Points) : Top, Center, Bottom, Left, Right — Ellipsometer 측정 • 최종 검수 시 한양대학교는 테스트 웨이퍼(Silicon Wafer)를 최대 10매까지 제공한다. 5. 기타 조건 (Remarks) 5.1 설비 운송
| 구분 | 조건 |
|---|---|
| 인도 조건 | PO (고객지정장소 인도조건) : 서울특별시 성동구 왕십리로 222, 한양대학교 신소재공학관 B109 |
| 납품 기한 | 2026.11.20일 이내 |
| 지불 조건 | 계약 완료 후 70%, 최종 검수 완료 후 30% |
5.2 설치
| No. | 설치 조건 |
|---|---|
| 01 | 설비는 당 기관이 지정한 장소에 최대의 성능 발휘 및 안전성을 고려하여 설치해야 한다. |
| 02 | 설치 변경사항에 대하여는 당 기관의 사전 승인을 반드시 득한 후 설치하여야 한다. |
| 03 | 제조사 및 공급사는 장비가 제대로 설치되지 않는 경우 이에 대한 모든 책임을 져야 한다. |
5.3 장비 관련 교육
| 구분 | 장비 제조사는 구매자에게 다음과 같은 교육을 제공하여야 한다. |
|---|---|
| 교육 제공 | 설비 및 소프트웨어 운영 유지보수, 고장 수리 그 외 설비의 유지보수와 운영에 필요한 모든 사항 |
| No. | 성능보증 조건 |
|---|---|
| 01 | 계약자는 공급한 장비와 장비 설치 부분에 하자 보증기간(Set-up 완료 후 1년) 동안 품질보증을 하여야 하며, 제품 설계상 문제가 있는 부품에 대해서는 보증기간에 상관없이 무상으로 교체하여야 한다. |
| 02 | 보증기간 동안 계약자는 추가 비용의 요구 없이 구매자에게 물질적이고 기술적인 서비스를 제공하여야 한다. |
| 03 | 보증기간 만료 전에 발견된 하자에 대해서는 해당 하자 처리 완료 시까지 보증기간을 연장한다. |
참가자격
6. 기술 제안서 평가 6.1 입찰 참가 자격
| No. | 참가 자격 |
|---|---|
| 01 | 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제12조 및 동법 시행규칙 제14조에 따른 경쟁입찰 참가자격을 갖춘 업체이어야 한다. |
| 02 | 입찰공고 규격을 만족하는 장비를 제조 또는 공급할 수 있는 업체로서, 사업자등록증상 제조업을 영위하는 사업자이어야 한다. |
| 03 | 공급 장비는 제조사에서 직접 생산한 신품(New Equipment)이어야 하며, 중고장비(Refurbished, Used Equipment), 전시품 또는 재생장비의 공급은 허용하지 않는다. |
| 04 | 입찰자는 입찰 마감일까지 제품 규격서, 카탈로그, 기술제안서 등 장비의 성능을 확인할 수 있는 자료를 제출하여야 한다. |
| 05 | 장비 설치 후 유지보수 및 기술지원을 신속하게 제공할 수 있는 국내 서비스 조직을 보유하여야 하며, 공정(Process), 장비(Mechanical), 전장(Electrical) 분야의 전문 엔지니어를 확보하고 있어야 한다. |
| 06 | 장비 설치, 시운전, 공정 안정화 및 검수 지원을 수행할 수 있는 기술인력을 20명 이상 보유하여야 하며, 필요 시 제조사의 기술 지원을 제공할 수 있어야 한다. |
6.2 입찰 참가 방식
배점·평가
6.6 제안서 평가 항목
| 평가분야 | 평가 항목 |
|---|---|
| 정량적 평가분야 | 신용평가등급, 납품실적 |
| 정성적 평가분야 | 제안서와 공고된 규격서의 적합성 |
6.7 제안서 평가방법
| No. | 평가방법 |
|---|---|
| 01 | 평가배점은 100점 만점으로 이 중 85점 이상을 득한 입찰자를 규격 적격자로 선정한다. |
| 02 | 평가 범위는 입찰자가 제출한 제안서를 대상으로 한다. |
| 03 | 평가항목 중 평가에 필요한 자료를 제출하지 않은 평가 항목은 0점 처리할 수 있다. |
| 04 | 평가점수는 평가위원의 점수를 산술평균한 점수(소수점 셋째 자리에서 반올림)로 반영한다. |
| 05 | 제안서 평가는 제안요청서에 의거 수요기관에서 평가위원회를 구성하여 실시한다. |
6.8 제안서 세부평가항목 — 신용평가등급
| 회사채 | 기업어음 | 기업신용평가등급 | 평점 |
|---|---|---|---|
| AAA, AA+, AA0, AA-, A+, A0, A-, BBB+, BBB0 | A1, A2+, A20, A2-, A3+, A30 | AAA, AA+, AA0, AA-, A+, A0, A-, BBB+, BBB0 | 5.0 |
| BBB-, BB+, BB0, BB- | A3-, B+, B0 | BBB-, BB+, BB0, BB- | 4.5 |
| B+, B0, B- | B- | B+, B0, B- | 4.0 |
| CCC+ 이하 | C 이하 | CCC+ 이하 | 3.5 |
6.8.1 납품실적
| 항목 | A | B | C | D | 제출자료 |
|---|---|---|---|---|---|
| 제조사의 국내 및 해외 기존 장비 납품 실적 (입찰 공고일 기준 최근 3년) | 10대 이상 | 5대 이상 ~ 10대 미만 | 3대 이상 ~ 5대 미만 | 3대 미만 | 납품실적증명서 |
| 배점 | 10 | 5 | 3 | 1 |
6.8.2 규격 적합 ① 규격 적합성은 본 규격서의 필수 요구사항 충족 여부를 기준으로 평가하며, 미충족 항목이 있는 경우 해당 항목은 감점 또는 평가에서 제외할 수 있다.
| 평가항목 | A | B | C | D | 제출자료 |
|---|---|---|---|---|---|
| 규격 적합성 | 규격 만족 | 규격 미충족 1개 | 규격 미충족 5개 | 규격 미충족 10개 | 규격서 |
| 배점 | 30 | 20 | 10 | 1 |
6.8.3 공정 성능 평가 ① 5pt (T, C, B, L, R) 영역의 증착 박막 두께를 Ellipsometer로 측정한 자료를 제출한다.
| 평가항목 | A | B | C | D | 제출자료 |
|---|---|---|---|---|---|
| Deposition Rate (박막별) | 요구 사양 ±0.2 Å/cycle 이내 | ±0.3 이내 | ±0.5 이내 | ±1.0 이내 | 분석자료 (Ellipsometer 측정 데이터 포함) |
| 배점 | 10 | 7 | 4 | 1 | |
| Thickness Uniformity (WIW) | < 3% | 3% ~ 5% | 5% ~ 7% | > 7% | |
| 배점 | 10 | 7 | 4 | 1 | |
| 공정 재현성 (Run-to-Run) | 동일 공정 2회 반복 시 두께 편차 ≤ 1% | ≤ 2% | ≤ 3% | > 3% | |
| 배점 | 10 | 7 | 4 | 1 |
6.8.4 기술 지원 인력 ① 기술지원 인력은 본 입찰에 해당하는 장비 사업부의 인원만을 대상으로 하며, 해당 장비의 설치, 공정 셋업, A/S의 실질적인 기술 지원이 가능한 인원이어야 한다.
| 항목 | A | B | C | 제출자료 |
|---|---|---|---|---|
| 기술지원 인력 | 14인 이상 | 10인 이상 ~ 14인 미만 | 10인 미만 | 재직증명서 |
| 배점 | 10 | 5 | 1 |
| 항목 | A | B | C | 제출자료 |
|---|---|---|---|---|
| 보증기간 (Warranty) | 1년 이상 | 6개월 이상 ~ 1년 미만 | 6개월 미만 | - |
| 배점 | 5 | 3 | 1 |
참가자격
=== 공고문_저온 원자층 계면공정 시스템(서울 한양대학교 반도체공학과)_0922.hwp === 한양대학교 산학협력단 공고 제H6129-2020-0824-1호
저온 원자층 계면공정 시스템 구축
(서울 한양대학교 반도체공학과) 1. 입찰에 부치는 사항 가. 입찰건명 : 저온 원자층 계면공정 시스템_첨단산업특성화대학원지원(반도체) 나. 구매내역 : 저온 원자층 계면공정 시스템 1식 다. 납품기한 : 2026년 11월 20일까지 (납품, 설치, 교육, 테스트 및 검수 완료 기준, 다만 필요 시 낙찰자 선정 후 발주부서와 협의하여 납품기한을 최종 확정하며, 계약 체결 후에는 특별한 사유가 없는 한 변경할 수 없다.) 라. 납품장소 : 서울특별시 왕십리로 222 한양대학교 신소재공학관 지하 1층 B109호 2. 입찰방법 가. 본 입찰은 일반경쟁입찰, 전자입찰, 규격·가격 동시입찰, 총액입찰로 한다. 나. 입찰금액은 「1. 입찰에 부치는 사항」의 구매내역에 명시된 모든 품목의 총액 (부가가치세 포함)으로 투찰하여야 한다. ※ 투찰금액 = Σ(품목별 단가 × 수량) 다. 규격심사 결과 적격으로 판정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시한다. 라. 입찰서는 국가종합전자조달시스템(나라장터)을 이용한 전자입찰 방식으로만 제출할 수 있으며, 제출된 서류는 반환하지 아니한다. 3. 참가자격 가.「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제12조 및 동법 시행규칙 제14조의 자격요건을 갖춘 사업자로서, 정해진 기한 내에 입찰 서류를 제출한 업체