[앵커]10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 구매

요약 AI 요약

발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼 10매를 대상으로 10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 사업이다. 최종 산출물은 공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 10매와 공정 수행 결과 확인 자료이다.

• 10 kV급 SiC 전력반도체 공정 완료 웨이퍼 10매 제작
• 공정 진행 결과 데이터 및 확인 자료 제출
• 최소선폭 0.8 μm 이하 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정
• 희생산화막(10~40 nm) 및 필드산화막(1.0~1.5 μm) 형성 공정
• 500 keV 이상 고에너지·500 ℃ 이상 고온 이온주입 및 1,700 ℃ 수준 초고온 열처리 공정
• 전면·후면 전극 형성 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing, P-type poly-Si 증착 공정

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사업 내용 · 이 공고에 든 일

중심 · 10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 제작(반도체 일괄공정)

물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비

발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼 10매에 포토·식각·이온주입·산화막/금속막·열처리·후면공정 등 반도체 공정을 일괄 수행해 공정 완료 웨이퍼를 납품하는 것이 사업의 몸통이다.

• 공정 런시트·세부 진행 조건 확인 및 사전 협의
• 주요 단계별 WIP Status 공유(공정 단계·일정 변경·Hold 사유)
• 공정 완료 웨이퍼 10매 및 공정 수행 결과 확인 자료 제출
• 검수 완료일로부터 1년 하자보증(원인분석·재작업 협의)
• Class 1,000 청정 공정 환경 및 설비·인프라 확보
• 일부 공정 외부 협력업체 수행 시에도 전체 품질·납기·웨이퍼 관리 총괄

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 제안서 평가 결과 총점 100점 기준 85점 이상을 득하여 규격 적격으로 선정된 업체에 한하여 가격개찰을 실시하며, 예정가격 이하의 유효한 입찰업체 중 최저가격 입찰업체를 적격업체로 결정함.

참가 자격 · 제한

업종제한

제한 없음

지역제한

제한 없음

공동수급

공동수급불허

입찰참가 제한

모름

실적경쟁 · PQ

모름

국제입찰

국내입찰

제출 방법

전자입찰

입찰 일정

가격

추정가격

80,000,000원

배정예산

88,000,000원

기초금액

88,000,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)

부가세

8,000,000원

예정가격 방식

복수예가

납품

품명

반도체용칩 (3213100201)

수량

1 식

납품

계약 후 60일

인도조건

과업내역에 따름

제조물품

아니오

세부품명 등록

등록 필요

공고 정보

공고종류

등록공고 (일반공고)

게시일

09/21(월)

공고번호

R26BK01737905-000

참조번호

미래신산업실-1619

공고기관

부산대학교 산학협력단

수요기관

부산대학교 산학협력단

계약방법

제한경쟁

낙찰방법

규격가격동시입찰

계약유형

총액계약

예정가격 방식

복수예가

추정가격

80,000,000원

배정예산

88,000,000원

사전규격번호

R26BD00274701

재공고

아니오

출처

나라장터

첨부파일

• HWP · 입찰공고문(10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 구매).hwp · 공고규격서
• PDF · 입찰공고문(10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 구매).pdf · 공고규격서
• ZIP · 국문규격서 등(10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 구매).zip · 공고규격서

첨부 내용을 정리한 글 — 자격 · 배점 · 일정 · 발췌 ›

문서 발췌

과업·요구

10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 구매

I. 개요 1. 제작 목적 1 2. 제작 내용 1 3. 제작 조건 1 II. 입찰 및 제안서 평가 방법 1. 입찰 및 낙찰자 결정 방식 3 2. 제안서 제출기간 및 방법 5 3. 가격입찰서(전자입찰) 5 III. 제안서 작성 방법 1. 작성 지침 6 2. 제안서의 효력 및 유의사항 7 IV. 기타 유의사항 기타 유의사항 8 [참고자료] (붙임 1) 제안서 작성요령 및 서식 (붙임 2) 제안서 평가항목 및 기준 [별표 1] 신용평가등급에 의한 경영상태 평가

■ ■ 목 차 ■ ■

I. 개요

제작 목적 10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 목적으로 함 본 입찰을 통해 확보되는 공정 완료 웨이퍼는 고전압 SiC 전력반도체 시제품 개발 및 후속 연구개발을 위한 기초자료로 활용하고자 함. 제작 내용 1) 건 명: 10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 구매 2) 납품기한: 계약일로부터 60일 이내 3) 예 산: 금 팔천팔백만원 (금88,000,000원) *부가세 포함 제작 조건 가. 수행범위 수행업체는 발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하여야 함. 수행업체는 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트를 기준으로 공정을 수행하여야 함. 나. 물품의 특성 및 품질 관리 수행업체는 발주기관이 제공하는 150 mm SiC 에피 웨이퍼를 대상으로 10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하여야 함. 반도체 일괄공정 서비스의 특성상 공정 진행 중 웨이퍼의 외부 반출이 어려우므로, 계약상대자는 전체 공정에 대한 통합관리 체계를 구축하고 공정 진행, 웨이퍼 이송, 품질관리 및 일정관리를 총괄하여야 함. 일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 전체 공정의 품질, 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임은 계약상대자에게 있음. 수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 함. 공정 진행 중 주요 공정 조건 또는 공정 순서의 변경이 필요한 경우, 수행업체는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 함.

본 물품은 연구용 SiC 전력반도체 소자 제작을 목적으로 하며, 설계도면 및 런시트에 명시된 소자 구조와 공정 조건을 구현할 수 있는 수준의 공정 정밀도와 재현성을 확보하여야 함. 나. 세부조건 1) 최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용 2) SiC 전력반도체 공정용 희생산화막 형성 공정 포함, 희생산화막 두께 범위: 10 nm 이상 40 nm 이하 3) 필드산화막 두께 범위: 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하 4) 500 keV 이상의 고에너지, 500 ℃ 이상의 고온 이온주입 5) 이온주입 도펀트 활성화를 위한 1,700 ℃ 수준의 초고온 열처리 공정 수행 6) 전면 전극 형성을 위한 금속막 공정 및 후속 열처리 공정 수행 7) 후면 전극 형성을 위한 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정 수행 8) P-type poly-Si 증착 공정 수행 다. 공정 관리 및 자료 제출 1) 수행업체는 공정 진행 전 발주기관과 공정 런시트 및 세부 진행 조건을 확인하여야 함. 2) 공정 수행 중 주요 공정 조건 변경이 필요한 경우에는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 함.

3) 수행업체는 공정 진행 중 주요 단계별 진행 현황 (WIP Status)을 발주기관에 공유하여야 함. 4) WIP Status에는 공정 진행 단계, 일정 변경 사항 및 공정 Hold 발생 시 사유 등이 포함되어야 함. 5) 제작 완료 후 공정 완료 웨이퍼 및 공정 완료 확인 자료를 제출하여야 함. 6) 하자보증기간은 검수 완료일로부터 1년으로 적용함. 하자 발생 시 원인분석 결과 및 재작업 가능 여부 등을 고려하여 상호 협의 후 조치방안을 정함.

II. 입찰 및 제안서 평가 방법

입찰 및 낙찰자 결정 방식 입찰방식 : 규격·가격 동시 입찰 낙찰자 결정방식 : 규격적격자 중 예정가격 이내 최저가격 입찰자 선정 참가 자격 세부조건은 입찰공고문에 따름. 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률」및 같은 법 시행령·시행규칙에서 정한 결격사유가 없어야 함. ※ 부정당업체로 입찰참가 자격 제한을 받고 있지 않은 업체 3) 입찰에 참가하고자 하는 업체는 다음과 같은 참가 자격을 모두 갖추어야 함. 입찰등록 마감일 기준 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제12조 (경쟁입찰이 참가자격)에서 정한 자격을 갖춘 업체 및 동법 시행규칙 제13조 (입찰 참가자격 사전심사)에 따른 입찰 참가자격을 갖춘 업체 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제21조 및 동법 시행령 제76조의 규정에 의거 입찰 참가자격 제한을 받지 않는 업체 「국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정」에 의하여 국가종합전자 조달시스템 (나라장터)에 입찰 참가자격 등록 마감일 전까지 G2B물품분류번호: 3213100201(반도체용칩) 로 입찰참가 등록한 업체 「중소기업기본법」 제2조에 따른 소기업자 또는 「소상공인 보호 및 지원에 관한 법률」 제2조에 따른 소상공인으로서 「중소기업 범위 및 확인에 관한 규정」에 따라 발급된 소기업ㆍ소상공인 확인서를 소지한 자

배점·평가

과업·요구

A. 특 징 ; ■ (용도) 10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 ■ (제작 대상) 본 입찰은 발주기관이 제공하는 웨이퍼 10매를 대상으로 10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작을 위한 반도체 공정을 수행하는 건이다. 최종 산출물은 반도체 공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼로 한다. ■ (수행 범위) Photo 공정, Etch 공정, Diffusion/Implantation 공정, CVD/PVD 공정 및 후공정 등 SiC 전력반도체 시제품 제작에 필요한 일련의 반도체 공정을 수행한다. ■ (물품의 특성 및 품질 관리) - 본 물품은 10 kV급 SiC 전력반도체 제작을 위한 공정 완료 웨이퍼로서, 발주기관이 제공하는 설계도면, 공정 조건 및 협의된 런시트에 따라 제작되어야 한다. - 반도체 일괄공정 서비스의 특성상 공정 진행 중 웨이퍼의 외부 반출이 어려우므로, 계약상대자는 전체 공정에 대한 통합관리 체계를 구축하고 공정 진행, 웨이퍼 이송, 품질관리 및 일정관리를 총괄하여야 한다. 일부 공정을 외부 전문기관 또는 협력업체를 통해 수행하는 경우에도 전체 공정의 품질, 납기 및 웨이퍼 관리에 대한 책임은 계약상대자에게 있다. - 수행업체는 SiC 전력반도체 제작에 필요한 Class 1,000 수준 또는 이에 준하는 청정 공정 환경을 확보하여야 하며, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 산화막 및 절연막 형성, 금속막 형성, 열처리 및 후면 공정을 수행할 수 있는 설비와 인프라를 보유하여야 한다. - 공정 진행 중 주요 공정 조건 또는 공정 순서의 변경이 필요한 경우, 수행업체는 발주기관과 사전 협의 후 진행하여야 한다. - 본 물품은 연구용 SiC 전력반도체 소자 제작을 목적으로 하며, 설계도면 및 런시트에 명시된 소자 구조와 공정 조건을 구현할 수 있는 수준의 공정 정밀도와 재현성을 확보하여야 한다. ■ (최종 산출물) 공정이 완료된 SiC 전력반도체 시제품 웨이퍼 10매 및 공정 수행 결과 확인 자료를 납품하여야 한다. B. 규 격 ;

1. 주요 산출물 - 10 kV급 SiC 전력반도체 공정 완료 웨이퍼 10매 - 공정 진행 결과 데이터 및 확인 자료 2. 제작 사양 ■ 웨이퍼 사양 본 공정은 직경 150 mm(6인치) 크기의 탄화규소(SiC) 에피 웨이퍼를 대상으로 하며, 기판과 에피층을 포함한 웨이퍼의 총 두께는 약 350 μm임. ■ 웨이퍼 수량 10매 ■ 세부 조건 - 최소선폭 0.8 μm 이하의 패턴 형성이 가능한 포토리소그래피 및 식각 공정 적용 - SiC 전력반도체 공정용 희생산화막 형성 공정 포함, 희생산화막 두께 범위: 10 nm 이상 40 nm 이하 - 필드산화막 두께 범위: 1.0 μm 이상 1.5 μm 이하 - 500 keV 이상의 고에너지, 500 ℃ 이상의 고온 이온주입 - 이온주입 도펀트 활성화를 위한 1,700 ℃ 수준의 초고온 열처리 공정 수행 - 전면 전극 형성을 위한 금속막 공정 및 후속 열처리 공정 수행 - 후면 전극 형성을 위한 금속막 공정, backside grinding, backside laser annealing 등 웨이퍼 후면 공정 수행 - P-type poly-Si 증착 공정 수행 C. 참 고 ; 납품기한: 계약 후 60일 이내 납품장소: 부산대학교 생물관 206호 === 입찰공고문(10 kV급 SiC 전력반도체 시제품 제작 구매).hwp === 내자 물품 구매 입찰 공고 부산대학교 앵커사업단 공고 미래신산업-2026-1호 다음과 같이 입찰에 부치고자 공고합니다.