300mm 웨이퍼 매엽식 자동 세정 장비

요약 AI 요약

첨단 패키지 플랫폼 구축을 위해 300mm 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 매엽식 자동 세정 장비 1세트를 도입한다. 실리콘 인터포저의 구리 배선·수직통로 형성, 관통 전극 형성, 범프 제작 과정에서 생기는 오염물과 불필요한 씨앗층을 세정·습식 식각으로 제거하는 장비이며, 국내 반도체 소재·부품 테스트베드 사업화도 지원한다.

• 구리 배선 노출 구조용 챔버와 비구리 구조용 챔버를 분리 운영해 교차오염을 막는 2시스템 인 원 장비(좌우 2단 적층 챔버, PC 2세트)
• 로드포트 4개, 인덱스 로봇 2세트, 공정 챔버 4개(구리용 2개·비구리용 2개), 화학물질 공급장치 2개, 화학물질 분사장치 10개로 구성
• 산화막 식각 균일도 3% 이하, 구리·티타늄 박막 식각 균일도 5% 이하 달성
• 파티클 제거, 식각 속도 불균일도, 부식 방지 등 공정 성능 기준 충족
• 안전 인터락, 전기 인터락, 비상 정지, 누출 감지 등 환경·안전·보건 기능
• SECS/GEM 기반 팹 자동화 및 관련 소프트웨어 운영

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사업 내용 · 이 공고에 든 일

중심 · 300mm 웨이퍼 매엽식 자동 세정 장비 제작·납품·설치

물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비

300mm 웨이퍼의 습식 세정·식각을 위한 매엽식 자동 세정 장비(반도체·박막 공정장비)를 제작해 나노종합기술원 팹에 납품·설치하는 것이 사업의 몸통이다.

• 제작도면 승인용 설계
• 장비 포장·운송 및 Fab 2층 반입·안착
• 설치 및 셋업
• 시운전·Performance Test·검수 대응
• 운영·유지보수(O&M) 교육 1회 및 무상 기술지원 3회
• 장비 매뉴얼(Operation/PM/Maintenance) 제공
• Maintenance & Repair Tool Kit 및 부속품·특수공구 제공
• 검수 완료 후 1년 이상 무상 하자보수(Warranty)
• 보증기간 중 Software·Hardware Upgrade/Modification 무상 제공
• SECS/GEM 등 FA 소프트웨어 및 인터락 시스템
• 안전관리(산업안전보건법 등) 및 보안유지 조치

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 기술(규격)제안서를 평가하여 평가위원별 평가점수를 합산하여 최고점수와 최저점수를 제외하고(최저 또는 최고점수가 2개 이상일 때에는 이중 하나만 제외) 산출한 평균점수가 85점 이상인 자를 규격적격자로 결정

참가 자격 · 제한

업종제한

제한 없음

지역제한

제한 없음

공동수급

공동수급불허

입찰참가 제한

모름

실적경쟁 · PQ

모름

국제입찰

국내입찰

제출 방법

전자입찰

입찰 일정

가격

추정가격

1,754,545,455원

배정예산

1,930,000,000원

기초금액

1,891,400,000원 (예비가격 -2% ~ +2%)

부가세

175,454,545원

예정가격 방식

복수예가

납품

품명

포토레지스트제거기 (2321119501)

수량

1 SET

인도조건

설치까지 · 현장설치도

제조물품

아니오

세부품명 등록

아니오

공고 정보

공고종류

재공고 (재입찰공고)

게시일

09/17(목)

공고번호

R26BK01734807-000

참조번호

공고 제2026-063호

공고기관

나노종합기술원

수요기관

나노종합기술원

계약방법

제한경쟁

낙찰방법

규격가격동시입찰

계약유형

총액계약

예정가격 방식

복수예가

추정가격

1,754,545,455원

배정예산

1,930,000,000원

사전규격번호

R26BD00270160

재공고

재공고

출처

나라장터

첨부파일

• HWP · 1. (재)입찰공고서_세정장비.hwp · 공고규격서
• PDF · 1. (재)입찰공고서_세정장비.pdf · 공고규격서
• HWP · 2. 제안요청서_세정장비.hwp · 공고규격서
• HWP · 3. 구매사양서_세정장비.hwp · 공고규격서
• XLSX · 4. 구매사양비교표_세정장비.xlsx · 공고규격서

첨부 내용을 정리한 글 — 자격 · 배점 · 일정 · 발췌 ›

문서 발췌

과업·요구

Ⅰ 제안개요

1. 물품명(장비명) : 300mm 웨이퍼 매엽식 자동 세정 장비 (300mm Single Wafer Cleaner) 2. 용도 및 필요성 가. 첨단 패키지 플랫폼 구축을 위한 300mm 웨이퍼 매엽식 자동 세정 장비 - Silicon Interposer에 다마신 공정을 이용한 구리 배선(Cu Metal Line), 수직통로(Via) 형성 시 발생하는 오염물을 제거하는 장비 - 관통 전극(TSV) 형성 시 발생하는 오염물 제거 또는 Oxide Hard Mask 제거를 위한 습식 식각 장비 - 범프 제작시 전기도금 전/후 불필요한 씨앗층 제거를 위한 습식 식각 장비 나. 국내 반도체 소부장 테스트 베드 사업화 지원. - Single Wafer Cleaner에 필요한 소재, 부품 등 소부장테스트배드사업화 지원을 하며 기존에 구축된 공정 장비와의 연계 활용으로 산학연 연구지원 및 사업화 지원 확대 3. 사업예산 : 1,930,000,000원 4. 사양(규격)및수량 : 제품사양서 및 물품명세서 참고 5. 납품납기 가. 납품기한 : 계약일로부터 ~ 2027년 8월 31일(납품 및 설치기한) 나. 납품장소 : 나노종합기술원 현장설치도(수요자 지정 장소), 2층 Fab 6. 공동수급 등 : 공동수급 및 하도급 불가

Ⅱ 일반사양

1. 소요시기(납품시기) 가. 2027년 8월 31일까지 납품완료 2. 성능보증

가. 공급자는 구매사양서 등에 언급된 설계조건에 부합되도록 성능을 보증해야 한다. 나. 공급자는 본 장비의 성능 검증을 위해 구매사양서 규격에 만족하는 결과물을 첨부해야 한다. 3. SYSTEM 종류 및 수량 1) 300mm Single Wafer Cleaner Equipment 1 SET 4. TEST 가. System의 Operating & Performance가 정상적으로 나오는지 여부 나. System이 본 사양서의 내용과 기타 협의 사항을 준수하고 있는지 여부 다. 성능에 대한 검증 Test - 공급자는 최종 검사 시 Test를 실시하여야 하며, 기술원은 검증 Test 결과에 대하여 합격 여부를 판단한다. 5. 장비 설치 및 검수 가. 공급자는 장비공급과 셋업에 일정 준수를 하여야 한다. 나. 공급자는 최종 검사 시 규격 요구사항에 대한 검증시험을 실시하여, 그 검증 결과를 문서로 나노종합기술원 담당자에게 제출하여야 한다. 다. 나노종합기술원에 납품 후 설치된 사양(검증 결과 등)에 대한 Performance Test를 원칙으로 한다. ※ 공급자는 설치 및 검사에 필요한 모든 제반경비를 부담하여야 한다. 6. 제작기준 가. 본 장비는 신규 장비로 납품되어야 한다. 나. 모든 설비는 관련법규 및 안전규정에 의거하여 설계, 제작 설치되어야 한다. 다. Set-up시 안전수칙 미준수 및 안전도구 미착용 등으로 발생하는 모든 안전사고는 공급자 측에서 조치와 책임을 다한다. 7. SIGN OFF

가. Set-up 완료 보고서는 당사의 최종 승인일을 기준으로 한다. 8. WARRANTY 가. Warranty 기간: Acceptance Test 완료일부터 1년 이상으로 한다. 나. Warranty 기간 중 발생한 고장(단, 사용자의 과실 및 고의에 의한 고장은 제외)에 대해서는 공급자 측에서 Parts와 Labor를 무상으로 제공 및 수리하여야 한다. 9. 동작조건 가. 구매사양서 규격 기준으로 한다. 10. 교육 가. 교육은 Set-up 완료 후 Warranty 기간 내에 장비 교육을 실시하여야 하며, 교육 및 기술지원을 다음과 같이 하여야 한다. 나. On-site training - 공급자는 납품설치 후 장비운영에 필요한 교육(프로그램)을 실시한다. - Operation & Maintenance 교육 1회 (나노종합기술원 설치장소 또는 공급자 제조공장) - 장비의 설치 및 교육은 본사 교육을 이수한 엔지니어를 통해 실시하며, 설치 후 1년 동안 사용자가 필요하다고 판단되었을 때 계약자가 3회(1회 4시간)까지 무상으로 실시해야 한다.(나노종합기술원 설치장소) 다. 교육 상세 내용 - 시스템 운용 - 기본 유지보수 방법 / 예방정비 / 시스템 진단법 - 고급 기능 활용 방법 라. 필요시 협의에 따라 장비 설치 및 보수에 필요한 부속품과 필요 특수공구 1 set를 무상으로 제공하여야 한다.

마. 교육 방법 : 이론 교육 및 시연, 실무 연습 - 교육 및 기술지원에 따른 모든 제반 경비는 공급자가 부담하여야 한다. 11. 운송 가. 장비운송 시 Packing은 운송 중에 문제가 없도록 견고히 하여야 한다. 나. 장비는 Particle 오염이 안 되도록 하여야 한다. 다. 장비 반입 시 파손이 우려되는 부품은 내장하거나 반입 후 조립할 수 있도록 한다. 라. 장비의 시험실 내 안착까지 반입 등 모든 경비는 모두 공급자 측에서 부담으로 한다. 12. 특기사항 가. 본 사양서에 명시되지 않은 사항은 공급자 측에서 제안하고 상호 협의에 의하여 결정한다. 나. 공급자가 소정기한까지 물품의 전부 또는 일부의 납품을 지연했을 경우에는 지연일수 1일에 대하여 미납품 대금의 0.75/1000의 금액을 지체상금으로 기술원이 징수하며 이는 물품대금 지불 시 공제한다.

Ⅲ 계약 일반사항

1. 계약내용 및 이의의 해석 가. 계약상대자는 계약서 내용에 기술되는 물품 등 일체를 공급하여야 하며, 본 규격서에 기술되어 있지 않은 사항 또는 불명확하다고 생각되는 사항은 나노종합기술원의 해석 및 의견을 확인하여야 한다. 2. 계약상대자의 책무 가. 계약상대자는 물품(장비)의 제작, 검사, 운반, 설치 및 시운전에 대한 전반적인 책임이 있으며, 모든 부품은 정상동작 상태 하에서 파손 또는 변형이 없이 충분한 강도와 성능을 보장하여야 한다.

배점·평가

참가자격

1. 입찰개요 1.1. 공고(사업)명 : 300mm 웨이퍼 매엽식 자동 세정 장비 1.2. 사양(규격) 및 수량 : 제안요청서 및 구매사양서 참고 1.3. 사업예산 : 1,930,000,000원(VAT 포함) 1.4. 기초금액 : 1,891,400,000원(VAT 포함) 1.5. 계약방법 : 제한경쟁입찰(실적제한) 1.6. 낙찰자결정방법 : 규격가격동시 1.7. 계약기간 : 계약일부터 2027년 8월 31일까지 1.8. 납품장소 및 인도조건 : 나노종합기술원 / 현장(지정장소) 설치도 1.9. 공동수급 등 : 공동수급 및 하도급 불가 2. 입찰 일시 및 장소 2.1. 입찰방식 : 전자입찰(나라장터 온라인 제출 / 가격입찰서, 제안서 등) 2.2. 입찰서 제출 시작일시 : 2026.09.17. 15:00 2.3. 입찰서 제출 마감일시 : 2026.09.23. 10:00 2.4. 개찰일시 : 2026.09.23. 11:00 2.5. 개찰장소 : 국가종합전자조달시스템(나라장터) 2.6. 개찰은 제안서 평가 이후에 진행됩니다. 2.7. 기술원은 참가자격 및 제출서류 등에 대한 적정성 여부를 개찰 이후에도 판정할 수 있습니다. 3. 입찰참가자격 3.1. 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률시행령」 제12조(경쟁입찰의 참가자격) 및 동법 시행규칙 제14조(입찰참가자격요건의 증명)의 자격요건을 갖춘 자 3.2. 「국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령」 제27조 및 동법 시행령 제76조(부정당업자의 입찰참가자격제한)에 의한 부정당업자에 해당하지 않는 자 3.3. 은행관리, 부도 또는 법정관리, 화의개시 중에 있지 않고 국가, 지방자치단체, 정부출연 및 투자기관에 부정당업체로 제재를 받지 않은 자 3.4. 「국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정」에 의하여 반드시 전자입찰서 제출 마감일 전일(18:00)까지 나라장터(G2B시스템)에 입찰참가자격을 등록한 자 3.5. 본 입찰에 참여하고자 하는 자는 최근 5년 이내 300mm 웨이퍼 매엽식 세정 장비 납품실적을 1건 이상 보유한 자 3.5.1. 실적심사는 제안서에 포함된 실적증빙 자료를 통해서 확인합니다. 3.5.2. 납품(계약) 실적이 없는 경우 ‘입찰참가자격’ 없음으로 처리합니다.

과업·요구

1. 용도 및 특징 1) 본 장비는 300mm 웨이퍼 공정을 매엽식으로 진행하는 장비로 구리배선 형성 및 절연물질 식각 시 발생하는 유기물, 파티글, 표면흡착 및 씨앗층 등을 세정공정 및 습식공정으로 제거하는 Full Automation 장비이다. 2) 본 장비는 Cu metal 노출 구조에서 웨이퍼 세정 및 씨앗층 식각을 위한 Chamber와 Non-Cu metal 구조의 웨이퍼 세정을 위한 Chamber로 구성되며 상호간 교차오염 방지를 위해 장비모듈의 분리운영이 가능하도록 구성한다. 3) 본 장비는 좌/우측 2단 적층 Chamber 진행간의 상호간 교차오염 방지를 위해 Load Port, Index Robot, 2단 적층 Chamer 간의 완전 분리 운영하며 2 Set의 PC 설치로 운영하는 2System in one equipment 장비이다. 4) 본 장비의 구성은 Load Port(4EA), Index Robot(2EA), 2단 적층Chamer(각 2EA), Chemical Delivery System(2EA), Chemical Dispenser(10EA) 등 이다. 5) 본 장비의 산화막 식각 균일도는 3% 이하이며 Cu 및 Ti 박막의 식각균일도는 5% 이하를 만족한다. 2. 장비의 구성 1) 주장비 (Main frame) 가. 300mm Single Wafer Cleaner equipment 1set (system 2set)

2) 주변기기 (Accessories) 가. 장비 구동 소프트웨어 나. 인터락 시스템 다. CDS(Chemical Delivery System) 라. DI CO2 Unit 3. 성능 및 규격 1) System Configuration 가. Wafer Type : 300mm Wafer 나. Load Port : 4EA 다. Index Robot : 2Set 라. Process Chamber : 4EA 마. CDS(Chemical Delivery System) : 2EA 바. Chemical Dispenser : 10EA 2) System Controller 가. System O/S : Windows 나. I/O Module 다. PC(GUI) : 2Set 라. Memory : SSD, 512GB 이상 마. Data Backup : Auto Mirring System 3) Process Chamber & Chuck 가. 4 Chamber (Cu Grade 2EA, Non-Cu Grade 2EA) 나. Chamber up/down : Air Cylinder Type 다. Auto Cleaning Function 라. Spin RPM : 200 ~ 2000 마. Chemical Separation Drain 바. Chemical Recycle Function

사. Wafer Grip Chuck 아. Backside Nozzle : DIW, N2, 1:3 DHF(only DHF Chamber) 자. Inner Cup up/down : Servo Motor 4) Dispenser 가. Dispenser-1 (Chemical Nozzle) : CHB-1(2EA), CHB-2(2EA) CHB-3(3EA), CHB-4(3EA) 나. Dispenser-2 (DIW, N2, DICO2 Nozzle) : All CHB 공통 다. Dispenser-3 (Nano Spray Nozzle + DICO2 Nozzle) : All CHB 공통 (DICO2 Nozzle은 Dispenser-2 or Dispenser-3 선택 사양 가능) 라. Dispenser up/down & left/right Move 마. Chemical & DIW Nozzle Flow Rate Monitoring 바. Nozzle Motion Profile 사. Nozzle Standby Cleaning 5) Chemical Tank 가. Chemical Tank : 9EA 나. CCSS 공급 : Chemical 5EA 다. LCSS 공급 : Bottle 5EA 라. Tank Material : Teflon(PTFE) 마. Tank Capacity : 45 Liter / Capa (60 Liter)

바. Temp Control : 고온 (In Line Heater), 상온(Heat Exchanger) 사. Chemical Circulation : Bellows Pump 아. Measuring Tank : Ti (KOH), PERR-1, PERR-2, DSP (H2SO4, H2O2) SC-1 (NH4OH, H2O2), 3:1 DHF, 100:1 DHF 6) Sub Module 가. DI CO2 Unit 나. Web Camera System 7) Process 가. Particle . Transfer only : Δ ≤10ea @≥0.12㎛ (Bare Si) . Rinse & Spin dry : Δ ≤20ea @≥0.12㎛ (Bare Si) . SC-1, DSP : Δ ≤30ea @≥0.12㎛ (Bare Si) . BOE(LAL15), DHF(100:1) : Δ ≤50ea @≥0.12㎛ (Bare Si) . Ti, Cu Etchant, PERR-1, 2 : Δ ≤100ea @≥0.12㎛ (Bare Si) 나. Etch Rate Non-Uniformity . BOE(LAL15): ≤ 15±2Å/75±4Å Removal, WIW 3% (5mmEE) @T-Oxide 1000Å . DHF(100:1): ≤ 20±2Å/90±4Å Removal, WIW 3% (5mmEE) @T-Oxide 1000Å . Cu Etchant: ≤ 1000±50Å, WIW 5% (5mmEE) @Cu Film . Ti Etchant: ≤ 300±15Å, WIW 5% (5mmEE) @Ti Film

다. No Corrosion : After PERR-1, PERR-2 Post Clean 8) ESH (Environmental, Safety and Health) 가. Safety Interlock for System Hardware & Software 나. Electrical Interlock 다. Emergency Shutdown 라. Leak Sensor 9) FA (Fab Automation) 가. SECS/GEM 나. FA 관련 Software O/S 4. 품질 보증 및 유지보수 1) 보증 및 서비스 가. 보증기간: 설치 검수 후 1년 나. 보증기간 중 Upgrade & Modification (Software and Hardware) 무료. 다. Maintenace & Repair Tool Kit 제공 라. 장비검수는 장비입고 2주 전에 통보 2) 교육 및 문서 제공 가. 장비 Operation & Maintenance Training 제공 나. 장비 영문/국문 매뉴얼 (Operation, PM, Maintenance 등) 제공 5. 참 조(기타조건) 1) 설치 완료 및 예비 테스트 후 1년간 무상보증기간을 제공하여야 한다. 2) 계약자는 장비의 설치와 사용법 교육을 사용자가 요청한 장소에서 수행하여야 한다. === 4. 구매사양비교표_세정장비.xlsx === 300mm 웨이퍼 매엽식 자동 세정 장비 구매사양비교표