두원공업고등학교 학과재구조화에 따른 기자재 (반도체포토공정시스템) 구매공고

계약

요약 AI 요약

두원공업고등학교의 학과 재구조화에 따라 반도체 제조 공정, 검사, 유지보수 실습이 가능한 반도체 포토공정 시스템 기자재를 구매하기 위함입니다.

• 스핀 코터(Spin Coater): 웨이퍼 위 균일한 코팅층 형성 장비
• 디벨로퍼(Developer): 포토레지스트 패턴 형성 및 현상 장비
• 베이크(BAKE) 실습장비: 웨이퍼 가열 및 냉각 온도 제어 장비
• 반도체 플라즈마 응용실습장비: 에칭, 증착, 클리닝 기능 장비
• 레이저 마킹(Laser Marking) 실습장비: 시리얼 번호 및 바코드 마킹 장비
• 반도체 프로브 스테이션 및 광학현미경, VR 실습체험 시스템

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평가 · 배점

협상 대상 기준 · 총점 85점 미달 업체는 사전 부적격 처리하고, 총점 85점 이상을 득한 업체를 적격 업체로 선정

참가 자격 · 제한

업종제한

제한 없음

지역제한

경기도

공동수급

공동수급불허

입찰참가 제한

모름

실적경쟁 · PQ

모름

국제입찰

국내입찰

제출 방법

전자입찰

입찰 일정

가격

추정가격

310,909,091원

배정예산

342,000,000원

기초금액

342,000,000원 (예비가격 -3% ~ +3%)

부가세

31,090,909원

예정가격 방식

복수예가

납품

품명

교육훈련장비 (6010999901)

수량

1 세트

납품

계약 후 45일

인도조건

설치까지 · 현장설치도

제조물품

예(직접생산)

세부품명 등록

등록 필요

공고 정보

공고종류

등록공고 (일반공고)

게시일

08/13(목)

공고번호

R26BK01680419-000

참조번호

두원공업고등학교 2026-31

공고기관

경기도교육청 두원공업고등학교

수요기관

경기도교육청 두원공업고등학교

계약방법

제한경쟁

낙찰방법

규격가격동시입찰

계약유형

총액계약

예정가격 방식

복수예가

추정가격

310,909,091원

배정예산

342,000,000원

사전규격번호

R26BD00256380

재공고

아니오

출처

나라장터

첨부파일

• HWP · 260813_두원공업고등학교 학과재구조화에 따른 기자재(반도체포토공정시스템)구매 공고_공고문(게시용).hwp · 공고규격서
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• HWPX · 2-1. SPIN COATER_사양서.hwpx · 공고규격서
• HWPX · 2-2. EVELOPER_사양서.hwpx · 공고규격서
• HWPX · 2-3. BAKE 실습장비_사양서.hwpx · 공고규격서
• HWPX · 2-4. 반도체 플라즈마 응용실습장비_사양서.hwpx · 공고규격서
• HWPX · 2-5. Laser Marking 실습장비_사양서.hwpx · 공고규격서
• HWPX · 2-6. 반도체 Probe Station 실습장비_사양서.hwpx · 공고규격서
• HWPX · 2-7. 반도체용 광학현미경 실습장치_사양서.hwpx · 공고규격서
• HWPX · 2-8. VR 실습체험 시스템_사양서.hwpx · 공고규격서

첨부 내용을 정리한 글 — 자격 · 배점 · 일정 · 발췌 ›

문서 발췌

과업·요구

5) 각서 1부[붙임3] 및 청렴계약이행서약서[붙임4] 각 1부 6) 기술 제안서 및 기술 제안서에 따른 세부 해설자료 9부 7) 납품실적 및 납품 증빙자료 9부 8) 기술 사양서에 따른 Catalogue 원본 9부 9) 제작업체의 공장등록증 사본 9부 10) 교육훈련장비 제작업체 대리점 인증서 또는 제작업체의 공급증명서 9부 11) 교육엔지니어 보유현황 증명자료 9부 12) 공급자 또는 원 제작 업체의 A/S시스템 보유 증빙자료 9부 13) 제품설명서 및 교보재 원본 9부 14) 기타 참고자료(공급자 또는 제작업체의 각종 인증서사본 등) 9부 4. 제안서 적격심사 및 낙찰자 결정방법 가. 2단계 경쟁 입찰 선정 : 지방자치단체를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령 제18조에 따라 제안서를 제출받아 학교 자체 평가위원회에서 평가한 후, 세부항목별 점수를 종합하여 총점 85점 미달 업체는 사전 부적격 처리하고, 총점 85점 이상을 득한 업체를 적격 업체로 선정하여 가격입찰 개찰 후 낙찰업체를 결정 합니다. 나. 가격입찰기준 및 낙찰자 결정 : 예정가격 작성은 예정가격 작성기준에 의거 기초금액의 ±3% 금액의 범위 내에서 서로 다른 15개의 복수 예비가격을 작성, 입찰 참가자가 입찰서 송신 시 추첨한 2개의 예비가격 번호 중 가장 많이 선택된 4개의 복수 예비가격을 산술평균한 금액으로 하며, 제안서 적격자 중 예정가격 이내 최저 투찰자를 최종낙찰자로 결정합니다.

참가자격

다. 청렴계약제 시행대상입니다. 라. 공동수급이 허용되지 않습니다. 6. 입찰 참가자격 가. 지방자치단체를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령 제13조 및 같은 법 시행규칙 제14조의 규정에 따른 소정의 자격을 갖춘 자로서, 국가종합전자조달시스템 입찰참가자격등록규정에 저촉되지 않는 업체이어야 합니다. 나. 입찰공고일 전일부터 입찰일(낙찰자는 계약체결일)까지 주된 영업소가 경기도에 소재하여야 함 다. G2B분류번호 10자리 6010999901(교육훈련장비) 입찰등록을 필한 업체어야 하고 「중소기업제품 구매촉진 및 판로지원에 관한 법률」제9조 및 같은 법 시행령 제10조에 의한 직접생산확인증명서를 소지한 자이어야 한다. (※ 입찰 마감일 당일 전자입찰시스템에 등록한 업체는 국가종합전자조달시스템전자 입찰특별유의서에 따라 무효 처리됩니다.) 라. 공동계약불가, 여러 회사가 분할하여 납품할 수 없으며, 한 회사의 모든 책임하에 모든 장비를 TurnKey 방식으로 구성하여 납품되어야 합니다. 마. 공급업체는 모든 시스템을 통괄하는 업체로 실제의 장비 관련 교육이 가능한 업체여야 합니다. 바. 본 입찰은 반드시 나라장터 안전 입찰서비스를 이용하여 입찰서를 제출하여야 합니다.(자세한 사항은 안전 입찰서비스 유의사항 안내 참고) ※ 이 입찰은 국가종합전자조달시스템 전자입찰특별유의서 제7조 제1항 제1-1호에 따라 안전 입찰서비스를 이용하여 입찰서를 제출하여야 합니다. 다만, 안전 입찰서비스의 설치 및 작동 오류 등으로 안전 입찰서비스 사용이 곤란한 자는 국가종합전자조달시스템 전자입찰특별유의서 제7조 제1항 제8호의 절차에 따라 예외적으로 기존 웹방식(안전 입찰서비스를 이용하지 않고 기존 웹브라우저 이용)에 의한 전자입찰서 제출이 가능합니다.

배점·평가

(기준) 학교 일반사양서의 내용기준 (배점) 요청장비와 기술제안서의 일치성을 중점으로 부가서류의 제출을 상, 중, 하 판정 (합격기준) 평가합계 85점 ~ 100점 ※ 평가결과에 따른 점수는 비공개를 원칙으로 한다. === 2-1. SPIN COATER_사양서.hwpx ===

기 술 사 양 서

A. 특징 (Features) 반도체 제조공정을 교육환경에 재현하여 반도체의 공정ˑ검사ˑ유지보수 실습이 기초부터 응용까지 단계별 교육이 가능하도록 구성하여, 이를 통해 현장 적응력이 높은 융합형 기술인재를 양성하는 것을 목적으로 한다. 전공정과 후공정을 모두 포괄하는 통합형 실습라인으로 구성되어 반도체 제조의 전주기를 실습할 수 있어야 한다. 전공정 장비를 통해 학생들은 웨이퍼 패턴 형성의 전 과정을 이해하며, 반도체 전공정의 특성을 이해할 수 있게 구성되어져야 한다. 후공정 장비는 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩, 레이저 마킹 등 공정별 핵심 장비가 유기적으로 연동되어 있으며, 패키징 라인의 축소형 구조로 산업 현장 실무와 연관이 있어야 한다. 검사 및 측정장비를 통해 박막 두께, 굴절률, 표면 거칠기, 전기적 특성 등을 측정할 수 있어야 하며, 공정 데이터 분석 및 피드백 실습이 가능하여야 한다. 유틸리티 주요 공급 인프라가 일체형으로 구축되어 각 실습장비가 독립적이면서도 안정적으로 운영될 수 있는 환경을 제공하여야 한다. 공정실습뿐만 아니라 유지보수 실습을 포함하여 실제 장비의 분해, 조립, 진단, 수리 실습이 가능하도록 구성되어져야 하며, 장비운영 기술과 분석기술, 정비기술을 동시에 습득할 수 있어야 한다. 각 장비는 데이터 연동 구조를 지원하여 향후 데이터 수집 및 공정분석 시스템과의 확장 연계가 가능하여야 한다. 반도체 실습 콘텐츠 시스템을 통해 공정원리, 장비조작, 안전교육, 데이터분석 등을 하나의 학습 콘텐츠로 통합제공하며, 실습 전후의 이론 학습과 결과분석을 디지털로 수행할 수 있어야 한다. B. 규격 (Specifications) 장비 특성 및 품질 반도체 제조에서 스핀 코터(Spin Coater)는 반도체 웨이퍼 위에 균일한 코팅층을 형성. 웨이퍼 위에 액체 형태의 재료(예: 포토레지스트)를 떨어뜨린 후, 고속으로 회전시켜 재료가 웨이퍼 전체에 고르게 퍼지게 함. 스핀 코팅 공정은 웨이퍼의 균일한 두께와 표면 조건을 유지하는 데 중요함. 광학 리소그래피 공정에서 많이 사용됨. 스핀 코터는 빠른 처리 속도와 높은 정밀도로 인해 반도체 제조 공정에서 중요한 역할을 담당. 주요 기능 웨이퍼 위에 균일하고 정확한 두께의 코팅층을 형성하기 위한 균일 코팅 제공 기능. 웨이퍼를 빠른 속도로 회전시켜 코팅 물질이 웨이퍼 전체에 고르게 퍼지도록 하는 고속 회전 기능. 코팅층의 두께를 조절하기 위해 정밀한 속도 제어 기능. 코팅 용액을 웨이퍼 중앙에 정확히 떨어뜨릴 수 있는 용액공급 시스템 기능.

과업·요구

코팅 과정의 시간을 제어하여 코팅층의 균일성과 품질을 보장하는 시간 제어 기능 장비 주요 사양 Wafer Size : 6˚ Bowl Size : Ø160 Speed Range (RPM) : 6,000 (MAX) Acceleration : 1 ~ 999 sec Motor : AC SERVO MOTOR Speed Increment : 1 rpm Bowl Material : Stainless Steel 전원 : AC 220 V / 60 Hz C. 기술전수교육 교육시간 : 연간 1회 이상 장소 : 생산업체 현장 또는 교육이 가능한 장소 일정 : 본교와 협의 후 실시 경비 : 납품업체 부담 D. 납품 및 검수 본 시스템은 납품 기한일 내에 본교가 지정하는 장소에 설치하여야 하며, 설치 및 검수에 필요한 제반 경비는 공급자가 부담한다. 본 시스템은 기 구성된 장비들과 연동되어 융합실험실습을 할 수 있어야 한다. 납품 시 다음과 같은 사항을 제출하여야 한다. 제작업체 정품 물품 공급 증명원 : 1부 제작업체 A/S 확약서 : 1부 제작업체 기술지원증명서 : 1부 E. 하자 보수 검수일로부터 1년으로 하며 제품에 하자가 발생 시 즉시 보수 또는 교체하여야 하며, 소프트웨어의 Up-Grade를 포함한다. 무상 정비기간 후 부품 가격의 실비로 교체한다. 시스템에 이상이 발생 시 또는 학교 측의 긴급요청에 의한 사항은 즉시 가동이 될 수 있도록 한다. === 2-2. EVELOPER_사양서.hwpx ===

기 술 사 양 서

A. 특징 (Features) 반도체 제조공정을 교육환경에 재현하여 반도체의 공정ˑ검사ˑ유지보수 실습이 기초부터 응용까지 단계별 교육이 가능하도록 구성하여, 이를 통해 현장 적응력이 높은 융합형 기술인재를 양성하는 것을 목적으로 한다. 전공정과 후공정을 모두 포괄하는 통합형 실습라인으로 구성되어 반도체 제조의 전주기를 실습할 수 있어야 한다. 전공정 장비를 통해 학생들은 웨이퍼 패턴 형성의 전 과정을 이해하며, 반도체 전공정의 특성을 이해할 수 있게 구성되어져야 한다. 후공정 장비는 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩, 레이저 마킹 등 공정별 핵심 장비가 유기적으로 연동되어 있으며, 패키징 라인의 축소형 구조로 산업 현장 실무와 연관이 있어야 한다. 검사 및 측정장비를 통해 박막 두께, 굴절률, 표면 거칠기, 전기적 특성 등을 측정할 수 있어야 하며, 공정 데이터 분석 및 피드백 실습이 가능하여야 한다. 유틸리티 주요 공급 인프라가 일체형으로 구축되어 각 실습장비가 독립적이면서도 안정적으로 운영될 수 있는 환경을 제공하여야 한다. 공정실습뿐만 아니라 유지보수 실습을 포함하여 실제 장비의 분해, 조립, 진단, 수리 실습이 가능하도록 구성되어져야 하며, 장비운영 기술과 분석기술, 정비기술을 동시에 습득할 수 있어야 한다. 각 장비는 데이터 연동 구조를 지원하여 향후 데이터 수집 및 공정분석 시스템과의 확장 연계가 가능하여야 한다. 반도체 실습 콘텐츠 시스템을 통해 공정원리, 장비조작, 안전교육, 데이터분석 등을 하나의 학습 콘텐츠로 통합제공하며, 실습 전후의 이론 학습과 결과분석을 디지털로 수행할 수 있어야 한다. B. 규격 (Specifications) 장비 특성 및 품질 반도체 제조 공정에서 ‘디벨로퍼(Developer)’는 포토리소그래피 공정의 한 부분. 웨이퍼 위에 코팅된 포토레지스트를 개발하는 데 사용되는 장비. 포토레지스트는 빛에 노출될 때 화학적으로 변화하는 민감한 물질로, 디벨로퍼는 이러한 변화를 이용하여 웨이퍼 위의 특정 패턴을 만듬. 빛에 노출된 부분 또는 노출되지 않은 부분이 디벨로퍼에 의해 용해되어 웨이퍼에서 제거. 이 과정을 통해 반도체 칩의 미세한 회로 패턴이 형성됨. 디벨로퍼의 정확한 사용은 반도체의 성능과 수율에 중요한 영향을 미침. 주요 기능 웨이퍼 위에 적용된 포토레지스트 층에 패턴을 형성하기 위해 빛에 노출된 부분을 제거하는 기능. 웨이퍼 위에 정확한 화학액 분사 기능. 정확한 온도 조절 기능. 포토레지스터가 개발액에 노출되는 타이밍 제어 기능. 웨이퍼가 균일하게 개발되도록 회전 제어 기능. 장비 주요 사양 Wafer Size : 6˚ Bowl Size : Ø160 Speed Range (RPM) : 6,000 (MAX) Acceleration : 1 ~ 999 sec

Motor : AC SERVO MOTOR Speed Increment : 1 rpm Bowl Material : Stainless Steel 전원 : AC 220 V / 60 Hz C. 기술전수교육 교육시간 : 연간 1회 이상 장소 : 생산업체 현장 또는 교육이 가능한 장소 일정 : 본교와 협의 후 실시 경비 : 납품업체 부담 D. 납품 및 검수 본 시스템은 납품 기한일 내에 본교가 지정하는 장소에 설치하여야 하며, 설치 및 검수에 필요한 제반 경비는 공급자가 부담한다. 본 시스템은 기 구성된 장비들과 연동되어 융합실험실습을 할 수 있어야 한다. 납품 시 다음과 같은 사항을 제출하여야 한다. 제작업체 정품 물품 공급 증명원 : 1부 제작업체 A/S 확약서 : 1부 제작업체 기술지원증명서 : 1부 E. 하자 보수 검수일로부터 1년으로 하며 제품에 하자가 발생 시 즉시 보수 또는 교체하여야 하며, 소프트웨어의 Up-Grade를 포함한다. 무상 정비기간 후 부품 가격의 실비로 교체한다. 시스템에 이상이 발생 시 또는 학교 측의 긴급요청에 의한 사항은 즉시 가동이 될 수 있도록 한다. === 2-3. BAKE 실습장비_사양서.hwpx ===

기 술 사 양 서

A. 특징 (Features) 반도체 제조공정을 교육환경에 재현하여 반도체의 공정ˑ검사ˑ유지보수 실습이 기초부터 응용까지 단계별 교육이 가능하도록 구성하여, 이를 통해 현장 적응력이 높은 융합형 기술인재를 양성하는 것을 목적으로 한다. 전공정과 후공정을 모두 포괄하는 통합형 실습라인으로 구성되어 반도체 제조의 전주기를 실습할 수 있어야 한다. 전공정 장비를 통해 학생들은 웨이퍼 패턴 형성의 전 과정을 이해하며, 반도체 전공정의 특성을 이해할 수 있게 구성되어져야 한다. 후공정 장비는 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩, 레이저 마킹 등 공정별 핵심 장비가 유기적으로 연동되어 있으며, 패키징 라인의 축소형 구조로 산업 현장 실무와 연관이 있어야 한다. 검사 및 측정장비를 통해 박막 두께, 굴절률, 표면 거칠기, 전기적 특성 등을 측정할 수 있어야 하며, 공정 데이터 분석 및 피드백 실습이 가능하여야 한다. 유틸리티 주요 공급 인프라가 일체형으로 구축되어 각 실습장비가 독립적이면서도 안정적으로 운영될 수 있는 환경을 제공하여야 한다. 공정실습뿐만 아니라 유지보수 실습을 포함하여 실제 장비의 분해, 조립, 진단, 수리 실습이 가능하도록 구성되어져야 하며, 장비운영 기술과 분석기술, 정비기술을 동시에 습득할 수 있어야 한다. 각 장비는 데이터 연동 구조를 지원하여 향후 데이터 수집 및 공정분석 시스템과의 확장 연계가 가능하여야 한다. 반도체 실습 콘텐츠 시스템을 통해 공정원리, 장비조작, 안전교육, 데이터분석 등을 하나의 학습 콘텐츠로 통합제공하며, 실습 전후의 이론 학습과 결과분석을 디지털로 수행할 수 있어야 한다.

B. 규격 (Specifications) 장비 특성 및 품질 BAKE CP (Chill Plate) : 이 과정에서는 웨이퍼가 냉각판 위에 놓여져 온도가 낮아, 이는 주로 포토레지스트 코팅 후에 용매를 제거 하고 포토레지스트를 웨이퍼에 고정시키기 위한 소프트 베이크 과정 이후에 수행되며, 냉각 단계는 포토레지스트 층의 안정성을 높이고, 노광 과정 중 웨이퍼의 온도 변화를 최소화하기 위해 필요. BAKE HP (Hot Plate) : 이 과정은 웨이퍼를 가열판 위에서 가열하는 것을 말하며, 소프트 베이크와 포스트 익스포저 베이크 (노광 후 진행되는 베이크) 에서 사용되고, 소프트 베이크는 용매를 증발시켜 포토레지스트를 안정화시키는 데 사용되고, 포스트 익스 포저 베이크는 노광 후의 화학적 변화를 완성시켜 패턴 형성의 정확성과 해상도를 높이는 데 사용. 주요 기능 웨이퍼를 정밀한 온도로 가열하거나 냉각하여 포토레지스트의 점도와 두께를 조절하는 온도제어 기능. 웨이퍼 전체에 균일한 온도를 제공하여 포토레지스트 층이 고르게 형성되도록 하는 균일 가열 기능. 포토레지스트의 아드헤이션(adhesion)과 해상도를 향상시키기 위해 가열 및 냉각 과정을 최적화. 열 및 냉각 속도를 조절하여 웨이퍼의 열 사이클을 조절하는 속도 조절 기능. 장비 주요 사양 냉각방식 : 펠티어 소자 냉각범위 : 10~25℃ 웨이퍼 사이즈 : 6 Inch 냉각표면면적 : Ø150 온도 균일성 : ±1.0℃ 가열방식 : 고무 히터 정격전압 : 200V 측온 범위 : 0~150℃ C. 기술전수교육 교육시간 : 연간 1회 이상 장소 : 생산업체 현장 또는 교육이 가능한 장소 일정 : 본교와 협의 후 실시 경비 : 납품업체 부담 D. 납품 및 검수 본 시스템은 납품 기한일 내에 본교가 지정하는 장소에 설치하여야 하며, 설치 및 검수에 필요한 제반 경비는 공급자가 부담한다. 본 시스템은 기 구성된 장비들과 연동되어 융합실험실습을 할 수 있어야 한다. 납품 시 다음과 같은 사항을 제출하여야 한다. 제작업체 정품 물품 공급 증명원 : 1부 제작업체 A/S 확약서 : 1부 제작업체 기술지원증명서 : 1부 E. 하자 보수 검수일로부터 1년으로 하며 제품에 하자가 발생 시 즉시 보수 또는 교체하여야 하며, 소프트웨어의 Up-Grade를 포함한다. 무상 정비기간 후 부품 가격의 실비로 교체한다. 시스템에 이상이 발생 시 또는 학교 측의 긴급요청에 의한 사항은 즉시 가동이 될 수 있도록 한다. === 2-4. 반도체 플라즈마 응용실습장비_사양서.hwpx ===

기 술 사 양 서

A. 특징 (Features) 반도체 제조공정을 교육환경에 재현하여 반도체의 공정ˑ검사ˑ유지보수 실습이 기초부터 응용까지 단계별 교육이 가능하도록 구성하여, 이를 통해 현장 적응력이 높은 융합형 기술인재를 양성하는 것을 목적으로 한다. 전공정과 후공정을 모두 포괄하는 통합형 실습라인으로 구성되어 반도체 제조의 전주기를 실습할 수 있어야 한다. 전공정 장비를 통해 학생들은 웨이퍼 패턴 형성의 전 과정을 이해하며, 반도체 전공정의 특성을 이해할 수 있게 구성되어져야 한다. 후공정 장비는 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩, 레이저 마킹 등 공정별 핵심 장비가 유기적으로 연동되어 있으며, 패키징 라인의 축소형 구조로 산업 현장 실무와 연관이 있어야 한다. 검사 및 측정장비를 통해 박막 두께, 굴절률, 표면 거칠기, 전기적 특성 등을 측정할 수 있어야 하며, 공정 데이터 분석 및 피드백 실습이 가능하여야 한다. 유틸리티 주요 공급 인프라가 일체형으로 구축되어 각 실습장비가 독립적이면서도 안정적으로 운영될 수 있는 환경을 제공하여야 한다. 공정실습뿐만 아니라 유지보수 실습을 포함하여 실제 장비의 분해, 조립, 진단, 수리 실습이 가능하도록 구성되어져야 하며, 장비운영 기술과 분석기술, 정비기술을 동시에 습득할 수 있어야 한다. 각 장비는 데이터 연동 구조를 지원하여 향후 데이터 수집 및 공정분석 시스템과의 확장 연계가 가능하여야 한다. 반도체 실습 콘텐츠 시스템을 통해 공정원리, 장비조작, 안전교육, 데이터분석 등을 하나의 학습 콘텐츠로 통합제공하며, 실습 전후의 이론 학습과 결과분석을 디지털로 수행할 수 있어야 한다. B. 규격 (Specifications) 장비 특성 및 품질 반도체로 이루어진 전용모듈로 반도체 플라즈마 공정의 제어 및 분해조립, 레시피 제어 및 테스트 등 운영 가능. 제어 S/W 솔루션, 제어기, 반도체 구성 모듈 (RF Generator, Throttle Valve 등) 과의 Ethernet, RS-232 통신을 통한 제어 및 취득 된 데이터를 저장 및 관리하는 데이터 서버와 연계하여 운용 가능. 리얼 시스템과 가상의 시스템을 상호 연계하여 운용 가능. 장비 주요 기능 웨이퍼의 표면을 정리하고 활성화시켜 다음 공정 단계에 대한 접착력을 증가시키는 기능. 웨이퍼의 특정 부분을 선택적으로 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 에칭 기능. 플라즈마를 이용하여 다양한 물질을 웨이퍼 표면에 얇은 층으로 증착하는 기능. 플라즈마를 통해 웨이퍼의 표면 성질을 변화시켜 전기적, 화학적 특성을 개선하는 표면 개질 기능 웨이퍼 상의 불순물을 제거하여 고도의 청정도를 유지하는 클리닝 기능. 장비 주요 사양 웨이퍼 사이즈 : 6_inch Flow Rate (MFC) : ~1.0 SLPM RF Power : 13.56MHz / 300W

도달 진공 : ≤1X10-3 Torr 인터페이스 : IP64 HMI : 7_inch Pressure Control (APC) : GRC & Smart Mode Accuracy (Flow Control) : < 0.5% full scale (5.000V) 가스 공급 : Ar (아르곤) Plasma Frame 크기 : 570 * 810mm 내외 (가스 보관함 별도) Frame 재질 : AL, Main Base : PVC RF Matcher Matching Range: R: 140, X: 43-43 (The load impedance set to R ± jX [Ω]) Auto Tuning Time: < 1sec (Continuous tuning: <0.5sec RF Generator RF Power: 300W Output Range: 1W to 300W 가스용 밸브 Certification: CGA E-4 Delivery Pressure Range: 0 - 2500 PSIG 레귤레이터 설정 압력: 0.05~0.85MPa 최고 사용 압력: 1.0MPa MFC Accuracy: ± 1.0 % F.S Temperature Rating: 5~50 ℃ (권장: 15 ℃ ~ 35 ℃) MFC 컨트롤러 사용 전원: 110 ~ 220 VAC 사용 전력: 20Wh/Ch (최대) C. 기술전수교육 교육시간 : 연간 1회 이상 장소 : 생산업체 현장 또는 교육이 가능한 장소 일정 : 본교와 협의 후 실시 경비 : 납품업체 부담 D. 납품 및 검수 본 시스템은 납품 기한일 내에 본교가 지정하는 장소에 설치하여야 하며, 설치 및 검수에 필요한 제반 경비는 공급자가 부담한다. 본 시스템은 기 구성된 장비들과 연동되어 융합실험실습을 할 수 있어야 한다. 납품 시 다음과 같은 사항을 제출하여야 한다. 제작업체 정품 물품 공급 증명원 : 1부 제작업체 A/S 확약서 : 1부 제작업체 기술지원증명서 : 1부 E. 하자 보수 검수일로부터 1년으로 하며 제품에 하자가 발생 시 즉시 보수 또는 교체하여야 하며, 소프트웨어의 Up-Grade를 포함한다. 무상 정비기간 후 부품 가격의 실비로 교체한다. 시스템에 이상이 발생 시 또는 학교 측의 긴급요청에 의한 사항은 즉시 가동이 될 수 있도록 한다. === 2-5. Laser Marking 실습장비_사양서.hwpx ===

기 술 사 양 서

A. 특징 (Features) 반도체 제조공정을 교육환경에 재현하여 반도체의 공정ˑ검사ˑ유지보수 실습이 기초부터 응용까지 단계별 교육이 가능하도록 구성하여, 이를 통해 현장 적응력이 높은 융합형 기술인재를 양성하는 것을 목적으로 한다. 전공정과 후공정을 모두 포괄하는 통합형 실습라인으로 구성되어 반도체 제조의 전주기를 실습할 수 있어야 한다. 전공정 장비를 통해 학생들은 웨이퍼 패턴 형성의 전 과정을 이해하며, 반도체 전공정의 특성을 이해할 수 있게 구성되어져야 한다. 후공정 장비는 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩, 레이저 마킹 등 공정별 핵심 장비가 유기적으로 연동되어 있으며, 패키징 라인의 축소형 구조로 산업 현장 실무와 연관이 있어야 한다. 검사 및 측정장비를 통해 박막 두께, 굴절률, 표면 거칠기, 전기적 특성 등을 측정할 수 있어야 하며, 공정 데이터 분석 및 피드백 실습이 가능하여야 한다. 유틸리티 주요 공급 인프라가 일체형으로 구축되어 각 실습장비가 독립적이면서도 안정적으로 운영될 수 있는 환경을 제공하여야 한다. 공정실습뿐만 아니라 유지보수 실습을 포함하여 실제 장비의 분해, 조립, 진단, 수리 실습이 가능하도록 구성되어져야 하며, 장비운영 기술과 분석기술, 정비기술을 동시에 습득할 수 있어야 한다. 각 장비는 데이터 연동 구조를 지원하여 향후 데이터 수집 및 공정분석 시스템과의 확장 연계가 가능하여야 한다. 반도체 실습 콘텐츠 시스템을 통해 공정원리, 장비조작, 안전교육, 데이터분석 등을 하나의 학습 콘텐츠로 통합제공하며, 실습 전후의 이론 학습과 결과분석을 디지털로 수행할 수 있어야 한다. B. 규격 (Specifications) 장비 특성 및 품질 상상을 초월한 고속 마킹 아크릴, 석재, 목재, 가죽에 탁월한 조각 능력 규칙적·불규칙적 시리얼 번호 생성 및 마킹 1D, 2D data matrix 바코드 생성 및 마킹 다양한 형식 파일 불러오기 간편 설치 및 사용 장비 제품 사양 레이저 발진기 : Co2 Laser 출력 : 30 / 60 / 100W 파장 : 10,700nm 최대마킹속도 : 8,000nm/sec 마킹 영역 : 110 x 110mm / 210 x 210mm / 280 x 280mm 장비 무게 : 100kg 냉각방식 : 공냉식 전압 : 200V 단상 60Hz 소비전력 : 500W C. 기술전수교육 교육시간 : 연간 1회 이상 장소 : 생산업체 현장 또는 교육이 가능한 장소 일정 : 본교와 협의 후 실시 경비 : 납품업체 부담 D. 납품 및 검수 본 시스템은 납품 기한일 내에 본교가 지정하는 장소에 설치하여야 하며, 설치 및 검수에 필요한 제반 경비는 공급자가 부담한다. 본 시스템은 기 구성된 장비들과 연동되어 융합실험실습을 할 수 있어야 한다.

납품 시 다음과 같은 사항을 제출하여야 한다. 제작업체 정품 물품 공급 증명원 : 1부 제작업체 A/S 확약서 : 1부 제작업체 기술지원증명서 : 1부 E. 하자 보수 검수일로부터 1년으로 하며 제품에 하자가 발생 시 즉시 보수 또는 교체하여야 하며, 소프트웨어의 Up-Grade를 포함한다. 무상 정비기간 후 부품 가격의 실비로 교체한다. 시스템에 이상이 발생 시 또는 학교 측의 긴급요청에 의한 사항은 즉시 가동이 될 수 있도록 한다. === 2-6. 반도체 Probe Station 실습장비_사양서.hwpx ===

기 술 사 양 서

A. 특징 (Features) 반도체 제조공정을 교육환경에 재현하여 반도체의 공정ˑ검사ˑ유지보수 실습이 기초부터 응용까지 단계별 교육이 가능하도록 구성하여, 이를 통해 현장 적응력이 높은 융합형 기술인재를 양성하는 것을 목적으로 한다. 전공정과 후공정을 모두 포괄하는 통합형 실습라인으로 구성되어 반도체 제조의 전주기를 실습할 수 있어야 한다. 전공정 장비를 통해 학생들은 웨이퍼 패턴 형성의 전 과정을 이해하며, 반도체 전공정의 특성을 이해할 수 있게 구성되어져야 한다. 후공정 장비는 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩, 레이저 마킹 등 공정별 핵심 장비가 유기적으로 연동되어 있으며, 패키징 라인의 축소형 구조로 산업 현장 실무와 연관이 있어야 한다. 검사 및 측정장비를 통해 박막 두께, 굴절률, 표면 거칠기, 전기적 특성 등을 측정할 수 있어야 하며, 공정 데이터 분석 및 피드백 실습이 가능하여야 한다. 유틸리티 주요 공급 인프라가 일체형으로 구축되어 각 실습장비가 독립적이면서도 안정적으로 운영될 수 있는 환경을 제공하여야 한다. 공정실습뿐만 아니라 유지보수 실습을 포함하여 실제 장비의 분해, 조립, 진단, 수리 실습이 가능하도록 구성되어져야 하며, 장비운영 기술과 분석기술, 정비기술을 동시에 습득할 수 있어야 한다. 각 장비는 데이터 연동 구조를 지원하여 향후 데이터 수집 및 공정분석 시스템과의 확장 연계가 가능하여야 한다. 반도체 실습 콘텐츠 시스템을 통해 공정원리, 장비조작, 안전교육, 데이터분석 등을 하나의 학습 콘텐츠로 통합제공하며, 실습 전후의 이론 학습과 결과분석을 디지털로 수행할 수 있어야 한다. B. 규격 (Specifications) 장비 특성 및 품질 본 장비는 노이즈 레벨 ~ 10fA 이하 보증 IV, CV 측정 가능 보증 4K CCD Camera & Size Measure Software Gold CU Back Gate & Ceramic Insolutior 통합 4사분면 소스를 사용한 측정 그래픽 모드와 숫자 보기 모드를 모두 지원하는 4.3인치 컬러 디스플레이 PC기반 장비 제어를 위한 어플리케이션 소프트웨어 제공 기존 SMU의 명령어 세트를 지원하는 높은 처리량과 SCPI 명령

장비 주요 사양 Probe station main body unit - 1 SET Platen : Glass Coating for ESD 6“ ambient coaxial Chuck_Low leakage current Chuck & Ground Chuck X/Y Stage Travel : 100 x 100mm, Resolution : 10㎛ Chuck Z Up/down Travel : 15mm, Resolution : 5㎛ Al Sanding Hard Anodizing Ground Block, 6 Port Vacuum Switch for Positioner 6ea, On/Off Microscope Bong Mount Precision Microscope X/Y Stage Travel : 35 x 35mm Resolution : 5㎛ Microscope Mount Bong 30mm Microscope Precision (Max : ~90x) - 1 SET Trinocular C mount Eyepiece : 20x (~Max) Zoom : 1x ~ 4.5x Total magnification : 90x (Max) LED Ring Guide Volume Adjust Control White CCD Camera Precision_4K – 1 SET 4K@1080p@60FPS CCD C-mount, 1/2“ 15“ LCD Monitor Dual Port Micro Positioner body unit_PB50 – 4 EA Manipulator LM lead guide, Fine Manual knob X/Y Stage Travel : 6mm, Resolution : 1㎛ less than Z Stage Travel : 9mm, Resolution : 1㎛ less than Vacuum Base Block Type Positioner holder : C_14 BNC – 4 EA Coaxial Cable 1.5M, BNC Plug MSCT7_Banana Plug Connector – 4 EA Probe Tip – M5BG – 1 BOX Gold-Tungsten, Bending Type, MST 0.5 x 25mm, Tip dia 10μm, 10pcs MBG40_Ceramic Gold Back gate – 1 EA 40mm x 40mm x 0.5(t) MSA002_Vacuum Pump – 1 EA 620ml/sec, Low Sound, Anti Vibration Housing Cover Down Table_DT1/R – 1 EA Diemension : 900 x 760 x 1,500mm 표준 부속품 Precision Source/Measure Unit, 1ch, 1pA Resolution, 21V, 1.5A

Power Cord Measure Software Quick IV 장비 사용 매뉴얼 : 1부 C. 기술전수교육 교육시간 : 연간 1회 이상 장소 : 생산업체 현장 또는 교육이 가능한 장소 일정 : 본교와 협의 후 실시 경비 : 납품업체 부담 D. 납품 및 검수 본 시스템은 납품 기한일 내에 본교가 지정하는 장소에 설치하여야 하며, 설치 및 검수에 필요한 제반 경비는 공급자가 부담한다. 본 시스템은 기 구성된 장비들과 연동되어 융합실험실습을 할 수 있어야 한다. 납품 시 다음과 같은 사항을 제출하여야 한다. 제작업체 정품 물품 공급 증명원 : 1부 제작업체 A/S 확약서 : 1부 제작업체 기술지원증명서 : 1부 E. 하자 보수 검수일로부터 1년으로 하며 제품에 하자가 발생 시 즉시 보수 또는 교체하여야 하며, 소프트웨어의 Up-Grade를 포함한다. 무상 정비기간 후 부품 가격의 실비로 교체한다. 시스템에 이상이 발생 시 또는 학교 측의 긴급요청에 의한 사항은 즉시 가동이 될 수 있도록 한다. === 2-7. 반도체용 광학현미경 실습장치_사양서.hwpx ===

기 술 사 양 서

A. 특징 (Features) 반도체 제조공정을 교육환경에 재현하여 반도체의 공정ˑ검사ˑ유지보수 실습이 기초부터 응용까지 단계별 교육이 가능하도록 구성하여, 이를 통해 현장 적응력이 높은 융합형 기술인재를 양성하는 것을 목적으로 한다. 전공정과 후공정을 모두 포괄하는 통합형 실습라인으로 구성되어 반도체 제조의 전주기를 실습할 수 있어야 한다. 전공정 장비를 통해 학생들은 웨이퍼 패턴 형성의 전 과정을 이해하며, 반도체 전공정의 특성을 이해할 수 있게 구성되어져야 한다. 후공정 장비는 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩, 레이저 마킹 등 공정별 핵심 장비가 유기적으로 연동되어 있으며, 패키징 라인의 축소형 구조로 산업 현장 실무와 연관이 있어야 한다. 검사 및 측정장비를 통해 박막 두께, 굴절률, 표면 거칠기, 전기적 특성 등을 측정할 수 있어야 하며, 공정 데이터 분석 및 피드백 실습이 가능하여야 한다. 유틸리티 주요 공급 인프라가 일체형으로 구축되어 각 실습장비가 독립적이면서도 안정적으로 운영될 수 있는 환경을 제공하여야 한다. 공정실습뿐만 아니라 유지보수 실습을 포함하여 실제 장비의 분해, 조립, 진단, 수리 실습이 가능하도록 구성되어져야 하며, 장비운영 기술과 분석기술, 정비기술을 동시에 습득할 수 있어야 한다. 각 장비는 데이터 연동 구조를 지원하여 향후 데이터 수집 및 공정분석 시스템과의 확장 연계가 가능하여야 한다. 반도체 실습 콘텐츠 시스템을 통해 공정원리, 장비조작, 안전교육, 데이터분석 등을 하나의 학습 콘텐츠로 통합제공하며, 실습 전후의 이론 학습과 결과분석을 디지털로 수행할 수 있어야 한다. B. 규격 (Specifications)

장비 특성 및 품질 본 장비는 범용적인 현미경용으로 고배율 1,000배 검사가 가능한 제품이어야 한다. 고성능 카메라와 소프트웨어를 이용한 다양한 검사 및 조합구성 등이 가능해야 한다. 광로 전환을 통해 육안 관찰과 이미지 전송이 자유롭게 가능하며, 명시야와 암시야 간의 손쉬운 전환을 통해 시료의 다양한 특성을 파악할 수 있어야 한다. 조리개를 활용한 콘트라스트 조절, 회전 레버를 이용한 형광 관찰 지원, 필터를 활용한 간이 편광, DIC 방식의 미분 간섭관찰이 가능해야 한다. NCB/ND 필터를 통해 색 보정이나 투과 광량을 미세하게 조절하여 정밀한 결과를 얻어야 한다. 금속 조직 관찰, 재료 결함 분석, 코팅층 두께 측정 등 다양한 검사가 가능해야 한다. 장비 주요 사양 배율 : 50~100배 대물렌즈 홀더 : 베어링이 내장된 전면 5구 방향 시스템 메인 본체 : 반사 및 미동, 조동 타입으로 초점 조절 장치 접안 경통 : 정립형의 삼안 경통 타입 재물대 : 150 x 150mm 조명 장치 : 명시야, 암시야 조리개 조절 장치 내장 대물렌즈 : 5배, 10배, 장 초점 20배, 장 초점 50배, 장 초점100배 대안렌즈 : 10배 디지털카메라 시스템 이미지 센서 : 1/1.8 고감도, 630만 화소 이상 이미지 크기 : 3,072 x 2,048 pixel, Progressive scan CMOS 이미지 소자 인터페이스 : USB3.0 렌즈 마운트 : C-마운트 타입, 0.55배 릴레이렌즈 이미지 분석 시스템 이미지 지원 파일 형식 : jpg, jpeg, jpe, png, tif, tiff, bmp, gif, pcx, tga, jpg, tft, wmv, asf, avi 제작사로 구성 영상편집 : 직선, 곡선, 선택 곡선, 사각형, 타원형, 문자 입력 편집 : 취소, 재실행, 복사, 붙여넣기, 새로운 이미지로 붙여넣기, 삭제, 모두 삭제, 속성 수동 측정 : 위치, 직선, 곡선, 다곡선, 다각형, 사각형, 원형, 3점 원형, 각도, 두 직선 사이 각도, 거리, 평행선 간격, 기준점 직선. 초점 향상 기능 (EDoF) 실시간 미리보기에서 측정 가능 미리보기 창의 크기를 사용자가 조정 가능 전원 : 220V, 60Hz 장비 크기 및 무게 : 251(W) x 362(D) x 519(H)mm, 8.6kg 표준 부속품 본체 (220V) TCON : 1set 램프 하우스 12V 50W : 1ea 접안렌즈 10배 CFI 10X : 2ea 스테이지 150mm X 150mm LV-S6 6" x 6" Stage : 1ea 명시야, 암시야 겸용 대물렌즈 : 각 1ea CFI TU Plan Fluor BD 5배 (NA 0.15, W.D. 18.0㎜) CFI TU Plan Fluor BD 10배 (NA 0.30, W.D. 15.0㎜)

CFI TU Plan ELWD BD 20배 (NA 0.40 W.D. 19.0㎜) CFI TU Plan ELWD BD 50배 (NA 0.60 W.D. 11.0㎜) CFI TU Plan ELWD BD 100배 (NA 0.80 W.D. 4.5㎜) 정립형 접안 경통 LV-TI3 : 1 ea 조명 장치 LV-U EPI-N Universal Epi Illuminator : 1ea 0.55배 릴레이 렌즈 : 1ea 카메라 시스템 : 1set 이미지 처리 및 분석 프로그램 : 1ea 이미지 처리 분석 시스템 : 1ea Intel Core I-5 Processor 8GB DDR5 Memory, 512GB HDD Windows 11, 24inch Monitor 장비 사용 매뉴얼 : 1부 C. 기술전수교육 교육시간 : 연간 1회 이상 장소 : 생산업체 현장 또는 교육이 가능한 장소 일정 : 본교와 협의 후 실시 경비 : 납품업체 부담 D. 납품 및 검수 본 시스템은 납품 기한일 내에 본교가 지정하는 장소에 설치하여야 하며, 설치 및 검수에 필요한 제반 경비는 공급자가 부담한다. 본 시스템은 기 구성된 장비들과 연동되어 융합실험실습을 할 수 있어야 한다. 납품 시 다음과 같은 사항을 제출하여야 한다. 제작업체 정품 물품 공급 증명원 : 1부 제작업체 A/S 확약서 : 1부 제작업체 기술지원증명서 : 1부 E. 하자 보수 검수일로부터 1년으로 하며 제품에 하자가 발생 시 즉시 보수 또는 교체하여야 하며, 소프트웨어의 Up-Grade를 포함한다. 무상 정비기간 후 부품 가격의 실비로 교체한다. 시스템에 이상이 발생 시 또는 학교 측의 긴급요청에 의한 사항은 즉시 가동이 될 수 있도록 한다. === 2-8. VR 실습체험 시스템_사양서.hwpx ===

기 술 사 양 서

A. 특징 (Features) 반도체 제조공정을 교육환경에 재현하여 반도체의 공정ˑ검사ˑ유지보수 실습이 기초부터 응용까지 단계별 교육이 가능하도록 구성하여, 이를 통해 현장 적응력이 높은 융합형 기술인재를 양성하는 것을 목적으로 한다. 전공정과 후공정을 모두 포괄하는 통합형 실습라인으로 구성되어 반도체 제조의 전주기를 실습할 수 있어야 한다. 전공정 장비를 통해 학생들은 웨이퍼 패턴 형성의 전 과정을 이해하며, 반도체 전공정의 특성을 이해할 수 있게 구성되어져야 한다. 후공정 장비는 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩, 레이저 마킹 등 공정별 핵심 장비가 유기적으로 연동되어 있으며, 패키징 라인의 축소형 구조로 산업 현장 실무와 연관이 있어야 한다. 검사 및 측정장비를 통해 박막 두께, 굴절률, 표면 거칠기, 전기적 특성 등을 측정할 수 있어야 하며, 공정 데이터 분석 및 피드백 실습이 가능하여야 한다. 유틸리티 주요 공급 인프라가 일체형으로 구축되어 각 실습장비가 독립적이면서도 안정적으로 운영될 수 있는 환경을 제공하여야 한다. 공정실습뿐만 아니라 유지보수 실습을 포함하여 실제 장비의 분해, 조립, 진단, 수리 실습이 가능하도록 구성되어져야 하며, 장비운영 기술과 분석기술, 정비기술을 동시에 습득할 수 있어야 한다. 각 장비는 데이터 연동 구조를 지원하여 향후 데이터 수집 및 공정분석 시스템과의 확장 연계가 가능하여야 한다. 반도체 실습 콘텐츠 시스템을 통해 공정원리, 장비조작, 안전교육, 데이터분석 등을 하나의 학습 콘텐츠로 통합제공하며, 실습 전후의 이론 학습과 결과분석을 디지털로 수행할 수 있어야 한다. B. 규격 (Specifications) 제품 구성 VR 헤드셋 프로세서 : Qualcomm Snapdragon XR2 Gen 2 (상위 모델인 퀘스트 3와 동일 칩셋으로, 퀘스트 2 대비 그래픽 처리 성능 2배 향상) 혼합현실(MR) : 4MP RGB 풀컬러 패스스루 카메라 2개 탑재로 고화질 주변 환경 인식 추적 성능: 별도 센서 없는 독립형 6DoF 트래킹 및 정밀 핸드 트래킹(손인식) 지원 특징 : Wi-Fi 6E 기반 고속 무선 미러링을 지원하여 디스플레이와 실시간 화면 공유가 원활함 디스플레이 해상도 : HD 40인치 이상 및 프로세서 연동성 : Smart View, Wi-Fi Direct, 크롬캐스트 호환 무선 캐스팅 기본 탑재 (VR 미러링 전용 필수 반영) 인터페이스 : HDMI 단자 2개 이상, 20W 이상 출력 프리미엄 스피커 내장 디스플레이 전용 고하중 이동형으로 VR 전용기기 안전 규격 : 약 20~30kg에 달하는 디스플레이를 안정적으로 지지하는 고강도 스틸 프레임 (최대 하중 60kg 이상 보장) 이동성 : 360도 회전 및 4바퀴 전체에 고정 브레이크(스토퍼)가 장착된 무소음 바퀴 적용

편의 기능 : 사용자 눈높이에 맞춘 상하 높이 조절 기능 및 소형 기기(컨트롤러, 노트북 등) 적재용 중앙 멀티 선반 포함 제어용 e-learning Contents : 학과용 (Site License) 24시간 접속이 가능한 FA제조기술 학습용 E-Learning 컨텐츠를 활용할 수 있는 개별 On- Line 계정을 제공한다. 글로벌 인재양성을 위한 전 세계 13개국 이상의 언어를 선택하여 학습이 가능하다. 웹으로 온라인 접속을 통한 서버에 접근하는 방식으로 언제 어디서는 시간과 장소에 구애받지 않고 수업진행이 가능해야 한다. Control Components Part 가상 FA 투어[개요, 설비의 개요-1, 설비의 개요-2, 설치장소-1, 설치장소-2, 관련부분-1,2] 입력기기 [조작용 스위치, 검출용 스위치, 센서] 제어기기 [릴레이, 타이머, 기타제어기기] 출력기기 [각종 출력기기, 기타 시스템 장치] 기본적인 전기회로 [전기회로의 요소, 자주 쓰이는 회로, 자기유지회로] 반도체 실습 콘텐츠 PC 기반의 물리 엔진을 탑재한 오픈 플랫폼으로 제작되어, 자유롭게 수정 및 배포가 이루어져야 하며, 순수 국내 업체의 기술로 개발되어 지속적으로 운영 및 유지보수의 지원이 원활하게 이루어 질 수 있어야 한다. 반도체 공정 기술을 학습하기 위하여 실제 장비 모듈의 디지털 트윈 기술을 적용하여 실물과 동일한 환경을 구축하여야 한다. 각종 공구를 실제 환경과 유사한 형태로 제공되어, 실습시 각종 도구에 대한 사용법 및 안정성 확보가 가능하여야 한다. 모든 사용자의 정보는 보안을 위해 AES128등과 같은 암호화 알고리즘을 통해 데이터베이스에저장되어야 하며, 중복 아이디 로그인 접속 방지 기능이 있어야 한다. 모든 부품은 좌표계의 물리적 공간을 적용하여 각 부품의 정밀도와 유연성 표현이 가능해야 한다. 모든 부품은 X, Y, Z의 좌표계의 가상물리시스템을 구현하여 실제 장비와 동일한 플래폼을 구축할 수 있어야 한다. 3D 물리엔진을 적용하여 각 부품의 조립, 분해, 상태 확인이 가능해야 하며, 화면의 이동, 확대/축소 등 다양한 시뮬레이션 엔진 형태로 제공되어져야 한다. 실제 설비의 도면 또는 실제 장비 크기의 실측을 통한 데이터로 3D 시뮬레이션 되어야 한다. 장비 주요 사양 웨이퍼 제조 공정 체험 시나리오 반도체 집적회로가 새겨지는 기판인 웨이퍼 모래에서 추출한 실리콘을 쵸크랄스키 공법으로 결정 성장시켜 잉곳을 만든 후, 얇게 절단하고 연마하는 과정을 통해 제작 이 과정에서 단결정 성장은 30시간, 냉각은 10시간이 소요되는 정밀한 공정으로 VR체험에서는 모래를 도가니에 넣고, 정확한 레시피로 실리콘을 응용한 후 단결정을 천천히 끌어올려 잉곳을 성장시키는 과정을 체험 정밀한 인상속도와 회전속도 제어가 잉곳의 품질을 결정

공정의 주요 동작순서 모래 정제 및 응용 : 모래를 도가니에 투입하고 1425°C로 가열하여 고순도 응용 실리콘을 생성 시드 결정 준비 : 고순도 단결정 시드를 응용 실리콘 표면에 접촉시켜 결정 성장 기준점을 형성 단결정 성장 : 직교로봇으로 시드 결정을 하강 후 스틱으로 3~4초간 천천히 인상하며 잉곳을 성장 회전 및 안정화 : 결정과 도가니를 반대방향으로 회전시켜 온도와 불순물을 균일화하고 직경을 안정화 냉각 : 완성된 실리콘 잉곳을 서서히 냉각시켜 결정 구조를 안정화 웨이퍼 절단 : 다이아몬드 와이어를 사용하여 잉곳을 수백μm 두께의 균일한 웨이퍼로 정밀하게 슬라이싱 표면 연마 : 화학적ˑ기계적 연마(CMP) 공정을 통해 웨이퍼 표면을 원자 수준으로 매끄럽게 가공 핵심 작동 원리 쵸크랄스키 공법은 용융 실리콘에서 단결정 시드를 천천히 인상하여 원자가 규칙적으로 배열된 잉곳을 성장 인상속도(5mm/min)와 회전속도(5~20rpm)의 정밀한 제어가 결정 품질을 결정 도가니와 결정의 반대 방향 회전은 용융 실리콘 내 온도와 불순물 분포를 균일하게 만듦 다이아몬드 와이어 절단은 결정 손상을 최소화하며 정밀한 두께제어가 가능 체험 시각 포인트 모래가 고온에서 응용되어 액체 실리콘으로 변화는 과정 시드 결정이 용융 실리콘에 접촉하는 순간의 결정화 시작점 인상 과정에서 실리콘 잉곳이 점점 길어지는 모습 결정과 도가니가 반대 방향으로 회전하는 역동적인 모습 다이아몬드 와이어가 잉곳을 정밀하게 절단하는 과정 체험 목표 반도체 소자의 기본 기판인 웨이퍼의 제조 원리를 이해한다. 단결정 성장의 중요성과 공정 제어 파라미터의 영향을 파악한다. 대규모 산업 공정에서 요구되는 정밀도와 품질 관리 중요성을 체험한다. 기계적/물리적 공정에서 레시피 설정의 중요성을 경험한다. 산화 공정 체험 시나리오 웨이퍼 위에 SiO2 산화막을 생성하여 소자 간 분리와 회로 보호 역할을 수행 산화막은 실리콘 기판과 다른 물질 사이의 계면 특성을 개선하고 누설 전류를 차단하는 기능 건식과 습식 산화 공정의 차이와 정밀 제어 기능 확인 공정의 주요 동작 순서 설비 준비 : 수평/수직 퍼나스, 가스 공급 시스템(MFC), 온도 제어 모듈, Dry/Wet 산화 챔버를 점검하고 초기화 공정 레시피 선택 : 건식 산화 또는 습식 산화 레시피를 선택 온도 설정 및 조절 : 컨트롤러로 온도를 선택하고, 퍼나스가 목표 온도에 도달할 때까지 안정화 가스 유량 조절 : 밸브를 돌려 산소 또는 수증기 유량을 조절하고, 압력 게이지로 수치를 확인 산화 공정 시작 : 설정된 조건에서 산화 공정을 시작하고, 실시간으로 챔버 내부 상태를 모니터링 산화막 성장 관찰 : 산화 과정이 진행됨에 따라 실리콘 표면에서 SiO2 산화막이 형성되는 과정을 확인 시간에 따른 변화 : 설정 시간 경과에 따른 산화막 두께 변화를 관찰하고 기록

결과 확인 및 평가 : 최종 산화막 두께를 측정하고 전기적 특성, 계면 품질을 확인하여 산화 공정의 성공 여부를 평가 핵심 작동 원리 건식 산화는 순수 산소를 이용하며 얇고 고품질의 산화막을 형성 습식 산화는 수증기를 사용해 성장 속도가 더 빠르고 두꺼운 산화막을 형성 온도 상승은 산화 속도를 기하급수적으로 증가 체험 시각 포인트 HMI 패널에서 온도, 시간, 가스 유량을 조절하는 인터페이스 퍼니스 내부의 열선이 빨갛게 달아오르는 모습 건식/습식 산화에 따른 산소/수증기 분자의 확산 속도 차이 시간 경과에 따른 산화막 두께 증가 그래프 시각화 완성된 산화막의 단명과 표면 품질 검사 화면 체험 목표 건식/습식 산화 공정의 원리와 차이점을 이해한다. 온도, 시간, 가스 유량이 산화막 형성에 미치는 영향을 학습한다. HMI 설정에 따른 결과 예측과 공정 변수 최적화 능력을 향상시킨다. 포토 공정 체험 시나리오 웨이퍼 준비부터 노광까지의 과정에서 정확한 패턴 형성이 반도체 성능을 결정 노광된 웨이퍼에서 실제 회로 패턴을 현출하고 강화 노광 공정에서 빛에 의해 화학적 변화를 겪은 감광제가 현상액에 의해 선택적으로 제거되어 정밀한 회로 패턴을 형성 하드베이킹을 통해 남은 패턴의 내구성을 강화하고, 품질 검사를 통해 패턴의 정확도를 확인 나노미터 수준의 정밀한 회로 패턴이 완성되어 다음 공정인 식각 공정으로 이동 공정의 주요 동작 순서 웨이퍼 세정 : 불순물과 미세 먼지를 제거하여 패턴 결함을 방지 탈수 베이킹 : 120°C에서 웨이퍼 표면의 수분을 제거하여 균일한 감광막 형성의 기반을 마련 감광액 도포 : 광감응성 화학물질(PR)을 웨이퍼 중앙에 일정량 분사 스핀 코팅 : 회전속도 조절로 균일한 두께의 감광막을 형성, 회전이 빠를수록 더 얇은 막이 형성 소프트 베이킹 : 90~110°C에서 감광액 내 용매를 제거하고 점착성을 안정화 마스크 정렬 : X, Y, ɵ(회전) 방향으로 마스크와 웨이퍼를 나노미터 단위로 정확히 정렬 EUV 노공 : CO2 레이저 > 주석 플라즈마 > 13.5nm 파장 생성 > 집광 > 레티클 > 1/4축소 > 자기부상 스테이지 > 웨이퍼 표면에 회로 패턴의 잠상 형성 현상 : 노광 공정에서 빛을 받은 감광액(PR) 부분만 선택적으로 제거하여, 회로 패턴을 실제로 드러내는 화학적 처리 과정, 현상액이 노광된 부분을 용해시켜서 패턴이 명확하게 나타남, 현상 시간은 보통 60~90초로 조절 하드베이킹 : 현상 후 남아있는 패턴을 110~130°C로 가열하여 용매를 완전히 제거하고 고분자 가교결합을 촉진, 패턴 내구성을 강화하고 후속 식각 공정에서 보호막 역할 결과 확인 : 공정 작업 후 웨이퍼에 새겨진 마스킹 결과를 확인 핵심 작동 원리 EUV 13.5nm 파장은 기존 DUV보다 더 미세한 패턴을 구현

자기부상 스테이즈를 이용한 정밀 제어로 나노미터 단위 정확도를 확보 마스크와 웨이퍼의 정확한 패턴 정확도의 핵심 요소 현상액의 농도와 온도가 용해 속도와 선택성에 직접적인 영향 하드베이킹 온도와 시간은 패턴 내구성과 열변형 사이의 균형을 결정 포지티브 PR은 노광된 부분이 제거되고, 네거티브 PR은 노광된 부분이 남음 패턴의 품질은 해상도, 선폭 편차, 수직성, 접착력 등으로 평가 체험 시각 포인트 웨이퍼 세정 과정의 미세 입자 제거 시각화 스핀 코팅 시 회전속도에 따른 두께 변화 그래프 EUV 및 생성부터 웨이퍼 도달까지의 경로 애니메이션 노광 후 형성된 잠상 패턴의 확대 시각화 마스크와 웨이퍼의 정렬 과정 정밀 시뮬레이션 현상액이 웨이퍼에 분산되며 노광된 감광제가 용해되는 과정 현상 시간에 따른 패턴 선명도 차이 비교 하드베이킹 중 감광제의 물리적 변화와 색상 변화 온도별 베이킹 효과 차이 완성된 패턴을 현미경으로 확대하여 검사하는 장면 체험 목표 포토 공정의 각 단계가 패턴 형성에 미치는 영향을 이해한다. EUV라소그래피의 작동 원리와 기술적 도약을 경험한다. 나노 단위 제어의 정밀성과 중요성을 체험한다. 포토 공정 최종 단계의 중요성과 공정 매개변수의 영향을 이해한다. 현상액 농도, 시간, 하드베이킹 온도 등 공정 조건의 관계성을 학습한다. 나노 수준 패턴 형성의 정밀성과 품질 관리의 중요성을 체험한다. 식각 공정 체험 시나리오 건식 식각은 방향성이 우수하여 미세 패턴 구현에 적합하며, 플라즈마를 이용해 물리적ˑ화학적 방식으로 진행 최적의 파라미터 설정 및 결함 분석을 수행하며, 장비를 통해 나노 수준의 정교한 패턴 생성 확인 공정의 주요 동작 순서 웨이퍼 로딩 및 챔버 진공화 : 로봇 암을 통해 웨이퍼를 챔버에 로딩하고 진공 펌프로 10^-6Torr 고진공 환경을 조성 장비 모듈 확인 : 로봇 암, 로드 포트, 진공 펌프, MFC, RF 제너레이터, 광학 센서 등 6개 주요 모듈의 상태를 확인 공정 파라미터 설정 : SiO2 식각을 위한 RF 파워, 챔버 압력, C4F8/02 가스 유량을 정밀하게 설정 플라즈마 점화 : RF 제너레이터로 플라즈마를 생성하여 라디칼(화학적) 및 이온(물리적) 식각 환경을 형성 수직 프로파일 형성 : 측벽 보호막 형성을 통해 수직 프로파일을 구현하고 식각 과정을 실시간 모니터링 결함 분석 : 마이크로당, 노칭, 언더컷 등 다양한 식각 결함을 식별하고 원인을 진단 종말점 검출 및 공정 종료 : 광학 센서로 종말점을 확인한 후 RF 파워 및 가스 밸브를 차단하고 질소 벤트를 통해 안전하게 종료 핵심 작동 원리 반응성 이온 식각(RIE)은 화학적 식각과 물리적 스퍼터링을 동시에 활용 플라즈마 생성을 위한 RF 파워 압력 제어로 이방성 식각을 구현 C4F8 가스는 SiO2와 선택적으로 반응하고 촉벽 보호막을 형성

O2 가스는 폴리머 부산물을 제거하여 식각 균일도를 향상 체험 시각 포인트 최적 파라미터를 설정 – 압력, RF파워, 가스 유량을 조절하여 수직 프로파일 확보 결함 유형 식별 – 다양한 패턴 결함을 관찰하고 정확한 원인 진단 안전한 공정 종료 – 종말점 검출 후 RF 파워/가스 차단 및 안전 벤트 수행 플라즈마 글로우 색상 변화를 통한 식각 진행 과정 시각화 체험 목표 RIE 장비의 주요 모듈과 작동 원리를 이해한다. 플라즈마 식각의 이방성 제어 기술을 학습한다. 식각 결함 분석 및 죄적 파라미터 설정 능력을 체득한다. 증착 & 이온 주입 공정 체험 시나리오 이 공정은 진공 챔버 내에서 반응성 가스를 이용하여 웨이퍼 표면에 원하는 특성의 박막을 형성하는 증착(CVD) 과정과, 웨이퍼 내부에 도펀트를 주입하여 전기적 성질을 부여하는 이온 주입 과정으로 구성됩니다. 원자 단위의 균일한 막 형성 기술과 정밀한 도핑 제어 기술을 습득 공정의 주요 동작 순서 증착 (CVD) 공정 체험 시나리오 준비 단계 : 장비 시스템을 파악하고 공정 목표를 확인한다. 챔버의 3D구조를 탐색하고 HMI 설정화면과 레시피를 검토한다. 챔버 세팅 : 공정 환경을 조성하고 웨이퍼를 로딩한다. 챔버를 진공화하고 로봇암을 이용해 웨이퍼를 서셉터에 안착시킨다. 공정 조건 설정 : 온도(600-800°C), 압력(1-10Torr), 가스 유량을 최적화한다. 히터 온도 설정과 MFC를 통한 정밀한 가스 유량 제어를 수행한다. 공정 가동 :RF 파워를 인가하고 증착을 시작한다. RF 파워 설정 및 반응가스를 주입하고 플라즈마를 점화하여 증착 공정을 개시한다. 모니터링 및 완료 : 증착 과정을 관찰하고 결과를 평가한다. 박막 형성 과정과 두께 증가를 관찰하고 최종 균일도와 증착률을 확인한다. 이온주입(Ion Implantation) 공정 체험 시나리오 웨이퍼 로딩 및 진공 조성 : 로봇이 웨이퍼를 장착하고 초고진공 환경을 형성한다. 이온 소스 작동(BF3 주입) : 붕소 가스를 플라즈마로 전환하여 B+ 이온을 생성한다. 이온 추출 및 빔 형성 : 고전압으로 이온을 추출하고 일정한 빔 형태로 만든다. 질향 분리 : 자장을 이용해 순수 붕소 이온만 선별한다. 이온 가속 : 고전압으로 이온을 가속시켜 목표 깊이에 도달하도록 한다. 중성자 트랩 : 전라를 잃은 중성 입자를 제거하여 빔 순도를 높인다. 빔 주사 및 각도 조정 : 웨이퍼를 기울여 채널링 현상을 방지하고 균일하게 주입한다. 이온 주입 완료 : 붕소 이온이 실리콘 내부에 침투하여 P형 도핑 영역을 형성한다. 핵심 작동 원리 증착(CVD) 초고진공 환경(10^-6 Torr 이하)이 증착 과정의 불순물을 최소화한다. 가스 유량과 압력 제어를 통해 균일한 박막 두께를 확보한다. 온도 프로파일이 화학 반응 속도와 증착률을 결정한다.

샤워헤드 설계가 웨이퍼 표면의 균일한 가스 분포를 보장한다. 이온주입(Ion Implantation) 초고진공 환경은 빔 손실을 최소화하고 주입 효율을 높인다. 붕소 이온만 선택적으로 통과시켜 고순도를 확보한다. 가속 전압이 주입 깊이와 도핑 농도를 결정한다. 주입 각도를 조절해 결정 내 채널링을 방지한다. 체험 시각 포인트 증착(CVD) 챔버 내부 3D 구조와 핵심 부품의 위치 관계 진공 상태에서의 압력 게이지 변화 과정 웨이퍼 표면에서 발생하는 화학 반응 시각화 플라즈마 점화 시의 보라색 글로우 방전 현상 박막 두께가 실시간으로 증가하는 나노미터 단위 그래픽 이온주입(Ion Implantation) 웨이퍼가 장비에 로딩되고 압력 게이지가 낮아지는 장면 붕소 가스가 플라즈마로 변하며 이온화되는 모습 자장 속에서 이온이 휘어지며 질량에 따라 분리되는 과정 자장 속에서 이온이 휘어지며 질량에 따라 분리되는 과정 체험 목표 증착(CVD) CVD 공정의 핵심 파라미터 설정 방법을 습득한다. 균일한 막두께(200nm)를 달성하기 위한 조건을 파악한다. 목표 증착률(20nm/min)을 유지하는 최적 공정 조건을 이해한다. 이온주입(Ion Implantation) 자장 속에서 이온이 휘어지며 질량에 따라 분리되는 과정 도펀트의 선택, 가속, 주입, 제어 과정을 시각적으로 학습한다. 미세 공정의 정밀성과 제어 기술의 중요성을 체험한다. 금속배선 공정 체험 시나리오 BEOL(Back-End Of Line)의 핵심으로, 트랜지스터 간 신호를 전달하는 배선을 형성합니다. 최첨단 다마신(Damascene) 공정을 통해 구리 배선을 형성하고 층간 연결을 위한 비아(Via)를 제작한다. 공정의 주요 동작 순서 절연막(유전막) 증착 : 저유전율(Low-k) 물질을 증착하여 신호 간섭을 최소화하는 절연층을 형성한다. 비아홀/트렌치 형성 : 포토 및 식각 공정을 통해 수직 연결(비아)과 수평 배선(트렌치) 패턴을 형성한다. 배리어/씨드층 증착 : 구리 확산 방지를 위한 Ta/TaN 장벽층과 도금 기반이 되는 Cu 씨드층을 증착한다. 구리 전해도금 : 전기화학적 도금법(ECD)으로 패턴 내부를 구리로 완전히 채워 전도성 배선을 형성한다. CMP 평탄화 : 화학적 기계적 연마로 과도한 구리와 배리어 금속을 제거하고 표면을 평탄화한다. 다층 배선 반복 : 최대 15층 이상의 금속 배선층을 순차적으로 적층하여 복잡한 회로를 완성한다. 핵심 작동 원리 다마신 공정은 패턴 형성 후 금속을 채우는 역배선 방식으로 미세 패턴에 적합하다. 구리는 알루미늄보다 저항이 낮아 신호 지연을 줄이고 전력 효율을 높인다. 배리어 금속층은 구리가 실리콘으로 확산되어 소자를 오염시키는 것을 방지한다. CMP 공정의 평탄도는 다음 층 배선의 정확도와 수율에 직접적 영향을 미친다.

체험 시각 포인트 유전막 내부에 비아홀과 트렌치가 형성되는 3D 단면 시각화 나노 스케일 배리어/씨드층이 원자 단위로 증착되는 과정 구리 이온이 전기화학적으로 환원되어 도금되는 메커니즘 CMP 슬러리와 패드가 표면을 연마하는 미시적 작용 다층 배선이 적층되며 완성되는 반도체 후공정 구조 체험 목표 다마신 공정의 단계별 흐름과 구리 배선의 형성 원리를 이해한다. 배선 저항, 신호 지연, RC 시정수 등 배선 특성의 중요성을 학습한다. CMP 공정의 제어 변수와 평탄화 품질이 수율에 미치는 영향을 체험한다. EDS 공정 체험 시나리오 웨이퍼에 형성된 수많은 칩들을 전기적으로 테스트하여 양품과 불량품을 선별하는 중요한 공정입니다. 미세한 프로브로 칩의 패드에 접촉하여 다양한 조건에서 전기 신호를 인가하고 반응을 측정한다. 공정의 주요 동작 순서 웨이퍼 로딩 및 얼라인먼트 : 로봇이 웨이퍼를 척에 로딩하고 프로브 스테이션에 위치를 맞춘다. 프로브 카드 접촉 : 수천 개의 미세한 프로브 핀이 칩의 패드에 정확히 접촉한다. 전기적 테스트 진행 : 다양한 온도와 주파수 조건에서 기능, 속도, 누설 전류 등을 측정한다. 불량 분석 및 맵핑 : 테스트 결과에 따라 불량 칩을 식별하고 수율 맵을 생성한다. 양품 선별 및 등급 분류 : 정상 동작하는 칩을 속도와 품질에 따라 여러 등급으로 분류한다. 핵심 작동 원리 정밀한 프로브 카드와 미세 패드 접촉으로 전기적 신호 전달이 가능하다. 다양한 온도 조건(-40°C~125°C)에서 테스트하여 신뢰성을 확보한다 비닝(Binning) 알고리즘을 통해 칩을 성능별 등급으로 분류한다. 체험 시각 포인트 미세한 프로브 핀이 웨이퍼 패드에 정확히 접촉하는 정밀 과정 테스트 패턴이 칩에 인가되는 파형 신호와 응답 파형 온도 챔버 내에서 저온/고온 테스트가 진행되는 과정 칩별 테스트 결과가 표시된 컬러 웨이퍼 맵 비닝 결과에 따라 등급별로 분류되는 칩 시각화 체험 목표 반도체 전기적 검사의 중요성과 방법론을 이해한다 테스트 조건과 기준에 따른 칩 분류 체계를 학습한다. 수율 분석을 통한 공정 개선 피드백 시스템을 체험한다. 패키징 공정 체험 시나리오 와이어 본딩은 칩의 전기 신호를 외부 기판으로 전달하기 위해 칩과 리드프레임을 금속 와이어로 연결하는 공정입니다. 1. 장비 핵심 유닛 기능 확인. 2. 본딩 설비 조작 순서 오류 없이 완료. 3.본딩 장비의 구조 학습 을 목표로 체험한다. 공정의 주요 동작 순서 칩 및 장비 정렬 : 본딩 장비에 칩과 리드프레임을 정확하게 로딩하고 정렬한다. 본딩 패턴 프로그램을 장비에 입력한다. 볼 형성 (Ball Forming) : 금속 와이어(주로 금) 끝단에 전기 스파크(EFO)를 인가하여 정밀한 크기의 볼을 형성한다. 1차 본딩 (칩 패드 접합) : 형성된 볼을 칩의 패드에 정확히 위치시키고 열과 초음파를 가해 금속간 결합을 형성한다.

루프 형성 (Loop Forming) : 캐필러리(Capillary)를 조작하여 금속 와이어가 최적의 높이와 곡률을 갖는 아치형 루프를 형성한다. 2차 본딩 (리드 접합) : 와이어의 다른 쪽 끝을 리드프레임의 리드 핑거에 접합하여 완전한 전기적 경로를 완성한다. 와이어 절단 및 분리 : 2차 본딩 후 와이어를 절단하고 다음 본딩을 위해 캐필러리를 새 위치로 이동시킨다. 본딩 품질 테스트 및 학습 : 완성된 본드의 강도와 전기적 연결을 확인하고 문제 발생 시 즉각적인 피드백으로 학습한다. 분류 및 언로딩 : 본딩이 완료된 칩을 등급에 따라 분류하고 후속 공정을 위해 언로딩한다. 핵심 작동 원리 열음파 결합(Thermosonic Bonding): 열과 초음파의 결합으로 금속간 원자 확산을 촉진한다. 볼-웨지(Ball-Wedge) 방식: 1차 본드는 볼 형태, 2차 본드는 웨지 형태로 접합한다. 최적 루프 형성: 와이어의 길이와 높이를 제어하여 기계적 스트레스를 최소화한다. 정밀 제어: 서브미크론 수준의 위치 정확도로 초미세 패드에 본딩한다. 체험 시각 포인트 EFO(Electric Flame Off) 방전으로 금속 볼이 생성되는 순간 캐필러리가 칩 패드에 정확히 위치하는 정밀한 움직임 초음파와 열이 가해지며 금속이 결합하는 미세 진동 과정 와이어가 곡선을 그리며 형성되는 완벽한 루프 구조 2차 본딩 시 웨지 형태로 변형되는 와이어 모양 체험 목표 와이어 본더의 주요 구성 요소와 작동 메커니즘을 이해한다. 볼-웨지 본딩의 물리적 원리와 품질 요소를 학습한다. 본딩 프로세스의 각 단계별 주요 변수와 제어 방법을 체험한다. 표준 부속품 라이센스 인증서 : 1부 C. 기술전수교육 교육시간 : 연간 1회 이상 장소 : 생산업체 현장 또는 교육이 가능한 장소 일정 : 본교와 협의 후 실시 경비 : 납품업체 부담 D. 납품 및 검수 본 시스템은 납품 기한일 내에 본교가 지정하는 장소에 설치하여야 하며, 설치 및 검수에 필요한 제반 경비는 공급자가 부담한다. 본 시스템은 기 구성된 장비들과 연동되어 융합실험실습을 할 수 있어야 한다. 납품 시 다음과 같은 사항을 제출하여야 한다. 제작업체 정품 물품 공급 증명원 : 1부 제작업체 A/S 확약서 : 1부 제작업체 기술지원증명서 : 1부 E. 하자 보수 검수일로부터 1년으로 하며 제품에 하자가 발생 시 즉시 보수 또는 교체하여야 하며, 소프트웨어의 Up-Grade를 포함한다. 무상 정비기간 후 부품 가격의 실비로 교체한다. 시스템에 이상이 발생 시 또는 학교 측의 긴급요청에 의한 사항은 즉시 가동이 될 수 있도록 한다.