스마트랩 통합형 고진공 박막 증착 시스템

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공고 개요

유찰 · 한국생산기술연구원 · 반도체·박막 공정장비

결과

유찰

참가

0곳 · 개찰 09/30(수)

요약 AI 요약

실험실 내 기기·데이터·인력·안전·유지보수 정보를 하나의 디지털 생태계로 통합 관리하기 위해, E-beam 증착과 마그네트론 스퍼터링을 한 플랫폼에서 운용하는 고진공 박막 증착 시스템을 제작·도입한다.

• E-beam evaporation 모듈(10kW 이상, 6-pocket 이상 crucible, XY beam sweep, source shutter, QCM 연동)
• Magnetron sputtering 모듈(3기 이상 gun, 개별 shutter·water cooling, DC/DC pulse/RF 전원 확장)
• Loadlock 및 transfer 모듈(독립 loadlock chamber, gate valve, magnet bar/linear transfer)
• Substrate stage(4인치 기본·6인치 대응, 0~30rpm 이상 회전, 최대 1000°C 가열, PID·over-temperature interlock)
• 고진공 배기계·가스/APC 계통(cryopump 또는 turbo pump, backing pump, Ar/O2/N2 MFC, capacitance manometer·throttle valve APC)
• Smart Lab Data Platform(recipe version 관리, 전자 logbook·report, alarm·maintenance log, backup/export, LIMS·MES·ELN·ERP·통합관제 연계 확장성) 및 Safety Interlock

사업 내용 · 이 공고에 든 일

중심 · 스마트랩 통합형 고진공 박막 증착 시스템 제작·설치·시운전

물품 › 연구·실험·계측장비 › 반도체·박막 공정장비

E-beam evaporation·magnetron sputtering·loadlock·고진공 배기계·PC&PLC 제어를 통합한 박막 증착 장비를 제작·납품하는 사업이다.

• 제작도면 승인
• 현장 실측 및 utility 조건 확인
• 운반·설치
• 시운전 및 기능 검수
• 사용자 교육
• 하자보수 12개월
• 기술지원 48시간 내 대응

평가 · 배점

협상 대상 기준 · 기술(규격)제안서를 평가하여 평가위원별 평가점수를 합산하여 최고점수와 최저점수를 제외하고(최저 또는 최고점수가 2개 이상일 때에는 이중 하나만 제외) 산출한 평균점수가 85점 이상인 자를 규격적격자로 결정

참가 자격 · 제한

업종제한

제한 없음

지역제한

제한 없음

공동수급

공동수급불허

입찰참가 제한

모름

실적경쟁 · PQ

모름

국제입찰

국내입찰

제출 방법

전자입찰

입찰 일정

가격

추정가격

326,000,000원

배정예산

358,600,000원

기초금액

351,133,800원 (예비가격 -2% ~ +2%)

부가세

32,600,000원

예정가격 방식

복수예가

납품

품명

진공증착기 (2399039801)

수량

1 식

납품

계약 후 30일

인도조건

모름

제조물품

아니오

세부품명 등록

등록 필요

공고 정보

공고종류

등록공고 (일반공고)

게시일

09/21(월)

공고번호

R26BK01740208-000

참조번호

P812026008DE-00

공고기관

한국생산기술연구원

수요기관

한국생산기술연구원

계약방법

일반경쟁

낙찰방법

규격가격동시입찰

계약유형

총액계약

예정가격 방식

복수예가

추정가격

326,000,000원

배정예산

358,600,000원

사전규격번호

R26BD00272466

재공고

아니오

출처

나라장터

문서 발췌

과업·요구

나. 배정예산 : 358,600,000원(부가가치세 포함) 다. 기초금액 : 351,133,800원(부가가치세 포함) 라. 납품기한 : 계약일로부터 30일 이내 마. 납품장소 : 전남광주통합특별시 북구 첨단과기로 208번길 6 바. 분할납품 : 불가 사. 인도조건 : 현장설치도 아. 입찰방법 : 일반경쟁(총액) / 규격가격동시 / 전자입찰 방식 자. 제안서 제출 : 나라장터 시스템 전자제출 (제안서 제출과 가격 투찰이 모두 완료되어야 유효한 입찰) 차. 하자담보책임기간 : 12개월 카. 기타 : 공동계약 및 재하도급 불가 * 기타 세부사항은 수요기관 요청문서에 의하며 전자 입찰 공고서에 첨부된 제안요청서 등을 반드시 확인하시기 바랍니다. 2. 계약방법 및 낙찰자 결정방법 가. 일반경쟁(총액) / 규격·가격 동시입찰 나. 낙찰자 결정방법 ㅇ 기술(규격)제안서를 평가하여 기술능력평가분야 배점한도(100점)의 85% 이상인 규격 적격자에 한하여 가격입찰서를 개찰하여 예정가격 이하 최저가격으로 입찰한 자를 낙찰자로 선정합니다. ㅇ 규격 적격자가 2인 이상인 경우로서 가격개찰 결과가 예정가격 이하로 입찰한 자가 없을 때는 당해 규격 적격자를 대상으로 다시 가격입찰을 할 수 있습니다. ㅇ 본 입찰의 예정가격은 15개 예비가격 중(기초금액의 ±2% 범위) 4개를 추첨하여 산술평균한 가격으로 결정되며, 예비가격 산출을 위한 기초금액은 공고문을 참고하시기 바랍니다. ㅇ 기술능력에 대한 구체적인 평가방법은 제안요청서에 명시된 내용을 기준으로 합니다.

I 규격 개요

1. 납품요구 기간 ○ 계약 후 30일 이내 2. 용도 ○ 본 계약 건은 연구 및 제조 환경의 효율성, 데이터 신뢰성, 작업자 안전성을 극대화하기 위하여 실험실 내 기기, 데이터, 인력, 안전 상태 및 유지보수 정보를 하나의 디지털 생태계로 통합 관리하는 스마트랩 통합형 고진공 박막 증착 시스템의 도입에 필요한 성능, 구성, 납품 및 검수 조건을 갖는 시스템의 제작을 목표로 함. ○ 본 과업에서 제작하는 시스템은 E-beam evaporation, magnetron sputtering, loadlock transfer, 고진공 배기계, 기판 가열·회전, QCM 막두께 제어, PC&PLC 자동 제어 및 Smart Lab Data Platform을 통합 구성하여야 함. ○ 본 과업에서 제작하는 시스템은 고진공 또는 초고진공 환경에서 금속, 산화물, 질화물, 반도체, 절연체 및 복합 박막 증착이 가능하며, E-beam source와 magnetron sputtering source를 하나의 장비 플랫폼에서 운용할 수 있어야 함. ○ 본 과업에서 제작하는 시스템은 공정 recipe, 사용자 조작, 장비 상태, 알람, 유지보수 및 공정 결과를 자동 저장·추적할 수 있어야 하며, 공정 데이터의 재현성, 무결성, 추적성 확보를 위해 전자 logbook 및 report 기능을 제공하여야 함. ○ 본 과업에서 제작하는 시스템은 고전압, RF/DC 전원, 냉각수, 진공, 가스, 도어, pump fault에 대한 안전 interlock이 필수 구성되어야 하며, LIMS, MES, ELN, ERP, 기관 통합 관제 시스템과의 연계가 가능하도록 확장성을 확보하여야 함. ○ 본 과업의 제작 시스템은 한국생산기술연구원의 스마트랩기반 All-다이아몬드 CMOS 개발 연구에 활용될 예정임.

3. 주요 구성품 ○ 장비 구성품 - 장비본체 : UHV process chamber, frame, utility box, 19 inch rack, 배관 및 배선 일체 - 증착원 : E-beam evaporation source 및 magnetron sputtering source, shutter, power supply, matching/controller 포함 - 시료부 : 4 inch wafer 기본 대응, 6 inch holder 대응 구조, rotation, heating, shutter, transfer 구성 - 진공계 : Cryopump 또는 turbo molecular pump, backing pump, valve, gauge, loadlock 배기계 - 가스공급계 : Ar/O2/N2 MFC, 가스 manifold, VCR 또는 동등 이상 fitting, APC 구성 - 제어계 : Industrial PC, PLC, HMI, recipe, data logging, alarm, interlock, remote support port - 스마트랩 기능 : 사용자 권한, recipe version, 전자 logbook, report, maintenance log, backup/export 기능, LIMS, MES, ELN, ERP, 기관 통합관제 시스템과의 연계가 가능 ○ 작업 및 설치 환경 - 수요기관이 지정하는 장소로 하며, 계약 전·후 현장 실측 및 utility 조건 확인 결과에 따라 최종 배치와 설치 조건을 확정 - 장비 설치에 필요한 전원, 냉각수, CDA 또는 N2, process gas, 배기, 네트워크, 반입 동선, 바닥 하중, 유지보수 공간은 설치 전 협의 - 설치 사항 및 배치 추후 협의

※ 설치 장소 및 배치, 유틸리티는 추후 협의를 통해 상세 레이아웃 제공 예정 4. 성능 및 규격 ○ 제작품은 솔라시티센터의 반도체 소재 성장 장비와 연동됨에 따라 설치 장소의 레이아웃에 맞춤식으로 제공되어야 함. (필히, 솔라시티센터 내 구축예정인 장비 및 설계사항을 반영하여야 하며 냉각수, 배기라인 및 기존 냉각 시스템과의 연동 시스템을 확보하여야 함) ○ 스마트랩 통합형 고진공 박막 증착 시스템 (1set) - E-beam Evaporator, Magnetron Sputter, Loadlock, Smart Lab Data Platform, PC&PLC Control 통합형 ○ Process Chamber (요약) - SUS304/SUS316L - 전해연마 - 내부 shield - View port - UHV 대응 - He leak rate : 5.0×10^-10 Torr·L/sec 이하 (상세) - 챔버 재질은 SUS304 또는 SUS316L 이상으로 제작하고, 내부는 전해연마 또는 동등 이상의 고진공용 표면처리를 적용하여야 한다. - 챔버는 E-beam source port, sputter gun port, substrate stage port, thickness sensor port, vacuum gauge port, pumping port, gas inlet port 및 spare port를 포함하여야 한다. - 오염 방지를 위한 탈착식 inner shield jacket과 source 주변 방착판을 포함하여야 한다. - View port는 2개 이상 설치하고 target 및 substrate 관찰이 가능해야 하며, 필요 시 보호 shutter를 적용할 수 있어야 한다. - Main chamber He leak rate는 5.0×10^-10 Torr·L/sec 이하, base pressure 검수 기준은 5.0×10^-8 Torr 이하로 한다. - 충분한 pump down 및 clean/dry 조건에서 ultimate pressure 5.0×10^-8 Torr 이하를 목표로 한다. ○ E-beam Evaporation module (요약) - 10kW 이상 - 6-pocket 이상 - 25 cc급 권장 - XY sweep, source shutter, HV/water feedthrough (상세) - E-beam power supply는 10 kW 이상으로 하고, 고전압 운전 범위는

-8 kV~-10 kV 또는 동등 이상으로 한다. - E-beam source는 6-pocket 이상 crucible 구조로 하고, pocket 용량은 15 cc 이상, 25 cc급 이상 권장으로 한다. - Crucible indexer는 motorized 또는 external rotary type으로 구성하고, 위치 표시 및 제어가 가능해야 한다. - XY beam sweep 기능을 포함하고 pattern 저장 및 물질별 sweep 조건 저장이 가능해야 한다. - Source shutter는 pneumatic 또는 motorized 방식으로 구성하며, QCM 및 recipe sequence와 연동되어야 한다. - Pre-melting, degassing, power ramp, deposition, cooling sequence를 recipe로 저장하고 실행할 수 있어야 한다. ○ Magnetron Sputtering module (요약) - Gun 3기 이상 - RF/DC/DC pulse 확장 - 개별 shutter 및 water cooling (상세) - Magnetron sputtering gun은 3기 이상으로 구성한다. - 각 gun은 water cooling 구조와 개별 shutter를 포함해야 한다. - Conductive target, oxide target, alloy target 및 reactive sputtering 공정에 대응 가능해야 한다. - DC power supply는 1 kW 이상으로 구성하고, DC pulse power supply 1kw frequency 및 duty ratio 조절이 가능해야 한다. - RF power supply는 13.56 MHz, 1 kW 이상 확장 가능한 구조로 하며, RF matching network는 automatic 또는 동등 이상으로 구성할 수 있어야 한다. - Target 사용 시간, shutter 동작 횟수, source별 운전 이력은 자동 저장되 어야 한다. ○ Loadlock 및 Transfer Module (상세) - Main chamber의 대기 노출을 최소화하기 위하여 독립 loadlock chamber 를 구성한다. - Loadlock chamber는 Al 6061 또는 SUS 재질로 제작하고, ATM sensor, Lowvac gauge, vent valve, roughing valve, gate valve를 포함한다.

- Loadlock pump는 2 400 L/min 이상으로 한다. - Main chamber와 loadlock 사이에는 ISO160급 또는 동등 이상의 gate valve를 설치한다. - Sample transfer는 magnet bar, linear transfer 또는 동등 이상의 방식으 로 구성하고, stroke는 50 mm 이상으로 한다. - Loadlock pump down, vent, transfer sequence는 PC&PLC에서 자동 제어 가능해야 한다. ○ Substrate Stage (요약) - 기본 6 inch holder 대응 - 0~30 rpm 이상 회전 - 최대 1000°C 가열 - Shutter (상세) - Substrate stage는 4 inch wafer 기본 대응, 6 inch wafer 또는 6 inch holder 대응 구조로 한다. - Substrate rotation은 motorized 방식으로 0~30 rpm 이상 조절 가능해야 한다. - Rotation feedthrough는 ferro-seal 또는 고진공용 rotary feedthrough를 적용한다. - Stage height 및 tilt는 조정 가능하거나 설치 후 정렬 가능한 구조로 제작한다. - Substrate heating은 최대 1000°C까지 가능해야 하며, PID 제어 및 over-temperature interlock을 포함한다. - Heater 온도, 설정값, 실제값, ramp rate, 유지시간은 공정 데이터로 자동 저장되어야 한다. ○ Vacuum Pumping (요약) - Cryopump (2,400 L/sec 이상) 또는 Turbo pump (900 L/sec 이상) - Backing pump - Valve sequence 포함 (상세) - Main chamber 고진공 배기계는 cryopump, turbo molecular pump 또는 두 방식을 조합한 구조로 구성한다. - E-beam evaporation용 main pump는 N2 기준 2,400 L/sec 이상 cryopump 또는 동등 이상의 성능을 적용한다. - Sputtering용 pump는 900 L/sec 이상 turbo molecular pump 또는 동등 이상의 성능을 적용한다.

- Backing pump는 600 L/min 이상 rotary pump 또는 dry pump를 적용한다. - Main chamber에는 full range gauge 또는 ion gauge를 설치하고, low vacuum 및 foreline에는 convection/Pirani gauge를 설치한다. - Pump down, vent, regeneration, fault 이력은 자동 저장되어야 한다. ○ Gas/APC (요약) - Ar/O2/N2 3ch 이상 - MFC - SUS316L EP/VCR 배관 - Capacitance manometer - Throttle valve 기반 APC (상세) - Gas supply는 Ar, O2, N2 기본 3 channel 이상으로 구성한다. - Gas manifold는 4 channel 이상 확장 가능한 구조로 한다. - Gas line은 SUS316L EP tube 또는 동등 이상의 고청정 배관을 적용하고, VCR 또는 동등 이상의 metal gasket fitting을 적용한다. - MFC 정확도는 ±1% F.S. 또는 동등 이상으로 한다. - Process pressure 제어를 위해 capacitance manometer와 motorized throttle valve 기반 APC를 구성한다. - Gas 사용량, MFC set/actual value, process pressure 이력은 자동 저장되어야 한다. ○ Thickness Control (Monitoring Module) (요약) - Sputter process QCM controller - Water-cooled sensor - Oscillator - Feedthrough - Rate/thickness control 및 data logging (2set) (상세) - Quartz Crystal Microbalance 방식의 thickness controller를 포함한다. - Crystal sensor는 water-cooled type 고진공 대응 sensor head로 구성한다. - Crystal sensor는 water-cooled type Sputtering 대응 sensor head로 구성한다. - Thickness, deposition rate, density, tooling factor, z-ratio 설정이

가능해야 한다. - E-beam source 또는 sputter shutter와 연동하여 증착 시작·종료 제어가 가능해야 한다. - 증착 완료 후 목표 두께, 실제 두께, 평균 rate, 공정 시간을 포함한 report를 생성할 수 있어야 한다. ○ Smart Lab Platform (요약) - 사용자 권한, recipe version, 공정 data, alarm log, maintenance log, report, backup/export 기능 - LIMS, MES, ELN, ERP, 기관 통합관제 시스템과의 연계가 가능 (상세) - 제어시스템은 Industrial PC, PLC, HMI 기반으로 구성하고 full auto, semi-auto, manual mode를 제공해야 한다. - 공정 recipe 생성, 저장, 수정, 복사, 실행 및 version 관리 기능을 제공해야 한다. - 사용자 ID, 권한, recipe, 공정 시작/종료 시간, pressure, gas flow, source power, heater temperature, rotation speed, thickness, alarm, maintenance 이력을 자동 저장해야 한다. - 전자 logbook 및 공정 report 생성 기능을 제공하고 CSV, Excel, PDF 또는 database format export가 가능해야 한다. - Network 연결 시 OPC-UA, Modbus TCP, TCP/IP, REST API 또는 동등 이상의 data interface 확장성을 확보해야 한다. - 데이터 backup, restore, 원본 데이터 보호 및 수정 이력 관리 기능을 제공해야 한다. ○ Safety Interlock (요약) - Emergency stop, door, vacuum, water, gas, HV, RF/DC, heater, pump fault interlock (상세) - Emergency stop switch를 장비 전면 및 조작부에 설치한다. - Door open, vacuum level, cooling water flow/pressure/temperature, gas flow, pump fault, over pressure, heater over-temperature interlock 을 구성한다. - E-beam HV enable 조건은 vacuum, cooling water, door close, source

ready, emergency normal 상태를 만족해야 한다. - RF/DC power enable 조건은 vacuum, cooling water, pressure, gas flow 조건을 만족해야 한다. - 이상 발생 시 alarm 표시, log 저장, source power 차단 또는 sequence hold 기능이 동작해야 한다. - 전장부는 누전차단, 과전류 보호, 접지, safety cover, warning label을 포함해야 한다. ○ Iridium Deposition Condition (요약) - Ir source 대응 - Graphite/ceramic/Mo liner, base pressure 5.0×10^-7 Torr 이하, 0.2~1.0 A/sec 표준 recipe, 10~200 nm, 4 inch 균일도 ±5% (상세) - 이리듐(Ir) 박막 증착은 E-beam evaporation 방식으로 수행 가능해야 하며, 고융점 금속의 안정적 용융을 위하여 water-cooled source, liner, beam sweep, source shutter 및 QCM rate control이 연동되어야 한다. - Ir source material은 pellet, piece 또는 slug 형태의 고순도 이리듐 재료 를 사용할 수 있어야 하며, 권장 순도는 99.9% 이상 또는 동등 이상으로 한다. - Crucible liner는 Reinfiltrated Graphite, W, Mo 계열 또는 이리듐 증착에 적합한 동등 이상의 liner를 적용할 수 있어야 하며, 과충전 및 spitting을 방지할 수 있는 구조로 구성한다. - 이리듐 증착용 표준 recipe를 제공해야 하며, recipe에는 pump down, source degassing, pre-melting, rate stabilization, shutter open, deposition, shutter close, cooling sequence가 포함되어야 한다. - 이리듐 증착 전 base pressure는 5.0×10^-7 Torr 이하를 만족해야 하며, 고품질 박막 증착을 위해 1.0×10^-7 Torr 이하 조건을 목표로 한다. - Source degassing 및 pre-melting 구간에서는 substrate shutter를 닫은 상태에서 단계적으로 power ramp를 수행하고, 압력 급상승, arc, spitting

발생 시 자동 alarm 및 sequence hold가 가능해야 한다. - 이리듐 증착률은 초기 표준 recipe 기준 0.2~1.0 A/sec 범위에서 안정 운전 가능해야 하며, 필요 시 공정 안정성 확인 후 2.0 A/sec 이하 범위 까지 확장 가능해야 한다. - 이리듐 박막 두께는 10~200 nm 범위에서 recipe 설정이 가능해야 하며, 검수 증착은 수요기관과 협의한 50~200 nm 범위의 조건으로 수행한다. - Substrate는 4 inch Si wafer 또는 동등 시험편을 기준으로 하며, 증착 중 substrate rotation은 10~30 rpm 범위에서 운전 가능해야 한다. - QCM에는 이리듐 재료의 density, tooling factor, z-ratio 등 물성 및 보정 값을 설정할 수 있어야 하며, 실제 두께 측정 결과를 바탕으로 tooling factor 보정이 가능해야 한다. - 이리듐 증착 공정 완료 후 deposition rate, target thickness, actual thickness, source power, chamber pressure, substrate temperature, rotation speed, shutter status, alarm 이력을 Smart Lab Data Platform에 자동 저장해야 한다. - 6 inch wafer 기준 이리듐 박막 두께 균일도는 10 mm edge exclusion 조건에서 ±3% 이내를 목표로 하며, 측정 위치 및 측정 방법은 검수 전 수요기관과 협의한다. - 이리듐 증착 검수 결과에는 증착 조건표, QCM trend, pressure trend, power trend, 두께 측정 결과, 균일도 계산 결과 및 공정 report를 포함해야 한다. <참고. 스마트랩 통합형 고진공 박막 증착 시스템, 모식도>

5. 납품 조건 ○ 납품기한 : 계약 후 30일 이내 ○ 납품장소 : 전남광주통합특별시 북구 첨단과기로 208번길 6 (납품 후 발주처가 요구하는 장소에 설치 및 기술 지원을 해야 함) ○ 하자보증기간 : 검사검수 완료일로부터 12개월 6. 설치 및 검수 ○ 계약상대자는 납품 기한 내에 해당기관의 실험실에 설치 완료하여야 한다. ○ 계약상대자는 납품 후 검수절차에 의해 검수를 필하여야 한다. ○ 계약상대자는 납품 시 기능 구현을 통한 검수를 완료하여야 한다. ○ 시운전 및 검수에 필요한 모든 경비는 계약상대자가 부담하여야 한다. 7. 기타 조건 ○ 사양서에 명시된 구성품, 성능 및 규격 기준을 모두 만족해야 함. ○ 제작품의 결함 발생 시 계약자는 12개월 이내에는 무상으로 수리 보수하거나, 중대한 결함이 발견되면 다시 제작하도록 한다. 중대한 결함이란 한국생산기술연구원 해석에 의한다. ○ 기술지원 요구 시 48시간 내 대응이 가능하도록 한다. ○ 장비 운용 중 원격 지원을 위해 Serial, LAN, USB 등 online connection 가능한 port 또는 log export 수단을 제공해야 한다. ○ 보안상 외부망 연결이 제한되는 경우 standalone data station 또는 local backup 방식으로 운용 가능해야 한다. ○ 제품 제작 전 설치 장소 1회 협의, 중간 제작 2회 보고, 최종 납품 1회 방문하여 총 4회 이상의 방문 및 회의를 진행하도록 한다.

8. 교육 ○ 제품 사용에 필요한 소프트웨어 제공 및 기본적인 사용자 교육을 실시 하여야 한다. ○ 사용자 교육은 해당 기관 지정 장소에서 실시한다.

Ⅱ 일반 사항

1. 계약내용 및 이의의 해석 ㅇ 계약상대자는 계약서 내용에 기술되는 물품 등 일체를 공급하여야 하며, 본 규격서에 기술되어 있지 않은 사항 또는 불명확하다고 생각되는 사항은 한국생산기술연구원의 해석 및 의견을 확인하여야 한다. 2. 계약상대자의 책무 ㅇ 계약상대자는 물품(장비)의 제작, 검사, 운반, 설치 및 시운전에 대한 전반적인 책임이 있으며, 모든 부품은 정상동작 상태 하에서 파손 또는 변형이 없이 충분한 강도와 성능을 보장하여야 한다. ㅇ 계약상대자는 시험장비 제작 전 한국생산기술연구원으로부터 제작도면의 승인을 득하여야 한다. ㅇ 물품(장비)를 납품함에 있어 계약 내용과 비교하여 필요한 부분의 누락 또는 생략이 되었을 경우 계약상대자는 계약사항에 포함된 것으로 간주하고 납품하여야 한다. ㅇ 계약 후 납품된 물품(장비)의 하자 등 문제점 발생 시 이에 대한 책임은 계약상대자에게 있다. ㅇ 물품(장비)의 설계, 제작, 시험 및 납품, 유지보수와 관련하여 제3자의 지식재산권 등의 권리 보호에 따른 문제점이 발생되지 않도록 하여야 하며 발생 시 이에 대한 책임은 계약상대자에게 있다. 3. 포장 및 운반 ㅇ 포장은 운반 및 설치현장의 습도, 기후조건 등을 감안하여 장비 및 부품의 운반 또는 보관 중 손상이 발생하지 않도록 견고한 포장을 하여야 하며, 외부에서 보기 쉬운 곳에 색채 및 기호 등으로 각 기기의 번호, 명칭 등을 표시하여야 한다. ㅇ 장비의 운반중 장비의 기능 및 성능에 영향을 미치는 손상이 발생했을 경우에는 이에 대한 사후처리 및 원형복구는 계약상대자의 책임 하에 이행하여야 한다.

4. 설치 ㅇ 설치작업 이전에 반드시 지정된 설치장소에 대한 기초상태 등 제반여건을 사전 확인한 후에 기계를 설치하여야 하며, 설치와 관련되는 모든 비용(장비, 인원, 동력 등)은 계약상대자가 부담한다. ㅇ 계약 후 물품(장비)를 납품하여 설치 및 시운전시 계약상대자는 제품의 정상적인 가동에 필요한 모든 기술적인 업무를 지원하여야 한다. 5. 안전대책 및 책임 ㅇ 계약수행 과정에서 발생하는 계약수행 인력의 제반 안전사고 책임 및 행정적, 기술적 비용과 문제처리는 계약상대자 부담한다. ㅇ 계약상대자는 계약수행 인력의 작업 중 안전사고 예방에 관한 규정을 제정․시행하여야 한다. ㅇ 계약상대자는 납품 및 설치 과정의 안전관리 방안을 준비하여야 하며 이의 소홀로 발생한 문제는 계약상대자가 일체의 책임을 진다. ㅇ 계약상대자는 계약수행 인력에 대하여 근로기준법, 산업안전보건법, 산업재해보상보험법, 직업안전법 등 제반 법률상 사용자로서의 책임과 의무를 이행하여야 한다. ㅇ 계약수행 중 발생한 모든 안전사고에 대한 책임(민․형사상)은 계약상대자에게 있다. 6. 보안 유지 ㅇ 계약상대자는 공고문, 규격서 등 공개된 문서 내용 외에 계약수행 과정 중 취득한 각종 정보를 한국생산기술연구원의 승인 없이 소유 또는 외부 유출 할 수 없다. ㅇ 보안 유지가 필요한 계약의 경우 비밀유지 대책, 보안각서 등 한국생산기술연구원의 보안 요구사항에 응하여야 한다. ㅇ 계약상대자는 계약 수행 관련 자료를 납품 전까지 별도 보관함에 구분하여 보관토록 하고, 관리책임자 정․부를 지정하여 관리하여야 한다. ㅇ 계약상대자는 납품 및 설치 등을 위하여 한국생산기술연구원에 출입할 경우 작업지정 장소 이외의 공간에 출입을 금지한다.

7. 교육훈련(기술지도) ㅇ 계약상대자는 필요시, 시험장비의 운용이 가능하도록 사용법 및 기타 필요한 사항을 사용 담당자를 대상으로 납품 완료와 동시에 교육을 실시하여야 한다. ㅇ 교육 일정 등 세부적인 사항에 대하여는 한국생산기술연구원과 사전 협의하여 결정한다. ㅇ 장비 작동 매뉴얼은 납품 시 제출하여야 하며, 한국생산기술연구원의 검사담당자의 확인을 받아야 한다. 8. 시운전 ㅇ 계약상대자는 시운전에 필요한 모든 사항은 준비한 시운전 계획 및 승인된 시험 점검을 위해 감독관 입회하에 시운전을 시행하여야 하며, 시운전 불합격 시는 즉각 결함부분을 시정하여 재시행하여야 한다. 9. 보증 ㅇ 납품되는 모든 장비에 대하여 하자보증기간은 계약의 성격에 따라 납품 또는 검사검수 완료일로부터 12개월으로 하며 동 기간 안에 설계, 제작, 설치 공사 및 재결함 등으로 고장 또는 파손되었을 경우 계약상대자는 한국생산기술연구원에서 지정하는 기일 내에 무상으로 신속한 복구를 하여야 한다. ㅇ 하자보증기간 만료 후에도 계약상대자는 부품, 소모품, 기타 운용에 필요한 모든 부속장비 및 정비에 대한 한국생산기술연구원의 요구에 협의해야 한다. 10. 운용지원(AFTER SERVICE) ㅇ 계약상대자는 제작 공급한 장비에 대한 신속하고 완벽한 운용지원(After Service)을 위하여 지원체제를 갖추어야 한다.

Ⅲ 제안 일반사항

배점·평가