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[11-11923](글로컬)냉각 이온빔 단면가공기(Cryo-CP) [Cooling Cross Section Polisher]

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Standard Specification.pdf · 공고규격서
표준사양서.pdf · 공고규격서
응찰서.doc · 공고규격서
입찰공고문(26B0060).hwp · 공고규격서
입찰공고문(26B0060).pdf · 공고규격서

공고 개요

외자 · 유찰 · 포항공과대학교 · 기타 연구장비

결과: 유찰
참가: 0곳 · 개찰 06/09(화)

요약 AI 요약

아르곤 이온빔을 이용해 시료 손상을 최소화하여 단면을 가공하는 '냉각 이온빔 단면가공기' 1세트를 도입하기 위함입니다. 특히 2차 전지 분리막 등 열에 민감한 재료의 단면 가공 및 대기 노출 없는 분석을 목적으로 합니다.

가속전압 2~10kV 및 가공속도 700um/h 이상의 이온빔 가공 유닛
영하 120도 이하의 시료 냉각 및 유지 기능
터치 패널 조작 및 CCD 카메라를 이용한 가공 위치 확인 및 실시간 모니터링
TMP, RP 펌프 및 페닝 게이지가 포함된 진공 배기 시스템
SEM(주사전자현미경)과 연결하여 대기 노출을 방지하는 전송 용기 및 대기 비노출 시스템
정밀 가공(Fine Milling) 및 간헐 가공(Intermittent Milling) 모드

참가 자격 · 제한

업종제한: 제한 없음
지역제한: 제한 없음
공동수급: 공동수급불허
입찰참가 제한: 모름
실적경쟁 · PQ: 모름
국제입찰: 국제입찰
제출 방법: 직찰/우편/상시

입찰 일정

진행	일시	남은 날
공고 게시	06/01(월)	지남
개찰	06/09(화) 18:00	지남

가격

예정가격 방식: 비예가

납품

품명: 연마기 (4110170801)
인도조건: 모름
제조물품: 모름
세부품명 등록: 모름

공고 정보

공고종류: 등록공고 (일반공고)
게시일: 06/01(월)
공고번호: R26BK01553141-000
참조번호: 26B0060
공고기관: 포항공과대학교
수요기관: 포항공과대학교
계약방법: 일반경쟁
낙찰방법: 최저가낙찰제
계약유형: 총액계약
예정가격 방식: 비예가
추정가격: -
배정예산: -
사전규격번호: R26BD00232232
재공고: 아니오
출처: 나라장터

문서 발췌

입찰에 부치는 사항 및 일정	가. 입찰건명 : [11-11923](글로컬)냉각 이온빔 단면가공기(Cryo-CP) 나. 사전규격공개: 2026. 05. 27.(수)~2026. 05. 31.(일) 다. 입찰방법: 일반경쟁입찰(사양 및 가격분리 입찰) 라. 입찰서류 제출일시 : 2026. 06. 09.(화) 18:00까지 (이메일: smchae0524@postech.ac.kr 또는 우편접수: 2026. 06. 09.(화) 18:00 도착 분까지 한함) 마. 입찰일시 : 사양합격 업체에 한해 개별 유선통보 바. 입찰장소 : 전자입찰 http://posbid.postech.ac.kr(사양합격 업체에 한함) *전자계약으로 이루어지는 관계로 시스템상에 반드시 업체등록을 사전에 완료할 것 사. 희망납기: 계약체결 후 5개월 이내
입찰참가자격	가. 우리 대학 계약규정 제6조 및 제54조에 의한 결격 사유가 없는 업체 및 국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행령 제12조에 의한 자격요건을 갖춘 업체 나. 입찰서류 제출 후 사양 합격통보를 받은 업체
입찰 참가 시 제출서류	가. 응찰서(본교 소정양식, 첨부파일 참조) 1부 : 입찰번호 명기하고 서명란은 반드 시 날인할 것 나. 가격이 기재 안된 Offer Sheet 1부(납기기간, 대금지급조건, 계약이행 및 하자이 행 보증서 발급조건) 다. 사양서, 카타로그 각 1부 : 사양서는 업체의 명판과 입찰번호가 반드시 기재되 어야 함 라. 사업자등록증 1부, 법인등기부등본 1부, 법인인감증명서1부(개인사업자의 경우 대표자 인감증명서 및 등본 1부) 마. Manufacturer`s/Supplier`s Certificate(제출가능한 경우)
입찰 참가자 유의사항	가. 입찰 참가자는 업체 대표 및 소속직원에 한하며, 입찰공고서, 계약규정, 계약일 반약관, 특별약관, 첨부과업지시서(표준사양서, 내역, 특수조건 등) 등 입찰에 필 요한 일체 사항을 숙지 한 후 응찰 하여야 하며 이를 숙지하지 못함에 따른 책 임은 입찰자에게 있음 나. 입찰공고서 등에 명시되지 아니한 기타 사항에 대해서는 우리 대학의 규정을 준용함 다. 입찰자는 입찰과 관련하여 배부받은 입찰에 관한 서류 또는 각종 자료 및 입찰 과정에서 얻은 정보를 해당 입찰 외의 목적으로 사용하는 것을 금함 라. 본 건은 전자입찰로 진행하므로 가격조사 이전에 본 시스템에 (http://posbid.postech.ac.kr) 회원가입을 완료 해야 함 마. 1회 입찰가격 투찰 시간은 최장 10분을 초과할 수 없음 바. 입찰보증금 : 입찰금액의 5%를 유예하되 낙찰 후 계약 미이행시 회수 조치 사. 입찰 무효: 우리대학 계약규정 제41조 참조 아. 입찰 사양서는 사전공개 결과에 따라 변경될 수 있으니 입찰 시에는 입찰 사양서를 재확인 하시기 바랍니다
문 의 처	- 사양관련 : 나노융합기술원 김정훈(054-279-0236) - 입찰관련 : 구매관재팀 채수민(054-279-2469, smchae0524@postech.ac.kr)

=== Standard Specification.pdf === 투명하고 공정한 윤리구매문화 정착을 통한 World-leading University, POSTECH! 건 명 냉 각 이온빔 단 면가공 기 표준사양서 B 부 서 명 나노융합기술원 분석기술부 물리분석팀 (연구장비) 실험실명 물리분석팀 작 성 자 김 정훈 연락처 054-279-0236 1. 품명 1.1 영문 ☞ Cooling Cross Section Polisher 1.2 국문 ☞ 냉각 이온빔 단면가공기 2. 수량 및 단위 3.1 수량 ☞ 1 3.2 단위 ☞ SET 3. 사양 및 규격 1. Cooling Cross section Polisher Unit 1) Accelerating voltage : 2 to 10 kV 2) Ion beam width : 500um or more (Full width at half maximum) 3) Milling speed : 700um/h (in 1 hours at 10kV, Silicon, 100um from edge) With Transfer Vessel System 4) Max. specimen size : 11mm (W) x 8mm (D) x 3mm (H) 5) Gas : Argon (99.9999%) 6) Fine Milling Mode : Standard Built-in 7) Intermittent Milling : Standard Built-in 8) Specimen holder ultimate cooling temperature :-120°C or less

9) Time to reach specimen cooling temperature (-100°C) : Within 75 minutes 10) Specimen cooling holding time : 8h or more 11) Coolant & tank capacity : Liquid Nitrogen & Approximately 1L 12)Heat insulation structure : Vacuum preservation system&re-evacuation possible 2. Operation System 1) Operation : Touch Panel 2) Positioning for Milling: Position check with a CCD Camera (x70) 3) Milling Monitoring camera: Color CCD camera for live observation (x100) 4) Operation function: Auto start/ fine milling mode/ intermittent milling mode 3. Evacuation System 1) Pressure measurement: Penning gauge 2) Pumping Punp system : TMP, RP 4. Air-Isolation System 1) A Transfer vessel is used with beam alignment system 2) Isolation gas: Ar gas (99.9999%)

3) A Transfer vessel holder is used between the SEM and the CCP to prevent air exposure. 4. 성능 및 용량 ○ Ar Ion Beam을 이용하여 시료손상을 최소화 하여 단면 가공이 가능하다 - 기존의 기계연마로 단면 가공시 다층구조 및 연성 재료에 대한 고품질 단면가공이 어려웠으나 이온빔 단면 가공기를 이용하면 손상없는 단면 노출이 가능하다 - 가속전압: 2kV~10kV - 가공속도: 700um/ hr (in 1 hours at 10kV, Silicon, 100um from edge) - 냉각 온도: ~ -120°C - 대기 비노출 시스템: 장착 - 기존 사용중인 SEM에 Holder를 호환하여 사용할 수 있어 throughput향상 및 단면시료 대기노출을 최소화 할 수 있다. 5. 용도설명(실험목적) o Ar Ion Beam을 이용하여 시료손상을 최소화 하여 세라믹/금속/고분자/ 다공성 재료의SEM관찰 을 위한 단면가공 및 표면처리 제품의 단면 관찰을 위한 가공이 가능하다. o 액체질소를 이용한 냉각 단면 가공 기능을 이용하여 열손상을 최소화 하여 시료 단면 가공이 가 능하다. 특히 2차 전지 재료 중 분리막 재료 가공목적으로 활용이 가능하다. o 대기비개방 시스템을 이용하여 산화에 민감한 재료를 대기 노출 없이 가공 후 SEM으로 이동하여 관찰이 가능하다. o 기계연마에 비해 손상이 없는 단면 가공으로 EDS/ WDS/ EBSD 분석등 다양한 관찰과 측정에 정 확도를 높일 수 있다.